本書以作者及其研究團(tuán)隊(duì)多年的研究成果為基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了III族氮化物紫外發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性和實(shí)用性為一體。全書共8章，內(nèi)容包括：氮化物半導(dǎo)體材料性質(zhì)及外延生長理論，氮化物半導(dǎo)體材料制備及表征方法，深紫外發(fā)光二極管的量子效率與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、關(guān)鍵制備工藝、封裝技術(shù)、應(yīng)用，以及當(dāng)前氮化物深紫外發(fā)光二極管的一些研究前沿和熱點(diǎn)。

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