本書為中國(guó)芯片制造系列的第二本，是一本系統(tǒng)地闡述碳化硅半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和加工工藝的專著，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域書籍對(duì)于近期碳化硅制造工藝新技術(shù)及進(jìn)展介紹的空白。本書較為全面地闡述了不同晶型的碳化硅從長(zhǎng)晶、襯底制造、外延制造全流程的生產(chǎn)技術(shù)，展現(xiàn)了國(guó)內(nèi)外碳化硅制造領(lǐng)域近期的發(fā)展成果，論述了碳化硅材料的熱力學(xué)性質(zhì)、生長(zhǎng)原理、晶體摻雜和缺陷控制等相關(guān)基礎(chǔ)理論，以及生長(zhǎng)數(shù)據(jù)建模、測(cè)試表征等各方面知識(shí)，介紹了碳化硅上的氮化鎵生長(zhǎng)、碳化硅材料加工與封裝關(guān)鍵工藝和碳化硅器件在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用、前景及發(fā)展趨勢(shì)等知識(shí)，是讀者全面了解第三代半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的重要參考。