“十二五”期間，專利分析普及推廣項(xiàng)目每年選擇若干行業(yè)開展專利分析研究，推廣專利分析成果，普及專利分析方法。自《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》第（1~38冊(cè)）自出版以來，受到各行業(yè)廣大讀者的廣泛歡迎，有力推動(dòng)了各產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和轉(zhuǎn)型升級(jí)。2015年度“專利分析普及推廣項(xiàng)目”繼續(xù)秉承“源于產(chǎn)業(yè)、依靠產(chǎn)業(yè)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)”的工作原則，兼顧“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”背景下課題成果的普惠性，在綜合考慮來自行業(yè)主管部門、行業(yè)協(xié)會(huì)、創(chuàng)新主體的眾多需求后，最終選定了10個(gè)產(chǎn)業(yè)開展專利分析研究工作。這10個(gè)產(chǎn)業(yè)包括風(fēng)力發(fā)電機(jī)組、高端通用芯片、糖尿病藥物、高性能子午線輪胎、碳纖維復(fù)合材料、石墨烯電池、高性能汽車涂料、新型傳感器、基因測(cè)序技術(shù)以及高速動(dòng)車組和高鐵安全監(jiān)控技術(shù)，均屬于我國(guó)科技創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型的核心產(chǎn)業(yè)。近一年來，約150名專利審查員參與課題研究，歷時(shí)6個(gè)月，對(duì)10個(gè)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行深入分析，幾經(jīng)易稿，形成了10份內(nèi)容實(shí)、質(zhì)量高、特色多、緊扣行業(yè)需求的專利分析報(bào)告，共計(jì)400多萬字、兩千余幅圖表。2015年度的《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》在加強(qiáng)方法創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步深化了申請(qǐng)人合作、專利運(yùn)營(yíng)、外觀設(shè)計(jì)、產(chǎn)品專利、技術(shù)路線、技術(shù)差異等多個(gè)方面的研究，并在課題研究中得到了充分的應(yīng)用和驗(yàn)證。例如，高性能子午線輪胎課題組通過研究發(fā)現(xiàn)了美國(guó)和日本申請(qǐng)人互相要求專利優(yōu)先權(quán)達(dá)成聯(lián)盟的新方式；新型傳感器課題組在初創(chuàng)企業(yè)利用專利成長(zhǎng)的路徑方面作出了嘗試；碳纖維復(fù)合材料課題組對(duì)寶馬i3進(jìn)行了產(chǎn)品專利剖析，找出了國(guó)內(nèi)企業(yè)可借鑒專利和風(fēng)險(xiǎn)專利；高速動(dòng)車組和高鐵安全監(jiān)控技術(shù)課題組找出了我國(guó)與其他高鐵強(qiáng)國(guó)的專利技術(shù)差異。2015年度“專利分析普及推廣項(xiàng)目”的研究得到了社會(huì)各界的廣泛關(guān)注和大力支持。例如，中國(guó)工程院院士杜善義先生、中國(guó)鐵道科學(xué)研究院首席研究員黃強(qiáng)先生、中國(guó)電子企業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)董云庭先生等專家多次參與課題評(píng)審和指導(dǎo)工作，對(duì)課題成果給予較高評(píng)價(jià)。來自社會(huì)各界的近百名行業(yè)和技術(shù)專家多次指導(dǎo)課題工作，為課題順利開展作出了貢獻(xiàn)。課題研究也得到了工業(yè)和信息化部相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)的重視，特別是工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司副司長(zhǎng)潘愛華先生和科技司基礎(chǔ)技術(shù)處副處長(zhǎng)阮汝祥先生多次親臨指導(dǎo)。《產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告》（第39~48冊(cè)）凝聚社會(huì)各界智慧，旨在服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。希望各地方政府、各相關(guān)行業(yè)、相關(guān)企業(yè)以及科研院所能夠充分發(fā)掘?qū)＠�分析�?bào)告的應(yīng)用價(jià)值，為專利信息利用提供工作指引，為行業(yè)政策研究提供有益參考，為行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新提供有效支撐。由于報(bào)告中專利文獻(xiàn)的數(shù)據(jù)采集范圍和專利分析工具的限制，加之研究人員水平有限，報(bào)告的數(shù)據(jù)、結(jié)論和建議僅供社會(huì)各界借鑒研究。

第1章前言/

1.1研究背景/

1.1.1技術(shù)概況/

1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀/

1.1.3行業(yè)需求/

1.2研究對(duì)象和方法/

1.2.1數(shù)據(jù)檢索/

1.2.2查全查準(zhǔn)率評(píng)估/

1.2.3相關(guān)事項(xiàng)約定/

第2章新型高密度隨機(jī)存取存儲(chǔ)器/

2.1新型高密度隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)概況/

2.2MRAM專利分析/

2.2.1MRAM技術(shù)概況/

2.2.2全球?qū)＠�申�?qǐng)狀況/

2.2.3中國(guó)專利申請(qǐng)狀況/

2.2.4關(guān)鍵技術(shù)分析/

2.2.5重要申請(qǐng)人分析/

2.2.6小結(jié)/

2.3RRAM專利分析/

2.3.1RRAM技術(shù)概況/

2.3.2全球?qū)＠�申�?qǐng)狀況/

2.3.3中國(guó)專利申請(qǐng)狀況/

2.3.4小結(jié)/

2.4FRAM專利分析/

2.4.1全球?qū)＠�申�?qǐng)狀況/

2.4.2中國(guó)專利申請(qǐng)狀況/

2.4.3小結(jié)/

2.5PRAM專利分析/

2.5.1技術(shù)概況/

2.5.2全球?qū)＠�申�?qǐng)狀況/

2.5.3中國(guó)專利申請(qǐng)狀況/

2.5.4小結(jié)/

2.6本章小結(jié)/

目錄產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告（第40冊(cè)）第3章16nm/14nm技術(shù)專利分析/

3.1技術(shù)概況/

3.1.1FinFET/

3.1.2EUV光刻技術(shù)/

3.1.33D集成技術(shù)/

3.1.43D集成熱管理技術(shù)/

3.2FinFET/

3.2.1全球?qū)＠�申�?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.2.2中國(guó)專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.2.3FinFET技術(shù)路線/

3.2.4英特爾與中芯國(guó)際的技術(shù)比較/

3.2.5小結(jié)/

3.3EUV光刻技術(shù)/

3.3.1全球?qū)＠�申�?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.3.2中國(guó)專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.3.3EUV技術(shù)路線/

3.3.4小結(jié)/

3.43D集成技術(shù)/

3.4.1全球?qū)＠�申�?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.4.2中國(guó)專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分布/

3.4.33D集成TSV技術(shù)分析/

3.4.4小結(jié)/

3.53D集成熱管理技術(shù)/

3.5.1熱管理技術(shù)概況/

3.5.2全球?qū)＠�申�?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.5.3中國(guó)專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

3.5.4國(guó)際專利技術(shù)發(fā)展路線分析/

3.5.5中國(guó)專利技術(shù)發(fā)展路線分析/

3.5.6小結(jié)/

3.6本章小結(jié)/

第4章CPU指令系統(tǒng)專利分析/

4.1CPU指令系統(tǒng)綜述/

4.1.1技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀/

4.1.2產(chǎn)業(yè)鏈位置/

4.1.3小結(jié)/

4.2全球?qū)＠�申�?qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

4.2.1總體申請(qǐng)趨勢(shì)分析/

4.2.2區(qū)域分布分析/

4.2.3原創(chuàng)分布分析/

4.2.4申請(qǐng)流向分析/

4.2.5主要申請(qǐng)人分析/

4.3中國(guó)專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

4.3.1總體申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

4.3.2技術(shù)構(gòu)成分析/

4.3.3國(guó)別分析/

4.3.4主要申請(qǐng)人分析/

4.3.5區(qū)域分布分析/

4.4英特爾/

4.4.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

4.4.2重點(diǎn)技術(shù)主題分析/

4.4.3法律狀態(tài)分析/

4.4.4發(fā)明人分析/

4.4.5技術(shù)發(fā)展路線分析/

4.4.6專利申請(qǐng)熱點(diǎn)分析/

4.4.7重點(diǎn)專利分析/

4.5ARM/

4.5.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)分析/

4.5.2重點(diǎn)技術(shù)主題分析/

4.5.3地域分布分析/

4.5.4技術(shù)發(fā)展路線分析/

4.5.5專利申請(qǐng)熱點(diǎn)分析/

4.5.6重點(diǎn)專利分析/

4.6小結(jié)/

第5章結(jié)論和建議/

5.1新型高密度存儲(chǔ)器領(lǐng)域/

5.1.1MRAM/

5.1.2RRAM/

5.1.3FRAM/

5.1.4PRAM/

5.216nm/14nm技術(shù)領(lǐng)域/

5.2.1FinFET/

5.2.2EUV光刻技術(shù)/

5.2.33D集成技術(shù)/

5.2.43D集成熱管理技術(shù)/

5.3CPU指令系統(tǒng)領(lǐng)域/

5.3.1專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)/

5.3.2CPU指令系統(tǒng)未來的發(fā)展/