作為薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的入門教材，本書以非晶硅薄膜晶體管（a-SiTFT)和多晶硅薄膜晶體管(p-SiTFT)為例詳細(xì)講解了與TFT技術(shù)相關(guān)的材料物理、器件物理和制備工藝原理及其在平板顯示中的應(yīng)用原理等。本書共分7章。第1章簡單介紹了薄膜晶體管的發(fā)展簡史；第2章詳細(xì)闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅(qū)動中的應(yīng)用原理；

本書對標(biāo)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級)的考核方案，本題庫分為理論知識題庫和實(shí)操題庫兩部分。理論知識題庫按照工作任務(wù)進(jìn)行劃分，每個(gè)任務(wù)的考核由判斷題、選擇題、簡述題和案例分析題四種題型構(gòu)成；同時(shí)，為方便學(xué)員的自我學(xué)習(xí)、自我檢查，該題庫還提供了部分習(xí)題的參考答案，利于學(xué)習(xí)效果的檢測。實(shí)操題庫根據(jù)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級)中

全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測評等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測試等。全書內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評估和主動運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體光子和光電子器件的學(xué)科，涉及各種半導(dǎo)體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用�！禕R》本書主要包括半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)、半導(dǎo)體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導(dǎo)體激光器基本理論、光信號調(diào)制、半導(dǎo)體光電探測器、太陽能光熱與光伏、半導(dǎo)體光

本書適合作為集成電路、微電子、電子科學(xué)與技術(shù)等專業(yè)高年級本科生和研究生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的雙語教學(xué)教材，內(nèi)容涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件的全部內(nèi)容。全書在介紹學(xué)習(xí)器件物理所必需的基礎(chǔ)理論之后，重點(diǎn)討論了pn結(jié)、金屬–半導(dǎo)體接觸、MOS場效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場效

本書從材料、工藝、結(jié)構(gòu)、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對半導(dǎo)體太陽能電池和發(fā)光二極管進(jìn)行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導(dǎo)體與新能源，太陽能電池概述，晶體硅太陽能電池，薄膜硅太陽能電池，碲化鎘太陽能電池，砷化鎵太陽能電池，銅銦硒太陽能電池，染料敏化太陽能電池，有機(jī)太陽能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管

本書以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測試和表征、等離子體仿真、顆�？刂坪土慨a(chǎn)。本

本書介紹本書介紹納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征、制備及應(yīng)用研究，大致分以下幾章進(jìn)行。第一章：緒論，主要講述純納米氧化鋅結(jié)構(gòu)、制備、性及應(yīng)用；第二章：表征，主要講述目前納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征方法及手段；第三章：不同形貌純ZnO納米材料的制備及應(yīng)用研究，對不同形貌ZnO納米材料的各種性質(zhì)進(jìn)行對比；第四章：功

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應(yīng)用領(lǐng)域。傳統(tǒng)元素半導(dǎo)體硅材料不再能滿足這些多元化需求，化合物半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生并快速發(fā)展。本書以浙江大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)系“寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料與器件”課程講義為基礎(chǔ)，參照全國各高等院校半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)教材，結(jié)合課題組多年的研究成果編寫而成