本書比較全面地介紹了當前表面組裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線及主要設(shè)備、建線工程、設(shè)備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎(chǔ)知識和表面組裝印制電路板可制造性設(shè)計(DFM)等內(nèi)容。全書分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準備、第3章SMT涂敷工藝技術(shù)、第4章MT貼裝工藝技術(shù)、第5章MT檢測工藝技術(shù)、第6章MT清洗工藝技術(shù)

本書介紹了紅外探測領(lǐng)域的基本概念、研究進展和發(fā)展趨勢。全書旨在為從事紅外探測器設(shè)計以及應(yīng)用的科研人員，深入介紹本領(lǐng)域的專業(yè)基礎(chǔ)、分析方法、技術(shù)進展和發(fā)展趨勢，為新型紅外焦平面器件的研發(fā)提供一定的基礎(chǔ)理論指導和技術(shù)支持。

本書主要介紹了通過分析在不同絕緣層制備的有機場效應(yīng)晶體管性能，得出絕緣層與半導體層表面能匹配可以提高場效應(yīng)遷移率的規(guī)律。全書共4章，具體內(nèi)容包括：有機場效應(yīng)晶體管簡介及發(fā)展現(xiàn)狀分析，Ph5T2單晶場效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析，表面能匹配對于不同單晶材料普適性的討論，以及利用表面能匹配為指導制備高遷移率DNTT單晶場效

本書旨在向材料及微電子集成相關(guān)專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專業(yè)技術(shù)。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與

本書介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術(shù)。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設(shè)備、關(guān)鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學效應(yīng)等，包括光刻技術(shù)的前沿進展，還總結(jié)了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。

傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術(shù)鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點圍繞基于混成電位原理的固體電解質(zhì)氣體傳感器的研究進展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢進行介紹。本書主要內(nèi)容包括固體電解質(zhì)氣體傳感器的種類和特點、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構(gòu)筑、其他增感策略以

全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關(guān)理論、數(shù)值模擬方法、表征技術(shù)及應(yīng)用�？臻g輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應(yīng)用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應(yīng)用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，并提出了將它們與2D材料結(jié)合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導性和

本書內(nèi)容講述：經(jīng)典半導體制備及器件光刻工藝通常受制于價格高昂的設(shè)備、繁瑣冗長的制程及嚴重水電消耗。液態(tài)金屬印刷半導體技術(shù)的出現(xiàn)，以一種自下而上的全新方式實現(xiàn)了對Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多類型半導體的大面積低成本印制，由此可快速構(gòu)筑二極管、三極管、晶體管乃至集成電路和功能芯片，這一模式打破了傳統(tǒng)半導體制造

超結(jié)是功率半導體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結(jié)器件研