本書是作者長(zhǎng)期從事直拉硅單晶生長(zhǎng)過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長(zhǎng)設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長(zhǎng)過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測(cè)、智能優(yōu)化及先進(jìn)控制技術(shù)的硅單晶工藝研究理論和工程實(shí)現(xiàn)方法。本書在理論和實(shí)驗(yàn)兩方面均進(jìn)行詳盡闡述并給出部分工程實(shí)驗(yàn)結(jié)果，具有問題驅(qū)動(dòng)、理論牽引、內(nèi)容具體、結(jié)合實(shí)際、指導(dǎo)性強(qiáng)等特點(diǎn)。

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