《電子與光子材料手冊(第3冊電子材料影印版)》由Safa Kasap、Peter
Capper主編，是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專著，每一章都是由該領(lǐng)域的專家編寫的。本手冊針對于大學四年級學生或研究生、研究人員和工作在電子、光電子、光子材料領(lǐng)域的專業(yè)人員。書中提供了必要的背景知識和內(nèi)容廣泛的更新知識。每一章都有對內(nèi)容的一個介紹，并且有許多清晰的說明和大量參考文獻。清晰的解釋和說明使手冊對所有層次的研究者有很大的幫助。所有的章節(jié)內(nèi)容都盡可能獨立。既有基礎(chǔ)又有前沿的章節(jié)內(nèi)容將吸引不同背景的讀者。本手冊特別重要的一個特點就是跨學科。例如，將會有這樣一些讀者，其背景(第一學歷)是學化學工程的，工作在半導體工藝線上，而想要學習半導體物理的基礎(chǔ)知識；第一學歷是物理學的另外一些讀者需要盡快更新材料科學的新概念，例如，液相外延等。只要可能，本手冊盡量避免采用復雜的數(shù)學公式，論述將以半定量的形式給出。手冊給出了名詞術(shù)語表(Glossary
of Defining Terms)，可為讀者提供術(shù)語定義的快速查找——這對跨學科工具書來說是必須的。
縮略語
Part C 電子材料
21 單晶硅：電學與光學特性
21.1 硅基
21.2 電學特性
21.3 光學特性
參考文獻
22 硅-鍺：特性、生長和應用
22.1 硅-鍺物理特性
22.2 硅-鍺光學特性
22.3 硅-鍺生長
22.4 多晶硅-鍺
參考文獻
23 砷化鎵
23.1 GaAs的體生長
23.2 GaAs的外延生長
23.3 GaAs的擴散
23.4 GaAs離子注入
23.5 GaAs晶格缺陷
23.6 GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析(化學)
23.7 GaAs~勺雜質(zhì)與缺陷分析(電學)
23.8 GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析(光學)
23.9 復雜異質(zhì)結(jié)的評估
23.10 GaAs的電接觸
23.11 GaAs器件(微波)
23.12 GaAs器件(電一光)
23.13 GaAs的其他應用
23.14 結(jié)論
參考文獻
24 高溫電子材料：碳化硅與金剛石
24.1 材料的特性與制備
24.2 電子器件
24.3 總結(jié)
參考文獻
25 非晶態(tài)半導體：結(jié)構(gòu)、光學與電學特性
25.1 電子態(tài)
25.2 結(jié)構(gòu)特性
25.3 光學特性
25.4 電學特性
25.5 光誘導現(xiàn)象
25.6 納米非晶態(tài)結(jié)構(gòu)
參考文獻
26 非晶態(tài)與微晶硅
26.1 等離子體SiH4與SiH4H2的反應
26.2 表面薄生長
26.3 a—Si：H與uc—Si:H缺陷密度測定
26.4 器件應用
26.5 硅薄膜太陽能電池材料的相關(guān)問題研究進展
26.6 總結(jié)
參考文獻
27 鐵電體材料
27.1 鐵電體材料
27.2 鐵電體材料制備技術(shù)
27.3 鐵電體應用
參考文獻
28 微電子電介質(zhì)材料
28.1 柵極電介質(zhì)
28.2 隔離電介質(zhì)
28.3 電容電介質(zhì)
28.4 互連電介質(zhì)
28.5 總結(jié)
參考文獻
29 薄膜
29.1 淀積形成方法
29.2 結(jié)構(gòu)
29.3 特性
29.4 結(jié)論
參考文獻
30 厚膜
30.1 厚膜工藝
30.2 襯底
30.3 厚膜材料
30.4 組件與裝配
30.5 傳感器
參考文獻
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