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當前分類數(shù)量:24  點擊返回 當前位置:首頁 > 中圖法 【O78 晶體生長】 分類索引
  • 晶體生長研究前沿
    • 晶體生長研究前沿
    • 王渠東著/2024-1-1/ 上海交通大學(xué)出版社/定價:¥68
    • 本書主要內(nèi)容包括晶體生長研究實例和晶體生長前沿專題研究進展上下兩篇,上篇主要收集、整理、介紹了作者團隊有關(guān)晶體生長的研究成果,包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長、納米顆粒對純鋁和鋁硅合金晶體生長的影響、合金元素對鎂合金表面氧化膜生長的影響等有關(guān)研究實例,下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國內(nèi)外超高溫Nb-Si基合

    • ISBN:9787313295156
  • 晶體生長研究前沿
    • 晶體生長研究前沿
    • 王渠東/2024-1-1/ 上海交通大學(xué)出版社/定價:¥68
    • 本書為研究生教材,主要內(nèi)容包括晶體生長研究實例和晶體生長前沿專題研究進展上下兩篇,上篇主要收集、整理、介紹了作者團隊有關(guān)晶體生長的研究成果,包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長、納米顆粒對純鋁和鋁硅合金晶體生長的影響、合金元素對鎂合金表面氧化膜生長的影響等有關(guān)研究實例,下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國內(nèi)外超高溫

    • ISBN:97887313295156
  • 工業(yè)結(jié)晶技術(shù)
    • 工業(yè)結(jié)晶技術(shù)
    • 衛(wèi)宏遠、黨樂平 等 編著/2024-1-1/ 化學(xué)工業(yè)出版社/定價:¥158
    • 《工業(yè)結(jié)晶技術(shù)》系統(tǒng)介紹了結(jié)晶過程中涉及的概念和基礎(chǔ)理論、工業(yè)結(jié)晶的工藝技術(shù)和設(shè)備、結(jié)晶器的設(shè)計和應(yīng)用,并通過結(jié)合工程經(jīng)驗和應(yīng)用實例,加深讀者對結(jié)晶學(xué)理論的理解。同時,緊跟行業(yè)發(fā)展前沿,全面介紹了近些年新發(fā)展起來的現(xiàn)代分析、結(jié)晶過程控制技術(shù)和模擬分析結(jié)晶過程的方法,為讀者提供了創(chuàng)新的發(fā)展方向和方法!豆I(yè)結(jié)晶技術(shù)》共八

    • ISBN:9787122429841
  • 晶體生長基礎(chǔ)與技術(shù) 王國富 李凌云著
    • 晶體生長基礎(chǔ)與技術(shù) 王國富 李凌云著
    • 王國富,李凌云/2023-3-1/ 科學(xué)出版社/定價:¥128
    • 本書系統(tǒng)介紹了人工晶體生長的基礎(chǔ)理論和相圖技術(shù),在此基礎(chǔ)上全面介紹了人工晶體生長主流技術(shù)如水溶液法、助熔劑法、水熱法、焰熔法、提拉法和坩堝下降法等,詳細介紹了上述人工晶體生長技術(shù)的基本原理、設(shè)備設(shè)計與構(gòu)造、生長工藝以及它們的優(yōu)缺點等。同時,作者結(jié)合自身多年科研工作成果積累,選擇性介紹了幾種重要的光電子晶體材料的生長技術(shù)

    • ISBN:9787030748430
  • 氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用
    • 氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用
    • 徐科/2022-10-1/ 西安電子科技大學(xué)出版社/定價:¥128
    • 氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用正在快速發(fā)展,本書以作者所在團隊多年來的研究工作為基礎(chǔ),并作了大量擴展和補充,呈現(xiàn)了該領(lǐng)域的最新研究成果。具體來說,本書分八章內(nèi)容詳細介紹了氮化鎵單晶材料生長的基本原理、技術(shù)方法、發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用趨勢。本書系統(tǒng)性強,有較完整的專業(yè)知識講解,實驗數(shù)據(jù)豐富。雖然本書所涉及內(nèi)容沒有涵蓋氮化鎵單晶材料生長

    • ISBN:9787560664668
  • 脫硫石膏晶須水熱結(jié)晶調(diào)控技術(shù)
    • 脫硫石膏晶須水熱結(jié)晶調(diào)控技術(shù)
    • 汪瀟著/2022-8-1/ 冶金工業(yè)出版社/定價:¥79
    • 本書將礦物材料與固廢資源高效開發(fā)利用緊密結(jié)合,闡述了脫硫石膏在酸性低鹽溶液中水熱制備晶須涉及的理論與技術(shù)。內(nèi)容包括:無機鹽添加劑對脫硫石膏溶液組成和晶須制備的影響、晶須制備宏觀參數(shù)與微觀參數(shù)之間定量關(guān)系、脫硫石膏晶須水熱生長動力學(xué)、無機鹽陰陽離子作用機理、晶須晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化規(guī)律、脫硫石膏晶須綠色制備與應(yīng)用探索等。

    • ISBN:9787502492335
  • 液封提拉法晶體生長熱毛細對流穩(wěn)定性研究
    • 液封提拉法晶體生長熱毛細對流穩(wěn)定性研究
    • 莫東鳴著/2022-8-1/ 重慶大學(xué)出版社/定價:¥68
    • 本書介紹了液封提拉法生長晶體技術(shù)的特點及研究現(xiàn)狀、藍寶石單晶生長技術(shù)的現(xiàn)代趨勢和應(yīng)用進展,重點討論了基于液封提拉法制備藍寶石晶體、硅單晶的熱毛細對流的線性穩(wěn)定性分析方法,給出了微重力條件下、常重力條件下,5cSt硅油/HT-70、B2O3/藍寶石熔體工質(zhì)對在上部為自由表面的熱毛細對流、上部為自由表面的浮力-熱毛細對流、

    • ISBN:9787568935364
  • 氮化鎵晶體生長技術(shù)
    • 氮化鎵晶體生長技術(shù)
    • [日] 德克·埃倫特勞特,[德] 埃爾克·邁斯納,[波] 邁克爾·博科夫斯基 著,王黨會,許天旱 譯/2021-12-1/ 中國石化出版社/定價:¥88
    • 本書屬Springer材料科學(xué)系列教材之一,主要內(nèi)容涉及目前蓬勃發(fā)展的高亮度可見光LED及照明工程等相關(guān)領(lǐng)域。包含的內(nèi)容主要有:GaN體材料的應(yīng)用前景、GaN材料的鹵化物氣相外延生長技術(shù)、采用GaN籽晶技術(shù)生長GaN體材料、采用真空輔助技術(shù)生長自支撐GaN襯底、采用鹵化物氣相外延生長技術(shù)生長非極性與半極性GaN、GaN

    • ISBN:9787511465214
  • 晶體生長微觀機理及晶體生長邊界層模型
    • 晶體生長微觀機理及晶體生長邊界層模型
    • 殷紹唐/2020-8-1/ 科學(xué)出版社/定價:¥98
    • 傳統(tǒng)的晶體生長理論模型創(chuàng)建時,受時代限制,缺乏原位實時觀測晶體生長過程微觀結(jié)構(gòu)演化的實驗基礎(chǔ),難以真實、完整地反映晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書突破了晶體生長機理研究的傳統(tǒng)思維,采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射X射線衍射等現(xiàn)代觀測技術(shù),從微觀尺度上,原位實時觀測晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長時,

    • ISBN:9787030614322
  • 晶體生長的物理基礎(chǔ)
    • 晶體生長的物理基礎(chǔ)
    • 閔乃本/2019-11-1/ 南京大學(xué)出版社/定價:¥98
    • 本書用傳輸理論、熱力學(xué)、統(tǒng)計物理學(xué)和動力學(xué)理論系統(tǒng)地總結(jié)和解釋了晶體生長過程,著重討論了熔體生長特別是直拉法生長。結(jié)合溫場、溶質(zhì)分凝、液流效應(yīng)等問題做了仔細的分析并給出相應(yīng)的物理解釋。對不同生長系統(tǒng)中的的生長動力學(xué)采用統(tǒng)一的觀點加以闡述。本書是一本全面論述晶體生長理論的專著,既可作為高等院校學(xué)生和研究有關(guān)晶體生長課程的

    • ISBN:9787305225369
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