本書(shū)共11章，全面系統(tǒng)地闡述了納米半導(dǎo)體基本概念、制備技術(shù)和十種典型納米半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、形貌、組分、電子結(jié)構(gòu)、光電特性、磁學(xué)性質(zhì)、場(chǎng)發(fā)射特性及其應(yīng)用。

電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的一門(mén)科學(xué)（注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動(dòng)）。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期，以便和電氣工程（主要研究電動(dòng)機(jī)、發(fā)電機(jī)和電纜傳輸）加以區(qū)別，當(dāng)時(shí)的電子工程是一個(gè)嶄新的領(lǐng)域，主要研究真空管中的電荷運(yùn)動(dòng)。如今，電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路（IC）

本書(shū)較系統(tǒng)全面地闡述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識(shí)和典型半導(dǎo)體器件的工作原理、工作特性。具體內(nèi)容包括：半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)、PN結(jié)機(jī)理與特性、雙極型晶體管、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、半導(dǎo)體器件制備技術(shù)、Ga在SiO（2）/Si結(jié)構(gòu)下的開(kāi)管摻雜共6章。每章后附有內(nèi)容小結(jié)、思考題和習(xí)題。書(shū)后有附錄，附錄A是本書(shū)的主要符號(hào)表，附錄B是常用

本書(shū)涵蓋了攝影成像，數(shù)碼成像，電視成像，紅外成像和醫(yī)學(xué)成像等內(nèi)容，對(duì)成像工程領(lǐng)域中的知識(shí)，從光，機(jī)，電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和成像機(jī)理方面進(jìn)行了較為詳盡的闡述。它既包括了已經(jīng)形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)成像系統(tǒng)，也包括了近幾年來(lái)迅猛發(fā)展的數(shù)碼成像，數(shù)字電視系統(tǒng)等嶄新內(nèi)容；既有面向日常生活中應(yīng)用的普及型成像系統(tǒng)，也有面向軍事科學(xué)領(lǐng)域和生命科學(xué)領(lǐng)

本書(shū)是在1980、1984、1988、1995年出版的《通信原理》教材的基礎(chǔ)上，根據(jù)科技發(fā)展和教學(xué)改革實(shí)踐的需要，經(jīng)評(píng)審和重新修訂而成的。本書(shū)講述現(xiàn)代通信的基本原理，主要內(nèi)容包括模擬通信和數(shù)字通信，而側(cè)重于數(shù)字通信。全書(shū)共12章，可分為三個(gè)部分：第一部分（第1~4章）闡述通信基礎(chǔ)知識(shí)及模擬通信原理；第二部分（第5~8章

光電子成像技術(shù)是信息科學(xué)的一個(gè)重要分支。其功能是將人眼不易或不能直接看見(jiàn)的微弱光、紅外光、紫外光、X線及其他電磁輻射的靜態(tài)或瞬態(tài)現(xiàn)象，變?yōu)榭梢晥D像，因而它們?cè)趪?guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防建設(shè)中有較大實(shí)用價(jià)值；對(duì)人們物質(zhì)文明和精神文明的進(jìn)步，起著密不可分的傳播媒體作用。本書(shū)深入淺出地論述了各類(lèi)光電子成像器件的工作原理、典型結(jié)構(gòu)、特性參

本書(shū)在介紹輻射環(huán)境、空間應(yīng)用器件的選擇策略以及半導(dǎo)體材料和器件的基本輻射效應(yīng)機(jī)理的基礎(chǔ)上，介紹IV族半導(dǎo)體材料、CaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷等，并對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體材料及器件的應(yīng)用前景進(jìn)行展望。

本書(shū)以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設(shè)計(jì)、制造和電路應(yīng)用，比較全面地介紹了新近發(fā)展起來(lái)的SiGe微電子技術(shù)。

本書(shū)的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用，半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料（第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料）物理表征的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實(shí)驗(yàn)技術(shù)，如LEED，

本書(shū)內(nèi)容大體可分為兩個(gè)部分。前兩章為第一部分，介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識(shí)，包括半導(dǎo)體基本知識(shí)和pn結(jié)理論；其余各章為第二部分，闡述主要半導(dǎo)體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應(yīng)器件和光器件。每章末均有習(xí)題，書(shū)后附有習(xí)題參考解答。本書(shū)簡(jiǎn)明扼要，討論