本書全面講解了現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中的基本技術(shù)。通過本書的學(xué)習(xí),讀者可以對模擬電路、數(shù)字電路及分立元件與集成電路技術(shù)有深入的理解。盡管大多數(shù)讀者可能不會從事集成電路設(shè)計(jì)的相關(guān)工作,但對于集成電路結(jié)構(gòu)的深入理解,有助于讀者從系統(tǒng)設(shè)計(jì)的角度加深認(rèn)識,從而消除系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的隱患,增強(qiáng)集成電路的可靠性。
數(shù)字電路是電路設(shè)計(jì)的重要內(nèi)容,但許多關(guān)于電子學(xué)的入門書僅將這部分內(nèi)容列為補(bǔ)充知識,本書對數(shù)字電路和模擬電路的內(nèi)容做了均衡的介紹。本書的創(chuàng)作完成得益于作者在精密數(shù)字設(shè)計(jì)領(lǐng)域多年的豐富工作經(jīng)歷以及多年的教學(xué)總結(jié)。書中涉及內(nèi)容廣泛,讀者可以根據(jù)需要選擇適當(dāng)?shù)膬?nèi)容用于兩個(gè)學(xué)期或者連續(xù)三個(gè)學(xué)期的學(xué)習(xí)。
本書說明
本書第5版對書中內(nèi)容進(jìn)行了更新,強(qiáng)化和改進(jìn)了一些概念的講解,更利于讀者學(xué)習(xí)和掌握。
第2章強(qiáng)化了速度飽和的概念。第4章增加Rabaey和Chandrakasan的統(tǒng)一MOS模型的方式。本書第二部分和第三部分多次給出速度限制對數(shù)字電路和模擬電路的影響分析。
第7章在CMOS邏輯電路設(shè)計(jì)中介紹了觸發(fā)器和鎖存器等基本邏輯電路。近年來,閃存技術(shù)發(fā)展迅速,第8章重點(diǎn)補(bǔ)充了與閃存相關(guān)的存儲技術(shù)、主要電路及存在的問題等內(nèi)容。當(dāng)前,TTL電路已經(jīng)被逐步取代,因此在第9章中相應(yīng)減少了對該電路的介紹,增加了對正射極耦合邏輯電平(PECL)電路的簡短討論。
同時(shí),在本書第三部分討論了速度飽和狀態(tài)下的偏置、失真及由此引起的一些新問題。第15章新增了達(dá)林頓對的相關(guān)內(nèi)容。第16章改進(jìn)了偏移電壓計(jì)算的方法,修正了帶隙材料的基準(zhǔn)。第17章對FET中柵極電阻的討論則映射了在BJT中對基極電阻的討論,同時(shí)增加了對互補(bǔ)射極跟隨器頻率響應(yīng)的擴(kuò)展討論,也增加了FET頻率相關(guān)的電流增益影響的討論,包括其對源極跟隨器配置的輸入和輸出阻抗的影響。最后,更新了經(jīng)典和普適的JONES混頻器討論方法。第18章用實(shí)例講解了新的偏移電壓計(jì)算方法,同時(shí)增加了對MOS運(yùn)算放大器補(bǔ)償?shù)挠懻摗?/p>
本書具有鮮明的特點(diǎn),可以歸納如下:
所有實(shí)例均采用了結(jié)構(gòu)性問題求解方法。
每章都提供了相關(guān)的電子應(yīng)用案例。
每章開始都介紹了與本章內(nèi)容相關(guān)的電子學(xué)領(lǐng)域技術(shù)的重要發(fā)展歷程。
重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)要點(diǎn),給出了大量的實(shí)際電路設(shè)計(jì)案例。
本書設(shè)計(jì)實(shí)例中充分利用了SPICE仿真軟件。
在SPICE中整合了器件模型。
整合了網(wǎng)站素材。
至少增加了35%的習(xí)題。
可以從McGrawHill獲得最新的PowerPoint幻燈片。
提供流行的自適應(yīng)學(xué)習(xí)工具:Connect、LearnSmart及SmartBook。
修訂和擴(kuò)展了流行的ElectroniceinAction功能,包括IEEE社團(tuán)、SPICE的歷史發(fā)展、身體傳感器網(wǎng)絡(luò)、JONES混頻器、高級CMOS技術(shù)、閃存增長、低壓差分信號(LVDS)和全差動放大器。
深入理解微電子電路設(shè)計(jì)
前言
書中首先介紹了數(shù)字電路,便于非電子工程專業(yè)的學(xué)生學(xué)習(xí),尤其是計(jì)算機(jī)工程或計(jì)算機(jī)科學(xué)專業(yè)的學(xué)生學(xué)習(xí),因?yàn)樗麄兺粚W(xué)習(xí)電子學(xué)系列課程中的第一門課程。
本書數(shù)字電路部分主要介紹邏輯門和存儲單元設(shè)計(jì)。第6章和第7章全面介紹了NMOS和PMOS邏輯設(shè)計(jì)。第8章介紹了存儲器單元及其周邊電路。第9章介紹了有關(guān)雙極型邏輯設(shè)計(jì),包含ECL、CML和TTL等。由于MOS工藝的重要性,書中對雙極型邏輯相關(guān)內(nèi)容做了刪減。書中沒有涉及任何有關(guān)邏輯模塊層次的設(shè)計(jì),因?yàn)樵跀?shù)字設(shè)計(jì)課程中會對此進(jìn)行全面介紹。
本書第一和第二部分僅僅關(guān)注的是晶體管的大信號特征,這樣可以讓讀者在學(xué)會將電路拆分成不同模塊(可能是不同結(jié)構(gòu))進(jìn)行直流和交流小信號分析之前,對器件特性和電流電壓特性進(jìn)行深入了解(小信號概念在第三部分的第13章中介紹)。
盡管本書涉及數(shù)字電路的篇幅比大多數(shù)圖書要多,但仍有超過50%的篇幅介紹的是傳統(tǒng)的模擬電路,即本書第三部分。第10章介紹了放大器概念和經(jīng)典的理想運(yùn)算放大器電路。第11章詳細(xì)討論了非理想運(yùn)算放大器。第12章給出了大量運(yùn)算放大器應(yīng)用實(shí)例。第13章全面介紹了二極管、BJT晶體管和FET(場效應(yīng)管)的小信號模型的研究方法,其中的BJT晶體管和FET采用的都是混合π模型和π模型。第14章深入討論了單級放大器設(shè)計(jì)和多級交流耦合放大器,對耦合電容和旁路電容設(shè)計(jì)。第15章討論了直流耦合多級放大器,并介紹了運(yùn)算放大器的原型電路。第16章繼續(xù)介紹集成電路設(shè)計(jì)中的重要結(jié)論,并研究了經(jīng)典μA741運(yùn)算放大器。第17章研究了晶體管的高頻模型,討論了高頻電路特性,并詳細(xì)介紹了用于估算低頻和高頻主極點(diǎn)的重要的短路和開路時(shí)間常數(shù)技術(shù)。第18章給出了晶體管反饋放大器的實(shí)例,并探討了它們的穩(wěn)定性和補(bǔ)償,同時(shí)在第18章中總結(jié)了關(guān)于高頻LC、負(fù)gm和晶體振蕩器的相關(guān)討論。
設(shè)計(jì)
在工程師培訓(xùn)中,設(shè)計(jì)仍然是一個(gè)較難的課題。本書定義了非常清晰的問題求解方法,利用該方法可以加深學(xué)生對于設(shè)計(jì)相關(guān)問題的理解能力。書中提供的設(shè)計(jì)實(shí)例有助于建立對設(shè)計(jì)流程的了解。
本書第二部分直接切入與NMOS和CMOS邏輯門設(shè)計(jì)相關(guān)的問題。在整本書中都討論了器件的影響和無源元件的容限問題。當(dāng)前,由于電池供電的低功耗、低電壓設(shè)計(jì)變得越來越重要,邏輯設(shè)計(jì)實(shí)例的電源電壓關(guān)注更低的電源電壓。同時(shí),書中一直貫穿著對計(jì)算機(jī)技術(shù)的利用,包括利用MATLAB、電子表格或者利用計(jì)算機(jī)高級語言來開發(fā)設(shè)計(jì)選項(xiàng)等。
本書模擬電路部分一直強(qiáng)調(diào)采用設(shè)計(jì)模擬決策的方法。在任何適合的情況下,都在標(biāo)準(zhǔn)混合π模型表示的基礎(chǔ)上將放大器特性表達(dá)式進(jìn)行了簡化。例如,在絕大多數(shù)圖書中放大器的電壓增益表達(dá)式只能寫為Av=gmRL,而隱藏了電源電壓作為基本設(shè)計(jì)變量這一事實(shí)。本書對此表達(dá)式進(jìn)行了改進(jìn),將雙極型晶體管的電壓增益近似為gmRL10VCC,或?qū)ET的電壓增益近似為gmRLVDD,明確地揭示了放大器設(shè)計(jì)與電源供電電壓選擇的關(guān)系,為共發(fā)射極放大器和共源極放大器的電壓增益提供了一種簡單的一階設(shè)計(jì)估算方法。雙極型放大器的增益優(yōu)勢也顯而易見。只要有可能,書中經(jīng)常會給出近似估算此類性能的技巧和方法。雙極型電路和FET電路之間的比較和設(shè)計(jì)權(quán)衡貫穿了第三部分內(nèi)容。
在第1章結(jié)尾處介紹了最差情況分析和蒙特卡洛分析技術(shù)。傳統(tǒng)的本科生課程并不會包含這些內(nèi)容,但是這卻是在面臨較多的元件容限和差異情況下進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)需要具備的重要技能,在本書的例子和習(xí)題中對采用標(biāo)準(zhǔn)元件和給定元件容限的電路利用該技術(shù)都進(jìn)行了討論。
習(xí)題與指導(dǎo)
在每章的最后都給出專門的設(shè)計(jì)習(xí)題、計(jì)算機(jī)習(xí)題和SPICE習(xí)題。設(shè)計(jì)習(xí)題用符號表示,計(jì)算機(jī)習(xí)題用符號表示,SPICE習(xí)題用符號表示。習(xí)題對書中的內(nèi)容而言十分重要,更難或需要花費(fèi)更多時(shí)間的習(xí)題用*和**表示。此外,書中所有圖標(biāo)都制成了PowerPoint文件,可以從Connect提供的教師資源部分獲得,也可從網(wǎng)站上進(jìn)行檢索。從中還可以找到制作成PowerPoint幻燈片的指導(dǎo)和注意事項(xiàng)。
McGrawHill SmartBook
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SmartBook如何運(yùn)作?每個(gè)SmartBook包含四個(gè)組件:預(yù)習(xí)、閱讀、練習(xí)和復(fù)習(xí)。從每章的初步預(yù)習(xí)和關(guān)鍵目標(biāo)學(xué)習(xí)開始,讓學(xué)生閱讀材料,并根據(jù)他們對練習(xí)不斷適應(yīng)的反應(yīng),引導(dǎo)他們實(shí)踐最需要的主題,繼續(xù)閱讀和練習(xí)。SmartBook指導(dǎo)學(xué)生復(fù)習(xí)他們最有可能忘記的內(nèi)容,以確保學(xué)生掌握概念,并記住重要的內(nèi)容。
電子版教材
教師和學(xué)生都可以從CourseSmart購得此書。CourseSmart是一個(gè)在線資源,學(xué)生可以從中購買完整的電子版在線教材,而花費(fèi)幾乎是傳統(tǒng)教材的一半。購買電子教材可以讓學(xué)生充分利用CourseSmart網(wǎng)絡(luò)工具的優(yōu)勢進(jìn)行學(xué)習(xí),這些工具包括全文搜索、做筆記和高亮顯示,以及便于同學(xué)之間分享筆記的email工具。如要了解有關(guān)CourseSmart的更多信息,請與銷售代理聯(lián)系或登錄www.CourseSmart.com進(jìn)行咨詢。
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利用計(jì)算機(jī)和SPICE電路分析軟件
本書將計(jì)算機(jī)作為輔助工具,作者堅(jiān)信這樣做絕對要比只采用SPICE電路分析軟件要好。如今,相比費(fèi)力地將復(fù)雜的方程組簡化成某種易于處理的分析形式,大家通常更愿意利用計(jì)算機(jī)來研究復(fù)雜設(shè)計(jì)問題。書中多處給出了利用計(jì)算機(jī),采用電子表格、MATLAB和(或)高級語言程序來建立迭代估算方程的實(shí)例。MATLAB還可用于生成奈奎斯特圖和伯德圖,對于蒙特卡洛分析而言非常有用。
另外,整本書中都有SPICE的使用,SPICE仿真結(jié)果也全都給出,在習(xí)題集中也包含了大量SPICE習(xí)題。只要有所幫助,在絕大多數(shù)實(shí)例中都采用了SPICE分析。本書仍然強(qiáng)調(diào)了SPICE中直流分析、交流分析、瞬態(tài)分析以及傳輸函數(shù)分析模式的區(qū)別與使用。在每種半導(dǎo)體器件的介紹之后都對其SPICE模型進(jìn)行了討論,每種模型都給出了典型的SPICE模型參數(shù)。使用SPICE可以輕松檢查本書中的絕大多數(shù)問題,并建議學(xué)生自己尋找答案。
致謝
感謝對本書編寫及籌備做出貢獻(xiàn)的工作者。我們的學(xué)生在對原稿的潤色上提供了極大的幫助,并盡力完成了原稿的多次修訂。一直以來,我們的系領(lǐng)導(dǎo),奧本大學(xué)的J. D. Irwin和弗吉尼亞大學(xué)的J. C. Lach,高度支持員工努力寫出更高水平的教材。
感謝下面所有的審閱和審查人員:
David Borkholder, 羅切斯特理工學(xué)院;
Dimitri Donetski, 布法羅大學(xué);
Barton Jay Greene, 北卡羅來納州立大學(xué);
Marian Kazimierczuk, 萊特州立大學(xué);
JihSheng Lai, 弗吉尼亞理工學(xué)院和州立大學(xué);
Dennis Lovely, 新不倫瑞克大學(xué);
Kenneth Noren, 愛達(dá)荷大學(xué);
Marius Orlowski, 弗吉尼亞理工大學(xué)。
還要感謝J. F. Pierce和T. J. Paulus的課堂練習(xí)“電子應(yīng)用”給我們帶來的靈感。Blalock教授多年前就跟隨Pierce教授學(xué)習(xí)有關(guān)電子學(xué)內(nèi)容,至今仍盛贊他們早已絕版的教材中所采用的諸多分析技術(shù)。
那些熟悉Don Pederson教授的“Yellow Peril”的人會在整本書中看到它的影響力。在Jaeger教授成為佛羅里達(dá)大學(xué)Art Brodersen教授的學(xué)生之后不久,他很幸運(yùn)地獲得了Pederson的書,并從頭到尾進(jìn)行了仔細(xì)研究。
我們要感謝羅馬尼亞ClujNapoca技術(shù)大學(xué)的Gabriel Chindris幫助創(chuàng)建NI Multisim示例的模擬。
最后,感謝McGrawHill團(tuán)隊(duì)的支持,包括環(huán)球出版社的Raghothaman Srinivasan、產(chǎn)品開發(fā)員Vincent Bradshaw、市場經(jīng)理Nick McFadden、項(xiàng)目經(jīng)理Jane Mohr。
在寫作本書的過程中,我們盡力將自身在模擬和數(shù)字設(shè)計(jì)領(lǐng)域的業(yè)界背景與多年的課堂經(jīng)驗(yàn)融合在一起,希望能獲得一定程度的成功。歡迎大家提出建設(shè)性意見和建議。
Richard C. Jaeger
奧本大學(xué)
Travis N. Blalock
弗吉尼亞大學(xué)
第一部分
固態(tài)電子學(xué)與器件
第1章
電子學(xué)簡介
1.1電子學(xué)發(fā)展簡史
1.2電信號的分類
……
念
1.6電信號的頻譜
1.7放大器
1.8電路設(shè)計(jì)中元件參數(shù)的變化
1.9數(shù)值精度
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
擴(kuò)展閱讀
習(xí)題
第2章
固態(tài)電子學(xué)
2.1固態(tài)電子材料
2.2共價(jià)鍵模型
……
2.9總電流
2.10能帶模型
2.11集成電路制造綜述
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充閱讀
習(xí)題
第3章
固態(tài)二極管和二極管電路
3.1pn結(jié)二極管
3.1.1pn結(jié)靜電學(xué)
3.1.2二極管內(nèi)部電流
3.2二極管的iv特性
3.3二極管方程:二極管的數(shù)學(xué)模型
3.4二極管特性之反偏、零偏和正偏
……
3.15全波橋式整流
3.16整流器的比較及折中設(shè)計(jì)
3.17二極管的動態(tài)開關(guān)行為
3.18光電二極管、太陽能電池和發(fā)光二極管
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
擴(kuò)展閱讀
習(xí)題
第4章
場效應(yīng)晶體管
4.1MOS電容特性
4.2NMOS晶體管
4.3PMOS晶體管
4.4MOSFET電路符號
4.5MOS晶體管的電容
4.6SPICE中的MOSFET建模
4.7MOS晶體管的等比例縮放
4.8MOS晶體管的制造工藝及版圖設(shè)計(jì)規(guī)則
4.9NMOS場效應(yīng)管的偏置
4.10PMOS場效應(yīng)晶體管的偏置
…
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第5章
雙極型晶體管
5.1雙極型晶體管的物理結(jié)構(gòu)
5.2npn晶體管的傳輸模型
5.3pnp晶體管
…
5.12偏置電路的容差
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第二部分
數(shù)字電路
第6章
數(shù)字電路簡介
6.1理想邏輯門
……
6.4布爾代數(shù)回顧
6.5NMOS邏輯設(shè)計(jì)
6.6晶體管替代負(fù)載電阻方案
…
6.7NMOS反相器小結(jié)與比較
6.8速度飽和對靜態(tài)設(shè)計(jì)的影響
6.9NMOS與非門和或非門
6.10復(fù)雜NMOS邏輯設(shè)計(jì)
6.11功耗
6.12MOS邏輯門的動態(tài)特性
6.13PMOS邏輯
6.13.1PMOS反相器
6.13.2與非門和或非門
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充閱讀
習(xí)題
第7章
CMOS邏輯電路設(shè)計(jì)
7.1CMOS反相器
7.2CMOS反相器的靜態(tài)特性
……
7.9CMOS傳輸門
7.10雙穩(wěn)態(tài)電路
7.11CMOS閂鎖效應(yīng)
小結(jié)
關(guān)鍵詞
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擴(kuò)展閱讀
習(xí)題
第8章
MOS存儲器及其電路
8.1隨機(jī)存取存儲器(RAM)
……
8.5地址譯碼器
8.6只讀存儲器(ROM)
8.7閃存
8.7.1浮柵技術(shù)
8.7.2NOR電路實(shí)現(xiàn)
8.7.3NAND電路實(shí)現(xiàn)
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第9章
雙極型邏輯電路
9.1電流開關(guān)(發(fā)射極耦合對)
……
9.5ECL或或非門
9.6射極跟隨器
……
9.14肖特基鉗位TTL
9.15ECL和TTL的功耗延遲對比
9.16BiCMOS邏輯
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充閱讀
習(xí)題
第三部分
模擬電路
第10章
模擬系統(tǒng)和理想運(yùn)算放大器
10.1模擬電子系統(tǒng)示例
10.2放大作用
10.3放大器的二端口模型
10.4源和負(fù)載電阻的失配
10.5運(yùn)算放大器簡介
10.6放大器的失真
10.7差分放大器模型
…
10.10反饋放大器的頻率特性
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充閱讀
習(xí)題
第11章
非線性運(yùn)算放大器和反饋放大器的穩(wěn)定性
11.1經(jīng)典反饋系統(tǒng)
…
11.9使用持續(xù)電壓和電流注入法計(jì)算回路增益
11.10利用反饋減小失真
…
11.13運(yùn)算放大器的頻率響應(yīng)和帶寬
11.14反饋放大器的穩(wěn)定性
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第12章
運(yùn)算放大器應(yīng)用
12.1級聯(lián)放大器
12.2儀表放大器
12.3有源濾波器
12.4開關(guān)電容電路
12.5數(shù)/模轉(zhuǎn)換
12.6模/數(shù)轉(zhuǎn)換
12.7振蕩器
12.8非線性電路的應(yīng)用
12.9正反饋電路
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第13章
小信號建模與線性放大
13.1晶體管放大器
13.2耦合電容和旁路電容
…
13.4小信號模型簡介
13.5雙極型晶體管的小信號模型
13.6共射極放大器
…
13.11共射極放大器和共源極放大器小結(jié)
13.12放大器功率和信號范圍
小結(jié)
關(guān)鍵詞
習(xí)題
第14章
單晶體管放大器
…
14.5放大器原型回顧和比較
14.6采用MOS反相器的共源極放大器
14.7耦合和旁路電容設(shè)計(jì)
14.8放大器設(shè)計(jì)實(shí)例
14.9多級交流耦合放大器
小結(jié)
關(guān)鍵詞
擴(kuò)展閱讀
習(xí)題
第15章
差分放大器和運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
15.1差分放大器
15.2基本運(yùn)算放大器的演進(jìn)
15.3輸出級
15.4電子電流源
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
補(bǔ)充閱讀
習(xí)題
第16章
模擬集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)
16.1電路元件匹配
16.2電流鏡
16.3高輸出電阻電流鏡
…
16.9μA741運(yùn)算放大器
16.10Gilbert模擬乘法器
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第17章
放大器頻率響應(yīng)
17.1放大器頻率響應(yīng)
…
17.4高頻晶體管模型
17.5混合π模型中的基區(qū)電阻
…
17.11射頻電路介紹
17.12混頻器和平衡調(diào)制器
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第18章
晶體管反饋放大器與振蕩器
18.1基本反饋系統(tǒng)回顧
18.2反饋放大器的中頻分析
18.3反饋放大器電路舉例
放大器
18.4反饋放大器穩(wěn)定性回顧
18.5單極點(diǎn)運(yùn)算放大器補(bǔ)償
18.6高頻振蕩器
小結(jié)
關(guān)鍵詞
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
附錄
附錄A標(biāo)準(zhǔn)離散元件參數(shù)
附錄B固態(tài)器件模型及SPICE 仿真參數(shù)
附錄C二端口網(wǎng)絡(luò)回顧