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太陽電池材料(第二版)
太陽能光電方面的研究和應(yīng)用在全世界范圍內(nèi)方興未艾,相關(guān)太陽能光電工業(yè)發(fā)展迅速,是令人矚目的朝陽產(chǎn)業(yè)。本書介紹了太陽能及光電轉(zhuǎn)換的基本原理、太陽電池的基本結(jié)構(gòu)和工藝,著重從材料制備和性能的角度出發(fā),闡述了主要的太陽能光電材料的基本制備原理、制備技術(shù)以及材料結(jié)構(gòu)、組成對太陽電池的影響。太陽能光電材料包括直拉單晶硅、鑄造多晶硅、帶硅、非晶硅、多晶硅薄膜、GaAs半導(dǎo)體材料、CdTe和CdS薄膜材料、CuInSe2(CuInS2)薄膜材料等。
原書第一版出版后十年時(shí)間里,太陽電池材料的技術(shù)發(fā)展非常迅速,支撐著太陽電池效率的不斷提升和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模的不斷擴(kuò)大。因此,有些知識(shí)需要更新,有些知識(shí)需要增加。這些都在本書第二版中得到充分反映。這本《太陽電池材料》(第二版)將繼續(xù)伴隨著廣大讀者,親歷我國太陽能光伏行業(yè)的不斷進(jìn)步與發(fā)展。 本書可供大專院校的半導(dǎo)體材料與器件、材料科學(xué)與工程以及太陽能光伏等能源領(lǐng)域的師生作為教學(xué)參考書,也可供從事相關(guān)研究和開發(fā)的太陽能相關(guān)行業(yè)科技工作者和企業(yè)工程師參考。
適讀人群 :本書可供大專院校的半導(dǎo)體材料與器件、材料科學(xué)與工程以及太陽能光伏等能源領(lǐng)域的師生作為教學(xué)參考書,也可供從事相關(guān)研究和開發(fā)的太陽能相關(guān)行業(yè)科技工作者和企業(yè)工程師參考。
本書全面介紹太陽電池技術(shù),為從業(yè)人員提供切實(shí)可靠的幫助。本書初版在社會(huì)和讀者中產(chǎn)生了積極反響,并在中國臺(tái)灣地區(qū)出版、發(fā)行。
前言
《太陽電池材料》第一版自2007年1月出版以來,恰逢國內(nèi)外光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,特別是國內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅猛增長,不少科技人員以及在校大學(xué)生、研究生加入到了中國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的隊(duì)伍之中,大家迫切需要一本合適的參考書。因此,本書第一版的及時(shí)出版為相關(guān)研究人員、開發(fā)人員和在校師生提供了較為實(shí)用的參考資料,為迅速進(jìn)入光伏產(chǎn)業(yè)提供了有益的幫助。 承蒙廣大讀者關(guān)心和厚愛,本書第一版在社會(huì)和讀者中產(chǎn)生了積極反響,本書曾經(jīng)多次重印。該書還被評為第十屆中國石油和化學(xué)工業(yè)優(yōu)秀科技圖書一等獎(jiǎng),并在中國臺(tái)灣地區(qū)出版、發(fā)行。 過去的10年,對太陽能光伏產(chǎn)業(yè)而言,是“黃金十年”。2006年全球的太陽能光伏電池的安裝量約為1.6GW,而2015年則達(dá)到50GW,是10年前的30多倍,其復(fù)合增長率達(dá)到47%以上。到2015年,全球累計(jì)太陽能光伏裝機(jī)容量超過227GW,其發(fā)展速度超過了集成電路,成為世界上最具有發(fā)展前景的朝陽工業(yè)之一。而在過去的10年中,我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)從小到大、從弱變強(qiáng),其應(yīng)用幾乎是從到有,快速發(fā)展;到2015年,論是太陽能光伏電池、組件產(chǎn)量,還是太陽能光伏的年安裝總量,我國已經(jīng)居于世界第一位。 過去的10年,太陽電池材料的技術(shù)發(fā)展也非常迅速,支撐著太陽電池效率的不斷提升和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模的不斷擴(kuò)大。因此,有些知識(shí)需要更新,有些知識(shí)需要增加。正因如此,在化學(xué)工業(yè)出版社編輯的不斷鞭策和支持下,作者再次努力將本書第二版呈現(xiàn)給讀者。希望得到讀者的批評、指正。 本書出版之時(shí),我的先生中國科學(xué)院院士闕端麟教授還為本書寫了序,對作者和本書多有鼓勵(lì)和期待。但在2014年冬,闕先生溘然仙逝,再也見不到本書第二版的出版,令人限懷念。再版此書,以表深切的思念! 由于時(shí)間關(guān)系,書中疏漏與不足在所難免,敬請國內(nèi)、國外同行多加指正。 楊德仁 2017年7月于求是園 第一版前言 太陽能是一種重要的、有效的、可再生清潔能源,其儲(chǔ)量巨大,取之不盡,用之不竭,沒有環(huán)境污染,充滿了誘人的前景。廣義上講,太陽能的利用包括間接利用和直接利用。間接利用是指光合作用、風(fēng)能、潮汐和海洋溫差發(fā)電等;而直接利用則主要分為兩方面,即光熱效應(yīng)和光電效應(yīng)。光熱效應(yīng)是將太陽能的能量集聚起來,轉(zhuǎn)換成熱能,如正在我國城鄉(xiāng)廣泛推廣的太陽能熱水器、太陽能灶等,這也包括將太陽能轉(zhuǎn)換成熱能后,利用熱能發(fā)電。光電效應(yīng)則是將太陽能通過太陽電池,轉(zhuǎn)換成電能,這種光電轉(zhuǎn)換主要借助于半導(dǎo)體器件的光生伏特效應(yīng)進(jìn)行,應(yīng)用于空間站、人造衛(wèi)星以及遙遠(yuǎn)地區(qū)的供電、輸油輸氣管路的保護(hù)等方面,并且已經(jīng)建成太陽能電站以并網(wǎng)發(fā)電。 自1954年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室研制成功光電轉(zhuǎn)換效率6%的實(shí)用型單晶硅太陽電池以來,太陽能光電技術(shù)由于可靠性高、壽命長且能承受各種環(huán)境變化等優(yōu)點(diǎn),在民用、軍事和高科技領(lǐng)域逐漸成為重要的“綠色”能源。特別是20世紀(jì)70年代能源危機(jī)爆發(fā)以來,各國政府努力發(fā)展和扶持太陽能光電材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用,如美國的“陽光計(jì)劃”、“百萬屋頂計(jì)劃”,日本的“陽光計(jì)劃”、“月光計(jì)劃”、“朝日計(jì)劃”以及德國的“十萬屋頂計(jì)劃”等。目前太陽能光電方面的研究和應(yīng)用在全世界范圍內(nèi)方興未艾,相關(guān)的太陽能光電工業(yè),又稱光伏(photovoltaic)工業(yè)發(fā)展迅速,90年代以來一直以30%~40%的速度上升,在2004年甚至達(dá)到60%的增長速度,成為非常令人矚目的朝陽產(chǎn)業(yè)。 太陽能光電轉(zhuǎn)換的研究和應(yīng)用可追溯到1839年。A.E.Becquerel用光輻照電解池中的銀電極時(shí),發(fā)現(xiàn)有電壓出現(xiàn)。1877年,W.Adams和R.Day也發(fā)現(xiàn),用光照射硒時(shí)會(huì)有電流產(chǎn)生。直到1949年,W.Shockley等發(fā)明了晶體管和解釋了p-n結(jié)的工作原理后,太陽能光電轉(zhuǎn)換的研究才真正開始。1954年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的D.M.Chapin、C.S.Fuller和G.L.Pearson在晶體硅的基礎(chǔ)上發(fā)明了第一種實(shí)際意義上的太陽電池,其光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了6%。隨后的研究進(jìn)展迅速,太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率很快達(dá)到10%。太陽電池首先應(yīng)用于空間領(lǐng)域,為人造衛(wèi)星提供電力能源。 目前,太陽能光電研究和應(yīng)用取得了許多重大進(jìn)展,例如,與單晶硅材料相比,價(jià)格低廉的利用鑄造方法制備的鑄造多晶硅材料的應(yīng)用、帶狀多晶硅材料的生產(chǎn)、低成本的絲網(wǎng)印刷等技術(shù)的發(fā)明都大大推動(dòng)了太陽能光電技術(shù)的研究和進(jìn)展。目前,單晶硅太陽電池產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)換效率已超過16%,實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率超過24%。 高的光電轉(zhuǎn)換效率和低的生產(chǎn)成本是太陽能光電工業(yè)和研究界始終追求的目標(biāo),這也是太陽能發(fā)電能否與其他能源技術(shù)相競爭的關(guān)鍵問題。顯然,為了達(dá)到這個(gè)目的,利用高效率、低成本的太陽能光電轉(zhuǎn)換材料是非常重要的。到目前為止,在太陽能光電工業(yè)中應(yīng)用的主要有直拉單晶硅、鑄造多晶硅、帶硅、非晶硅、多晶硅和化合物薄膜半導(dǎo)體材料(如GaAs、CdTe、CuInSe2)。從根本上講,太陽能光電工業(yè)主要是建立在硅材料基礎(chǔ)之上。 到目前為止,介紹太陽電池的專著已有多種。但是,專門從材料制備、材料結(jié)構(gòu)和性能角度出發(fā)介紹太陽能光電材料的專著還較少。本書正是試圖在介紹太陽能光電轉(zhuǎn)化基本原理和太陽電池基本結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)介紹太陽能光電材料的制備、材料的結(jié)構(gòu)和性能。本書分為三大部分。第一部分是太陽能光電轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)知識(shí),包括第1章太陽能和光電轉(zhuǎn)換;第2章太陽能光電材料及物理基礎(chǔ);第3章太陽電池的結(jié)構(gòu)和制備。第二部分是硅太陽電池材料,包括第4章單晶硅材料;第5章直拉單晶硅中的雜質(zhì)和位錯(cuò);第6章鑄造多晶硅;第7章鑄造多晶硅中的雜質(zhì)和缺陷;第8章帶硅材料;第9章非晶硅薄膜和第10章多晶硅薄膜。第三部分是化合物太陽電池材料,包括第11章GaAs半導(dǎo)體材料;第12章CdTe和CdS薄膜材料;第13章CuInSe2(CuInS2)薄膜材料。 在本書的撰寫過程中,馬向陽教授審閱了第2、4、5章的內(nèi)容,席珍強(qiáng)博士審閱了第3、6、7、8章的內(nèi)容,寥顯伯教授、向賢碧教授審閱了第9、10、11章的內(nèi)容,孫云教授、李長健教授審閱了第12、13章的內(nèi)容,馮良桓教授審閱了第12章的內(nèi)容。他們花費(fèi)了很多時(shí)間,并提出了大量寶貴意見,使本書減少了許多可能的錯(cuò)誤,作者在此表示衷心的感謝。 另外,編者的博士研究生李紅、謝榮國、崔燦、黃國銀、楊青、湯會(huì)香、張輝等,幫助編者收集了大量資料,付出了辛勤勞動(dòng),在此一并表示感謝。 太陽能光電材料體系較多,發(fā)展迅速。由于作者的知識(shí)面和水平有限,書中肯定會(huì)存在一些疏漏,懇請讀者批評指正。 編者 2006年10月
楊德仁,中國科學(xué)院院士,浙江大學(xué)教授。長江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃特聘教授,國家杰出青年基金獲得者,硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。
主要研究方向包括: 。1)超大規(guī)模集成電路用硅單晶材料的制備和缺陷工程; (2)太陽能光電鑄造多晶硅材料和化合物薄膜光電轉(zhuǎn)換材料; (3)納米硅絲/管和其它一維納米半導(dǎo)體材料; (4)硅基光子晶體。
第1章太陽能和光電轉(zhuǎn)換1
1.1太陽能1
1.2太陽能輻射和吸收2
1.3太陽能光電的研究和應(yīng)用歷史3
1.4太陽電池的研究和開發(fā)6
參考文獻(xiàn)8
第2章太陽能光電材料及物理基礎(chǔ)10
2.1半導(dǎo)體材料和太陽能光電材料10
2.1.1半導(dǎo)體材料10
2.1.2太陽能光電材料11
2.2載流子和能帶12
2.2.1載流子12
2.2.2能帶結(jié)構(gòu)12
2.2.3電子和空穴15
2.3雜質(zhì)和缺陷能級(jí)16
2.3.1雜質(zhì)半導(dǎo)體16
2.3.2雜質(zhì)能級(jí)17
2.3.3深能級(jí)18
2.3.4缺陷能級(jí)19
2.4熱平衡下的載流子20
2.4.1載流子的狀態(tài)密度和統(tǒng)計(jì)分布20
2.4.2本征半導(dǎo)體的載流子濃度23
2.4.3雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度和補(bǔ)償23
2.5非平衡少數(shù)載流子25
2.5.1非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合和壽命26
2.5.2非平衡載流子的擴(kuò)散27
2.5.3非平衡載流子在電場下的漂移和擴(kuò)散28
2.6p-n結(jié)30
2.6.1p-n結(jié)的制備30
2.6.2p-n結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)32
2.6.3p-n結(jié)的電流電壓特性34
2.7金屬-半導(dǎo)體接觸和MIS結(jié)構(gòu)35
2.7.1金屬-半導(dǎo)體接觸35
2.7.2歐姆接觸37
2.7.3MIS結(jié)構(gòu)38
2.8太陽能光電轉(zhuǎn)換原理——光生伏特效應(yīng)39
2.8.1半導(dǎo)體材料的光吸收39
2.8.2光生伏特40
參考文獻(xiàn)41
第3章太陽電池的結(jié)構(gòu)和制備42
3.1太陽電池的結(jié)構(gòu)和光電轉(zhuǎn)換效率42
3.2晶體硅太陽電池的基本工藝44
3.2.1絨面結(jié)構(gòu)44
3.2.2p-n結(jié)制備46
3.2.3減反射層47
3.2.4絲網(wǎng)印刷48
3.2.5燒結(jié)49
3.3薄膜太陽電池49
3.3.1砷化鎵薄膜太陽電池49
3.3.2非晶硅薄膜太陽電池51
3.3.3多晶硅薄膜太陽電池53
3.3.4CdTe薄膜太陽電池54
3.3.5CuInSe2(CuInGaSe2)薄膜太陽電池55
參考文獻(xiàn)57
第4章單晶硅材料58
4.1硅的基本性質(zhì)58
4.2太陽電池用硅材料61
4.3高純多晶硅的制備62
4.3.1三氯氫硅氫還原法62
4.3.2硅烷熱分解法63
4.3.3四氯化硅氫還原法63
4.4太陽能級(jí)多晶硅的制備64
4.4.1太陽能級(jí)多晶硅64
4.4.2物理冶金技術(shù)制備太陽能級(jí)多晶硅64
4.5區(qū)熔單晶硅66
4.6直拉單晶硅67
4.6.1直拉單晶硅的生長原理和工藝67
4.6.2新型直拉晶體硅的生長技術(shù)70
4.6.3直拉單晶硅的摻雜73
4.7硅晶片加工76
4.7.1切斷76
4.7.2滾圓76
4.7.3切片77
4.7.4化學(xué)腐蝕79
參考文獻(xiàn)79
第5章直拉單晶硅中的雜質(zhì)和位錯(cuò)81
5.1直拉單晶硅中的氧81
5.1.1氧的基本性質(zhì)82
5.1.2氧熱施主84
5.1.3氧沉淀86
5.1.4硼氧復(fù)合體90
5.2直拉單晶硅中的碳94
5.2.1碳的基本性質(zhì)94
5.2.2碳和氧沉淀95
5.3直拉單晶硅中的金屬雜質(zhì)97
5.3.1金屬雜質(zhì)的基本性質(zhì)97
5.3.2金屬復(fù)合體和沉淀101
5.3.3金屬雜質(zhì)的控制102
5.4直拉單晶硅中的位錯(cuò)103
5.4.1位錯(cuò)的基本性質(zhì)104
5.4.2晶體硅中的位錯(cuò)結(jié)構(gòu)106
5.4.3晶體硅中位錯(cuò)的腐蝕和表征107
5.4.4晶體硅中位錯(cuò)對太陽電池的影響109
參考文獻(xiàn)110
第6章鑄造多晶硅112
6.1概述112
6.2鑄造多晶硅的制備工藝113
6.3鑄造多晶硅的晶體生長116
6.3.1鑄造多晶硅的原材料116
6.3.2坩堝117
6.3.3晶體生長工藝117
6.3.4晶體生長的影響因素118
6.3.5晶體摻雜120
6.4高效鑄造多晶硅的制備121
6.5鑄造類(準(zhǔn))單晶硅的制備122
參考文獻(xiàn)125
第7章鑄造多晶硅中的雜質(zhì)和缺陷126
7.1鑄造多晶硅中的氧126
7.1.1原生鑄造多晶硅中的氧雜質(zhì)126
7.1.2原生鑄造多晶硅中的氧施主和氧沉淀127
7.1.3鑄造多晶硅中氧的熱處理性質(zhì)129
7.2鑄造多晶硅中的碳131
7.2.1原生鑄造多晶硅中的碳雜質(zhì)131
7.2.2鑄造多晶硅中碳的熱處理性質(zhì)132
7.3鑄造多晶硅中的氮134
7.3.1鑄造多晶硅中的氮雜質(zhì)134
7.3.2鑄造多晶硅中的氮氧復(fù)合體136
7.3.3鑄造多晶硅中的氮對氧沉淀、氧施主的作用138
7.4鑄造多晶硅中的氫138
7.4.1鑄造多晶硅中的氫雜質(zhì)138
7.4.2鑄造多晶硅中氫的鈍化作用139
7.5鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)和吸雜140
7.5.1鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)140
7.5.2鑄造多晶硅中的金屬沉淀141
7.5.3鑄造多晶硅的吸雜142
7.6鑄造多晶硅中的晶界145
7.6.1鑄造多晶硅的晶界145
7.6.2鑄造多晶硅晶界上的金屬沉淀147
7.6.3鑄造多晶硅晶界的氫鈍化149
7.7鑄造多晶硅中的位錯(cuò)150
7.7.1鑄造多晶硅的位錯(cuò)150
7.7.2鑄造多晶硅的位錯(cuò)對電學(xué)性能的影響151
參考文獻(xiàn)152
第8章帶硅材料153
8.1帶硅材料的制備153
8.1.1邊緣限制薄膜帶硅生長技術(shù)154
8.1.2線牽引帶硅生長技術(shù)155
8.1.3枝網(wǎng)帶硅工藝155
8.1.4襯底上的帶硅生長技術(shù)156
8.1.5工藝粉末帶硅生長技術(shù)157
8.2帶硅生長的基本問題158
8.2.1邊緣穩(wěn)定性158
8.2.2應(yīng)力控制158
8.2.3產(chǎn)率159
8.3帶硅材料的缺陷和雜質(zhì)159
8.3.1帶硅材料的晶界159
8.3.2帶硅材料的位錯(cuò)160
8.3.3帶硅材料的雜質(zhì)161
8.4帶硅材料的氫鈍化和吸雜161
8.4.1帶硅材料的氫鈍化161
8.4.2帶硅材料的吸雜162
參考文獻(xiàn)163
第9章非晶硅薄膜164
9.1非晶硅薄膜的基本性質(zhì)165
9.1.1非晶硅的原子結(jié)構(gòu)特征165
9.1.2非晶硅的能帶結(jié)構(gòu)166
9.1.3非晶硅的基本特性168
9.2等離子體化學(xué)氣相沉積制備非晶硅薄膜169
9.2.1輝光放電的基本原理169
9.2.2等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備非晶硅薄膜170
9.2.3非晶硅薄膜的生長171
9.2.4非晶硅薄膜的生長機(jī)理172
9.3非晶硅薄膜的摻雜174
9.3.1非晶硅的摻雜174
9.3.2非晶硅薄膜中的雜質(zhì)175
9.4非晶硅薄膜中的氫176
9.4.1硅氫鍵176
9.4.2非晶硅中氫的態(tài)密度177
9.5非晶硅薄膜中的光致衰減178
9.5.1非晶硅薄膜的光致衰減效應(yīng)178
9.5.2非晶硅薄膜光致衰減效應(yīng)的影響因素180
9.5.3非晶硅薄膜光致衰減效應(yīng)的減少和消除180
9.6非晶硅合金薄膜182
9.6.1非晶硅碳合金薄膜182
9.6.2非晶硅鍺合金薄膜183
9.7非晶硅/微晶硅疊層薄膜材料184
參考文獻(xiàn)184
第10章多晶硅薄膜186
10.1多晶硅薄膜的基本性質(zhì)186
10.1.1多晶硅薄膜的特點(diǎn)186
10.1.2多晶硅薄膜的制備技術(shù)187
10.1.3多晶硅薄膜的晶界和缺陷189
10.1.4多晶硅薄膜的雜質(zhì)190
10.2化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜191
10.2.1等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜191
10.2.2低壓化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜193
10.2.3熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜194
10.3非晶硅晶化制備多晶硅薄膜196
10.3.1固化晶化制備多晶硅薄膜197
10.3.2金屬誘導(dǎo)固化晶化制備多晶硅薄膜198
10.3.3快速熱處理晶化制備多晶硅薄膜199
10.3.4激光晶化制備多晶硅薄膜201
參考文獻(xiàn)202
第11章GaAs半導(dǎo)體材料204
11.1GaAs材料的性質(zhì)和太陽電池204
11.1.1GaAs的基本性質(zhì)204
11.1.2GaAs太陽電池207
11.2GaAs體單晶材料208
11.2.1布里奇曼法制備GaAs單晶208
11.2.2液封直拉法制備GaAs單晶210
11.3GaAs薄膜單晶材料211
11.3.1液相外延制備GaAs薄膜單晶211
11.3.2金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延制備GaAs薄膜單晶212
11.3.3Si、Ge襯底上外延制備GaAs薄膜材料215
11.4GaAs晶體中的雜質(zhì)216
11.4.1GaAs單晶摻雜216
11.4.2GaAs單晶中的雜質(zhì)217
11.5GaAs晶體中的缺陷219
11.5.1GaAs單晶中的點(diǎn)缺陷219
11.5.2GaAs單晶中的位錯(cuò)219
11.5.3GaAs單晶中缺陷的氫鈍化220
參考文獻(xiàn)221
第12章CdTe和CdS薄膜材料222
12.1CdTe材料和太陽電池222
12.1.1CdTe薄膜材料的基本性質(zhì)222
12.1.2CdTe薄膜太陽電池224
12.2CdTe薄膜材料的制備224
12.2.1近空間升華法225
12.2.2電化學(xué)沉積法226
12.2.3氣相輸運(yùn)沉積法230
12.2.4制備CdTe薄膜的其他技術(shù)230
12.2.5CdTe薄膜材料的熱處理231
12.3CdS薄膜材料232
12.3.1CdS薄膜材料的基本性質(zhì)232
12.3.2CdS薄膜材料的制備232
12.3.3CdS薄膜材料的熱處理235
12.3.4CdS薄膜材料的缺陷236
參考文獻(xiàn)237
第13章CuInSe2(CuInGaSe2)系列薄膜材料239
13.1CuInSe2(CuInxGa1-xSe2)材料和太陽電池240
13.1.1CuInSe2(CuInxGa1-xSe2)材料的基本性質(zhì)240
13.1.2CuInSe2(CuInxGa1-xSe2)薄膜太陽電池241
13.2CuInSe2(CuInGaSe2)薄膜材料的制備241
13.2.1硒化法制備CuInSe2薄膜材料242
13.2.2共蒸發(fā)法制備CuInSe2薄膜材料242
13.2.3CuInGaSe2薄膜材料的制備243
13.3CuInS2材料的性質(zhì)和太陽電池245
13.3.1CuInS2材料的基本性質(zhì)245
13.3.2CuInS2太陽電池247
13.4CuInS2薄膜材料的制備247
13.4.1硫化法制備CuInS2薄膜材料247
13.4.2濺射沉積法制備CuInS2薄膜材料248
13.4.3化學(xué)水浴法制備CuInS2薄膜材料248
13.5Cu2ZnSnS4薄膜材料和太陽電池250
13.5.1Cu2ZnSnS4材料的基本性質(zhì)250
13.5.2Cu2ZnSnS4的太陽電池251
13.6Cu2ZnSnS4薄膜材料的制備252
13.6.1蒸發(fā)法制備CZTS薄膜材料252
13.6.2濺射法制備CZTS薄膜材料253
13.6.3化學(xué)溶液法制備CZTS薄膜材料254
參考文獻(xiàn)255
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