本書是新型傳感器行業(yè)的專利分析報(bào)告。報(bào)告從該行業(yè)的專利(國(guó)內(nèi)、國(guó)外)申請(qǐng)、授權(quán)、申請(qǐng)人的已有專利狀態(tài)、其他先進(jìn)國(guó)家的專利狀況、同領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)的專利壁壘等方面入手,充分結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù),展開分析,并得出分析結(jié)果。本書是了解該行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀并預(yù)測(cè)未來走向,幫助企業(yè)做好專利預(yù)警的必備工具書。
“十二五”期間,“專利分析普及推廣項(xiàng)目”每年選擇若干行業(yè)開展專利分析研究,推廣專利分析成果,普及專利分析方法。《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》(第1~38冊(cè))自出版以來,受到各行業(yè)廣大讀者的廣泛歡迎,有力推動(dòng)了各產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和轉(zhuǎn)型升級(jí)。
2015年度“專利分析普及推廣項(xiàng)目”繼續(xù)秉承“源于產(chǎn)業(yè)、依靠產(chǎn)業(yè)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)”的工作原則,兼顧“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”背景下課題成果的普惠性,在綜合考慮來自行業(yè)主管部門、行業(yè)協(xié)會(huì)、創(chuàng)新主體的眾多需求后,最終選定了10個(gè)產(chǎn)業(yè)開展專利分析研究工作。這10個(gè)產(chǎn)業(yè)包括風(fēng)力發(fā)電機(jī)組、高端通用芯片、糖尿病藥物、高性能子午線輪胎、碳纖維復(fù)合材料、石墨烯電池、高性能汽車涂料、新型傳感器、基因測(cè)序技術(shù)以及高速動(dòng)車組和高鐵安全監(jiān)控技術(shù),均屬于我國(guó)科技創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型的核心產(chǎn)業(yè)。近一年來,約150名專利審查員參與課題研究,歷時(shí)6個(gè)月,對(duì)10個(gè)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行深入分析,幾經(jīng)易稿,形成了10份內(nèi)容實(shí)、質(zhì)量高、特色多、緊扣行業(yè)需求的專利分析報(bào)告,共計(jì)400多萬字、兩千余幅圖表。
2015年度的《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》在加強(qiáng)方法創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步深化了申請(qǐng)人合作、專利運(yùn)營(yíng)、外觀設(shè)計(jì)、產(chǎn)品專利、技術(shù)路線、技術(shù)差異等多個(gè)方面的研究,并在課題研究中得到了充分的應(yīng)用和驗(yàn)證。例如,高性能子午線輪胎課題組通過研究發(fā)現(xiàn)了美國(guó)和日本申請(qǐng)人互相要求專利優(yōu)先權(quán)達(dá)成聯(lián)盟的新方式;新型傳感器課題組在初創(chuàng)企業(yè)利用專利成長(zhǎng)的路徑方面作出了嘗試;碳纖維復(fù)合材料課題組對(duì)寶馬i3進(jìn)行了產(chǎn)品專利剖析,找出了國(guó)內(nèi)企業(yè)可借鑒專利和風(fēng)險(xiǎn)專利;高速動(dòng)車組和高鐵安全監(jiān)控技術(shù)課題組找出了我國(guó)與其他高鐵強(qiáng)國(guó)的專利技術(shù)差異。
2015年度“專利分析普及推廣項(xiàng)目”的研究得到了社會(huì)各界的廣泛關(guān)注和大力支持。例如,中國(guó)工程院院士杜善義先生、中國(guó)鐵道科學(xué)研究院首席研究員黃強(qiáng)先生、中國(guó)電子企業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)董云庭先生等專家多次參與課題評(píng)審和指導(dǎo)工作,對(duì)課題成果給予較高評(píng)價(jià)。來自社會(huì)各界的近百名行業(yè)和技術(shù)專家多次指導(dǎo)課題工作,為課題順利開展作出了貢獻(xiàn)。課題研究也得到了工業(yè)和信息化部相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)的重視,特別是工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司副司長(zhǎng)潘愛華先生和科技司基礎(chǔ)技術(shù)處副處長(zhǎng)阮汝祥先生多次親臨指導(dǎo)。《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》(第39~48冊(cè))凝聚社會(huì)各界智慧,旨在服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。希望各地方政府、各相關(guān)行業(yè)、相關(guān)企業(yè)以及科研院所能夠充分發(fā)掘?qū)@治鰣?bào)告的應(yīng)用價(jià)值,為專利信息利用提供工作指引,為行業(yè)政策研究提供有益參考,為行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新提供有效支撐。
由于報(bào)告中專利文獻(xiàn)的數(shù)據(jù)采集范圍和專利分析工具的限制,加之研究人員水平有限,報(bào)告的數(shù)據(jù)、結(jié)論和建議僅供社會(huì)各界借鑒研究。
第1章概況
1.1研究背景
1.1.1技術(shù)發(fā)展概況
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對(duì)象和方法
1.2.1研究對(duì)象
1.2.2研究方法
1.2.3相關(guān)事項(xiàng)和約定
第2章CMOS圖像傳感器
2.1CMOS圖像傳感器專利總體態(tài)勢(shì)
2.1.1申請(qǐng)趨勢(shì)
2.1.2原創(chuàng)/目標(biāo)國(guó)或地區(qū)分布
2.1.3申請(qǐng)人分析
2.2重要申請(qǐng)人——索尼
2.2.1申請(qǐng)趨勢(shì)
2.2.2產(chǎn)品相關(guān)核心專利布局
2.2.3堆疊式背照技術(shù)
2.2.4索尼專利申請(qǐng)撰寫策略
2.3背照式CMOS圖像傳感器
2.3.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
2.3.2技術(shù)分布
2.3.3中國(guó)專利有效性
2.3.4申請(qǐng)人分析
2.3.5技術(shù)功效分析
2.4核心專利技術(shù)
2.4.1解決減小暗電流問題
2.4.2解決抗串?dāng)_問題
2.4.3技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)
2.5本章小結(jié)
第3章柔性壓力傳感器
3.1柔性壓力傳感器專利總體態(tài)勢(shì)
3.2應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.3電子皮膚技術(shù)
3.3.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
3.3.2專利區(qū)域分布
3.3.3申請(qǐng)人分析
3.3.4技術(shù)生命周期
3.3.5電子皮膚技術(shù)發(fā)展路線
3.4電子皮膚應(yīng)用技術(shù)
3.4.1典型應(yīng)用技術(shù)解析
3.4.2技術(shù)功效分析
3.4.3主要產(chǎn)品及專利布局分析
3.5本章小結(jié)/
第4章光子型紅外傳感器
4.1光子型紅外傳感器專利總體態(tài)勢(shì)
4.1.1申請(qǐng)趨勢(shì)
4.1.2專利區(qū)域分布
4.1.3申請(qǐng)人分析
4.2多波段光子型紅外傳感器
4.2.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
4.2.2技術(shù)發(fā)展路線
4.2.3技術(shù)功效分析
4.2.4重要專利分析
4.3重要申請(qǐng)人——SOFRADIR
4.3.1碲鎘汞紅外傳感器技術(shù)路線
4.3.2SOFRADIR軍民融合策略
4.3.3中國(guó)軍民融合策略
4.4本章小結(jié)
第5章陀螺儀
5.1陀螺儀技術(shù)專利總體態(tài)勢(shì)
5.2MEMS陀螺儀
5.2.1專利申請(qǐng)趨勢(shì)
5.2.2專利區(qū)域分布
5.2.3申請(qǐng)人分析
5.3正交誤差補(bǔ)償技術(shù)
5.3.1技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
5.3.2申請(qǐng)趨勢(shì)
5.3.3專利區(qū)域分布
5.3.4申請(qǐng)人分析
5.3.5專利布局分析
5.4初創(chuàng)公司成功之道——InvenSense
5.4.1InvenSense專利概況
5.4.2重要專利技術(shù)
5.4.3研發(fā)團(tuán)隊(duì)
5.4.4申請(qǐng)策略
5.4.5專利布局
5.4.6技術(shù)路線
5.4.7企業(yè)并購(gòu)
5.5本章小結(jié)
第6章MEMS制造工藝
6.1MEMS制造工藝專利總體態(tài)勢(shì)
6.1.1申請(qǐng)趨勢(shì)
6.1.2技術(shù)構(gòu)成
6.1.3專利區(qū)域分布
6.1.4申請(qǐng)人分析
6.2硅通孔工藝
6.2.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
6.2.2專利區(qū)域分布
6.2.3申請(qǐng)人分析
6.2.4技術(shù)發(fā)展路線
6.2.5技術(shù)功效分析
6.2.6重要專利分析
6.3重要申請(qǐng)人——臺(tái)積電
6.3.1公司概況
6.3.2專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
6.3.3多角度解決封裝應(yīng)力問題
6.3.4扇出晶圓級(jí)封裝核心技術(shù)
6.3.5商業(yè)秘密與專利保護(hù)
6.4MEMS工藝標(biāo)準(zhǔn)化的突破口
6.4.1CMOS-MEMS融合工藝概況
6.4.2重要專利分析
6.4.3重點(diǎn)產(chǎn)品分析
6.5本章小結(jié)
第7章主要結(jié)論
7.1技術(shù)創(chuàng)新
7.2知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)
7.3企業(yè)運(yùn)營(yíng)戰(zhàn)略
圖索引
表索引