《微電子與集成電路設(shè)計(jì)系列規(guī)劃教材：半導(dǎo)體器件TCAD設(shè)計(jì)與應(yīng)用》主要內(nèi)容包括：半導(dǎo)體工藝及器件仿真工具SentaurusTCAD，工藝仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具M(jìn)EDICI，工藝及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工藝及器件仿真工具ISE-TCAD，工藝仿真工具（DIOS）的優(yōu)化使用，器件仿真工具（

楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導(dǎo)體材料(第3版)》是為大學(xué)本科與半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《國(guó)外電子與通信教材系列：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》系統(tǒng)介紹了電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的各類功率半導(dǎo)體器件。由淺入深地介紹了器件的基本結(jié)構(gòu)、物理機(jī)理、設(shè)計(jì)原則及應(yīng)用可靠性，內(nèi)容以硅功率半導(dǎo)體器件為主，同時(shí)也涵蓋了新興的碳化硅功率器件�！秶�(guó)外電子與通信教材系列：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》首先從基本半導(dǎo)體理論開始，依次介紹了各類常用的功率

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機(jī)理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/

《半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論（第2版）》共包括15章，第1章概述了半導(dǎo)體制造工藝；第2章介紹了基本的半導(dǎo)體工藝技術(shù)；第3章介紹了半導(dǎo)體器件、集成電路芯片，以及早期的制造工藝技術(shù)；第4章描述了晶體結(jié)構(gòu)、單晶硅晶圓生長(zhǎng)，以及硅外延技術(shù)；第5章討論了半導(dǎo)體工藝中的加熱過(guò)程；第6章詳細(xì)介紹了光學(xué)光刻工藝；第7章討論了半導(dǎo)體制造過(guò)程中使

《碲鎘汞材料物理與技術(shù)》系統(tǒng)地介紹了碲鎘汞材料的物理性能、制備工藝技術(shù)以及材料與器件的關(guān)系。材料的物理性能包括了碲鎘汞材料的結(jié)構(gòu)、熱學(xué)、熱力學(xué)（相圖）、電學(xué)、光學(xué)和缺陷性能，材料的制備工藝技術(shù)包括了材料的生長(zhǎng)工藝、熱處理工藝和各種檢測(cè)分析技術(shù)以及材料制備工藝所涉及的通用性基礎(chǔ)工藝技術(shù)，《碲鎘汞材料物理與技術(shù)》同時(shí)也對(duì)碲

《中外物理學(xué)精品書系·前沿系列15：硅基光電子學(xué)》是筆者在微納光電子領(lǐng)域多年研究和教學(xué)基礎(chǔ)上完成的，系統(tǒng)描述了硅基光電子學(xué)的基礎(chǔ)理論、器件原理及應(yīng)用前景。全書共10章。第1～3章講述了硅基光電子學(xué)的起源及所需的基本知識(shí)；第4章介紹了硅基無(wú)源器件；第5～8章為硅基有源器件，包括光源、調(diào)制器、探測(cè)器、表面等離子體激元器件等

本書是高等職業(yè)教育應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)資源庫(kù)配套系列教材之一。根據(jù)現(xiàn)代電子制造業(yè)對(duì)表面貼裝崗位技術(shù)人才的需要，系統(tǒng)介紹了表面貼裝技術(shù)(SMT)工藝設(shè)備的操作與維護(hù)技術(shù)。全書在編寫過(guò)程中，融入了企業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用案例、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及企業(yè)規(guī)范，內(nèi)容按照表面貼裝設(shè)備崗位技術(shù)人員的典型工作任務(wù)和表面貼裝工藝流程環(huán)節(jié)的先后順序共分為六章，包括

本書講述了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的制備原理，包括多晶硅原料制備、原料提純、多晶硅制備、尾氣回收、硅芯的制備，以及超純水的制備，氫氣、氯氣的制備和凈化等內(nèi)容。本教材適用于高職高專、中專、技校硅材料技術(shù)專業(yè)的師生閱讀，也可供多晶硅企業(yè)的技術(shù)人員參考。

本書主要以異質(zhì)結(jié)雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運(yùn)器件、量子結(jié)構(gòu)激光器、量子結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器和量子結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對(duì)自旋電子器件、單分子器件和量子計(jì)算機(jī)等內(nèi)容進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。