對(duì)于任何光學(xué)系統(tǒng)來說，光學(xué)薄膜，即由一定數(shù) 量的單獨(dú)膜層所構(gòu)成的多層膜堆棧，都是實(shí)現(xiàn)光學(xué)表 面特性裁剪所必不可少的組成部分。而光學(xué)薄膜的性 能則取決于各層薄膜的材料以及定義膜系排布的幾何 參數(shù)(如膜厚)這二者之間是否取得良好的平衡關(guān)系。
在所有面向光學(xué)薄膜性能的科學(xué)書籍中，都主要關(guān)注 于如何優(yōu)化薄膜的幾何參數(shù)，特別是膜層的數(shù)量和每 個(gè)膜層的厚度。但同時(shí)卻對(duì)薄膜設(shè)計(jì)中所存在的另一 種自由度關(guān)注甚少，而這種自由度能夠使我們獲得面 向給定的指標(biāo)進(jìn)行優(yōu)化并對(duì)光學(xué)材料特性實(shí)現(xiàn)量身定 制的可能性。因此，與其他相關(guān)的參考書籍不同，本 書的重點(diǎn)在于介紹與薄膜光學(xué)性能相關(guān)的材料方面的 問題。
奧拉夫·斯騰澤爾編*的《光學(xué)薄膜材料的理論 與實(shí)踐》在全面地評(píng)述了薄膜理論的基礎(chǔ)、傳統(tǒng)光學(xué) 鍍膜材料的特性，以及這些特性之間的關(guān)聯(lián)等因素對(duì) 薄膜設(shè)計(jì)方法的效率所產(chǎn)生的影響之后，重點(diǎn)介紹了 將材料混合物與納米結(jié)構(gòu)應(yīng)用于光學(xué)薄膜的理論與實(shí) 踐中所獲得的*新成果，其中包括多孔膜層、介質(zhì)混 合物，以及面向不同應(yīng)用的金屬島狀薄膜。
第1章 引言
1.1 概述
1.2 薄膜物理與固體物理
1.3 小議光學(xué)薄膜制備
1.3.1 PVD和CVD技術(shù)
1.3.2 關(guān)于PIAD的一些考慮
1.3.3 睜性關(guān)聯(lián)
1.4 本書的內(nèi)容與組織結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
第一部分 基礎(chǔ)篇
第2章 光學(xué)常數(shù)的基本知識(shí)
2.1 線性光學(xué)的基本經(jīng)典色散模型
2.2 介電函數(shù)的解析性質(zhì)
2.3 經(jīng)典圖像下的光學(xué)常數(shù)與質(zhì)量密度
2.4 經(jīng)常用于薄膜表征實(shí)踐的其他色散模型：經(jīng)典以及高級(jí)模型
2.4.1 基本評(píng)述
2.4.2 Brendel模型
2.4.3 TaucLorent，z模型
2.4.4 CodyLorentz模型
2.4.5 Forouhi Bloomer、模型
2.5 材料混合物
2.5.1 總體思路
2.5.2 Maxwell Garnett(MG)方法
2.5.3 Lorentz-Lorenz(LL)方法
2.5.4 等效介質(zhì)近似(EHA)或Bruggeman方法
2.5.5 基于Maxwell Garnett(HG)方法的一個(gè)模型計(jì)算
參考文獻(xiàn)
第3章 平面界面
3.1 菲涅耳公式
3.2 真實(shí)的薄膜，真實(shí)的表面
3.2.1 一些試驗(yàn)結(jié)果
3.2.2 光學(xué)各向同性評(píng)述
3.2.3 光學(xué)不均勻性評(píng)述
3.2.4 表面粗糙度評(píng)述
3.3 突變界面與連續(xù)形貌的對(duì)比
3.4 強(qiáng)度系數(shù)
參考文獻(xiàn)
第4章 薄膜、基底和多層膜
4.1 單層膜
4.1.1 通用方程
4.1.2 半波長膜層
4.1.3 1／4波長膜層
4.1.4 存在微弱折射率梯度的膜層(正入射情形下)
4.2 基底
4.3 基底上的單層膜
4.4 多層膜
4.5 范例
4.5.1 均勻的1／4波長和半波長膜層
4.5.2 1／4波長雙層膜系
4.5.3 1／4波長(0W)膜堆
4.5.4 布拉格反射鏡
4.5.5 皺褶濾光片
4.5.6 窄帶濾光片(NBP)
參考文獻(xiàn)
……
第二部分 逆向搜索過程
第5章 薄膜光學(xué)常數(shù)的試驗(yàn)確定
第6章 膜系設(shè)計(jì)中的材料問題
第三部分 用于紫外/可見波段應(yīng)用的基本鍍膜材料
第7章 氧化物薄膜：多孔薄膜與致密薄膜
第8章 其他紫外/可見波段的鍍膜材料
第四部分 亞波長和納米結(jié)構(gòu)薄膜
第9章 異構(gòu)薄膜：概述
第10章 強(qiáng)烈多孔材料和表面結(jié)構(gòu)
第11章 電介質(zhì)混合物
第12章 金屬島狀薄膜
第13章結(jié)束語
附錄A
附錄B
附錄C
附錄D
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