借助STM這個(gè)可以提供原子尺度結(jié)構(gòu)和電子態(tài)的有 力工具，《硅基高k氧化物鍶硅界面緩沖層的研究》對Sr／Si體系進(jìn)行了深入的研究，主要 分為以下3個(gè)部分：（1）第一部分：Si（100）襯底上的 Sr／Si再構(gòu)；（2）第二部分：Si（111）襯底上的Sr／Si 再構(gòu)；（3）第三部分：超薄SrTiO3膜的高溫晶化。