本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低維結(jié)構(gòu)的可控外延生長技術(shù)，并結(jié)合豐富的硅鍺納米結(jié)構(gòu)可控生長實(shí)例，詳細(xì)討論圖形硅襯底和斜切硅襯底上低維材料的可控外延生長及其生長機(jī)理。最后，簡要介紹可控硅鍺低維結(jié)構(gòu)的光電特性及其器件與集成應(yīng)用研究，并展望基于可控外延生長量子點(diǎn)的新型器件。

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