楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導(dǎo)體材料(第3版)》是為大學(xué)本科與半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機(jī)理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/

本書主要以異質(zhì)結(jié)雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運(yùn)器件、量子結(jié)構(gòu)激光器、量子結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器和量子結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對(duì)自旋電子器件、單分子器件和量子計(jì)算機(jī)等內(nèi)容進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。

《集成電路中的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件（英文版）》主要介紹與集成電路相關(guān)的主流半導(dǎo)體器件的基本原理，包括PN結(jié)二極管、MOSFET器件和雙極型晶體管（BJT），同時(shí)介紹了與這些半導(dǎo)體器件相關(guān)的集成工藝制造技術(shù)�！都�成電路中的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件（英文版）》作者是美國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士，多年從事半導(dǎo)體器件與集成電路領(lǐng)域的前沿

《有機(jī)電子學(xué)》從有機(jī)電子學(xué)的角度，深入淺出地概括總結(jié)了有機(jī)電子材料中的電子結(jié)構(gòu)與過(guò)程，并以此解釋了有機(jī)固體凝聚態(tài)的各種性質(zhì)。這些性質(zhì)對(duì)實(shí)際應(yīng)用中的有機(jī)光電器件的行為起決定性的作用�；�于對(duì)理論的理解，《有機(jī)電子學(xué)》緊接著介紹了有機(jī)材料性質(zhì)的測(cè)試表征手段以及有機(jī)薄膜的制備手段。同時(shí)將理論與實(shí)踐相結(jié)合，書中相繼介紹和討論了有

《半導(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程》力圖用最簡(jiǎn)明、準(zhǔn)確的語(yǔ)言，介紹典型半導(dǎo)體器件的核心知識(shí)，主要包括半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、pn結(jié)、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件�！栋雽�(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程》在闡明基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，還介紹了微電子領(lǐng)域的一些新技術(shù)，如應(yīng)變異質(zhì)結(jié)、能帶工程、量子阱激光器等。《

《半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)》是普通高等教育“十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材《半導(dǎo)體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學(xué)輔導(dǎo)資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬一半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移

孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導(dǎo)體器件物理》是普通高等教育“十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材。本書介紹了常用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、主要性能和基本工藝技術(shù)。全書內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移器

本書的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用，半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料（第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料）物理表征的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實(shí)驗(yàn)技術(shù)，如LEED，