本教程在簡要介紹MOSFET場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上,全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng);介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計;給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程;介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺EmpyreanXModel,深入介紹了XModel的基本功能和界面;介
本書主要介紹薄膜晶體管(TFT)集成電路技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識和作者在該領(lǐng)域的代表性研究成果。內(nèi)容涵蓋圖像顯示和圖像傳感器件所需的TFT集成電路技術(shù),如像素TFT電路、行驅(qū)動(掃描)TFT電路以及列(數(shù)據(jù))驅(qū)動TFT電路等。全書共5章,分別為:薄膜晶體管(TFT)概述,有源矩陣液晶顯示(AMLCD)TFT電路,有源矩陣有機(jī)
本書將半導(dǎo)體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里,通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰(zhàn)國時代”——中小規(guī)模集成電路時代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時代、“走進(jìn)新時代”—
本書詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案,主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S
"為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局
半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié),其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定,并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析,以及工藝的最終認(rèn)定,是一本實用的、全面的指南,提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。
《LED驅(qū)動與應(yīng)用電路設(shè)計及案例分析》針對電子電路應(yīng)用設(shè)計實務(wù)中的痛點和難點,通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設(shè)計始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個電子產(chǎn)品設(shè)計的全過程。全書采用案例式教學(xué),通過問題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知
本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先,對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷,講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性,包括其獨特的物理和化學(xué)屬性,以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性,分別就互連技術(shù)和襯底展開論述,同時,介紹了磁性材料,并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能,以及冷
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點,相比傳統(tǒng)的Si基功率器件,可簡化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),減小系統(tǒng)損耗和體積,因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而,由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善,器件界面缺陷密度大等問題,使得寬禁帶功率器件在高溫、高
"本書基于作者團(tuán)隊多年的光刻工藝(包括先進(jìn)光刻工藝)研發(fā)經(jīng)驗,從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā),依次介紹光刻基礎(chǔ)知識,一個6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲器的電路結(jié)構(gòu)與3個關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程,光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型,光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與