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當前分類(lèi)數量:308  點(diǎn)擊返回 當前位置:首頁(yè) > 中圖法 【TN3 半導體技術(shù)】 分類(lèi)索引
  • 半導體結構
    • 半導體結構
    • 張彤/2024-6-1/ 科學(xué)出版社/定價(jià):¥59
    • 《半導體結構》主要內容總體可被劃分為兩個(gè)部分,分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體(完美晶體)的主要性質(zhì)與基本概念撰寫(xiě),加深讀者對晶體結構和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過(guò)五個(gè)章節分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱(chēng)性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀(guān)、

    • ISBN:9787030789778
  • 超晶格真隨機數產(chǎn)生技術(shù)
    • 超晶格真隨機數產(chǎn)生技術(shù)
    • 劉延飛[等]著(zhù)/2024-5-1/ 國防工業(yè)出版社/定價(jià):¥80
    • 本書(shū)首次利用半導體超晶格作為真隨機數發(fā)生器的混沌熵源,針對超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設計、混沌信號分析、隨機數提取等問(wèn)題進(jìn)行研究,從理論上對超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機理進(jìn)行了研究,從實(shí)踐上實(shí)現了基于超晶格混沌熵源的隨機數發(fā)生器設計及產(chǎn)生真隨機數的評估。

    • ISBN:9787118133042
  •  功率半導體器件:封裝、測試和可靠性
    • 功率半導體器件:封裝、測試和可靠性
    • 鄧二平、黃永章、丁立健 編著(zhù)/2024-5-1/ 化學(xué)工業(yè)出版社/定價(jià):¥139
    • 本書(shū)講述了功率半導體器件的基本原理,涵蓋Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;綜合分析和呈現了不同類(lèi)型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等;將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應力可靠性測試和壽命測試等,并詳細介紹了測試標準、方法和原理,同步分析了測試設備和數據

    • ISBN:9787122449344
  • 半導體材料
    • 半導體材料
    • 楊德仁/2024-5-1/ 電子工業(yè)出版社/定價(jià):¥68
    • 半導體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科,是信息、新能源(半導體照明、太陽(yáng)能光伏)等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎。本書(shū)共15章,詳細介紹了半導體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù),重點(diǎn)介紹了半導體硅材料(包括高純多晶硅、區熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導體材料)的制備、結構和性質(zhì),闡述了化合物半導體(包括Ⅲ-Ⅴ族

    • ISBN:9787121479731
  • 真空鍍膜技術(shù)與應用
    • 真空鍍膜技術(shù)與應用
    • 主編田燦鑫/2024-5-1/ 武漢理工大學(xué)出版社/定價(jià):¥98
    • 本書(shū)內容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)際應用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎理論及應用的基礎上,著(zhù)重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應用等,緊接著(zhù)介紹了薄膜厚度的測量、薄膜分析檢測技術(shù)等方面的內容,最后詳細闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的具體工藝流程。本書(shū)敘述深入淺出,內容豐富而

    • ISBN:9787562969792
  • 鍺塵中鍺的二次富集及提取
    • 鍺塵中鍺的二次富集及提取
    • 劉麗霞著(zhù)/2024-4-1/ 冶金工業(yè)出版社/定價(jià):¥99.9
    • 本書(shū)詳細介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取,全書(shū)共分7章,內容包括緒論、實(shí)驗方案、鍺塵基礎物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結論。

    • ISBN:9787502498436
  • 圖解入門(mén)——半導體工作原理精講 [日]西久保靖彥
    • 圖解入門(mén)——半導體工作原理精講 [日]西久保靖彥
    • [日]西久保靖彥/2024-4-1/ 機械工業(yè)出版社/定價(jià):¥99
    • 這是一本介紹半導體工作原理的入門(mén)類(lèi)讀物。全書(shū)共分4章,包括第1章的半導體的作用、類(lèi)型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài);第2章的理解導體、絕緣體和半導體的區別,以及P型半導體和N型半導體的特性;第3章的PN結、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等;第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書(shū)適合想學(xué)習半導體的

    • ISBN:9787111751670
  • 集成電路與等離子體裝備
    • 集成電路與等離子體裝備
    • /2024-4-1/ 科學(xué)出版社/定價(jià):¥168
    • 集成電路與等離子體裝備

    • ISBN:9787030775467
  • 基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件(英文版)
    • 基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件(英文版)
    • 方華靖/2024-3-1/ 清華大學(xué)出版社/定價(jià):¥89
    • 《基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件(英文版)》一書(shū)介紹了基于鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛晶體(PMN-PT)設計開(kāi)發(fā)的原型器件,初步探索了鐵電材料在信息技術(shù)領(lǐng)域的新應用。首先,利用PMN-26PT單晶作為介電層,單層二硫化鉬作為溝道半導體構筑了一種光熱調控型場(chǎng)效應晶體管,為FET器件提供了一種新的策略。其次,采用銀納米線(xiàn)作為

    • ISBN:9787302657033
  • 圖解入門(mén)——半導體器件缺陷與失效分析技術(shù)精講 [日]可靠性技術(shù)叢書(shū)編輯委員會(huì )
    • 圖解入門(mén)——半導體器件缺陷與失效分析技術(shù)精講 [日]可靠性技術(shù)叢書(shū)編輯委員會(huì )
    • [日]可靠性技術(shù)叢書(shū)編輯委員會(huì )/2024-3-1/ 機械工業(yè)出版社/定價(jià):¥99
    • 本書(shū)共分為4章,內容包括半導體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書(shū)中各處開(kāi)設了專(zhuān)欄,用以介紹每個(gè)領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題,這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級可靠性技術(shù)者”資格認定考

    • ISBN:9787111749622