隨著先進(jìn)的集成電路工藝節(jié)點(diǎn)不斷向納米級推進(jìn)，對半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點(diǎn)介紹電子納米器件，包括準(zhǔn)一維電子氣、強(qiáng)電子相關(guān)的測量、量子點(diǎn)的熱電特性、單電子源、量子電流標(biāo)準(zhǔn)、電子量子光學(xué)、噪聲測量、拓?fù)浣^緣體納米帶、硅量子比特器件等；后半部分介紹光電子納米器件，包括半導(dǎo)體量子點(diǎn)單光子源的電學(xué)控制、量子點(diǎn)太陽能電池、量子點(diǎn)激光器、納米線激光器，以及氮化物單光子源等內(nèi)容。本

本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級大批量制造方面的獨(dú)特經(jīng)驗，增加了關(guān)于接近式曝光方面的全新內(nèi)容，同時更新并擴(kuò)展了曝光系統(tǒng)、成像、曝光-離焦（E-D）法、硬件組件、工藝和優(yōu)化以及EUV光刻和浸沒式光刻等方面的資料。本書可供半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域的工程師、管理者以

本書是由高校光電專業(yè)負(fù)責(zé)人與光電龍頭企業(yè)的高級工程師、掌握世界最新光電前沿技術(shù)的海歸博士組成的編寫團(tuán)隊編寫而成，具有前沿技術(shù)與基礎(chǔ)理論并重、理論聯(lián)系實際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產(chǎn)業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學(xué)習(xí)使用。全書內(nèi)容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎(chǔ)理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LED散熱仿真軟件；第4章，LED散熱材料；第5章，各種LED散熱技術(shù)；第6章，LED熱阻及熱場檢測技術(shù)；第7章，LED散熱案例分析。

在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當(dāng)下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計、制造工藝的學(xué)習(xí)參考書�！稑O簡圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細(xì)介紹了ISI的開發(fā)與設(shè)計、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使讀者全面了解集成電路芯片的設(shè)計技術(shù)、制造工藝和測試、封裝技術(shù)。最后，介紹了代表性半導(dǎo)體元件以及半導(dǎo)體工藝的發(fā)展極限。本書面向電子技術(shù)，特別

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應(yīng)進(jìn)行圖形化直觀展示，并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外，還對小尺寸場效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實際業(yè)界對策進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生在學(xué)習(xí)完半導(dǎo)體物理知識后，進(jìn)一步學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件工作原理之用；也可作為集成電路相關(guān)專業(yè)研究生的研究工作參考書，還可作為集成電路代工廠或電路設(shè)計從業(yè)人員的專業(yè)參考書。

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、宏觀性質(zhì)間的聯(lián)系。第二部分則主要圍繞實際晶體中各種雜志與缺陷態(tài)對晶體性能的影響撰寫。第二部分?jǐn)M分為四章撰寫，第六至八章分別重點(diǎn)介紹晶體中三個維度的缺陷類型，包括點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺

本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設(shè)計、混沌信號分析、隨機(jī)數(shù)提取等問題進(jìn)行研究，從理論上對超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實踐上實現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評估。

本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等，并詳細(xì)介紹了測試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)等；重點(diǎn)從測試標(biāo)準(zhǔn)、方法、理論和實際應(yīng)用各方面，詳細(xì)介紹了高溫可靠性測試和封裝可靠性測試及其難點(diǎn)。本書結(jié)合企業(yè)實際需求，貼近工業(yè)實踐，知識內(nèi)容新穎，可為工業(yè)界以及高校提供前沿數(shù)據(jù)，

半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科，是信息、新能源（半導(dǎo)體照明、太陽能光伏）等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書共15章，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù)，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料）的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，闡述了化合物半導(dǎo)體（包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料和氧化物半導(dǎo)體材料）的制備技術(shù)和基本性質(zhì)，還闡述了有機(jī)半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體量子點(diǎn)（量子阱）等新型半導(dǎo)體材料的制備和性質(zhì)。本書配套MOOC在線課程、

本書內(nèi)容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實際應(yīng)用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)理論及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應(yīng)用等，緊接著介紹了薄膜厚度的測量、薄膜分析檢測技術(shù)等方面的內(nèi)容，最后詳細(xì)闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線的具體工藝流程。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實踐性強(qiáng)，在強(qiáng)化理論的同時，重點(diǎn)突出了工程應(yīng)用，賄很強(qiáng)的實用性。