本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計和制造的關(guān)鍵問題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，融入國內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計與材料生長、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計與制造工藝、LED失效機理與可靠性這三個方面系統(tǒng)闡述Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計和制造技術(shù)。《BR》　　本書共六章，第一章對Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的發(fā)展歷程、工作原理和物性參數(shù)進行了全面的介紹；第二章詳細闡述了藍光/綠光/紫外LED外延生長工藝；第三章介紹高效率水平結(jié)構(gòu)LED芯片制造工藝；第四章介紹倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片制造技術(shù)，對高反射率、低阻歐姆接觸p型電極和通孔接觸n型電極進行了詳細的闡述；第五章介紹高壓LED芯片、垂直結(jié)構(gòu)LED芯片和Mini/Micro-LED芯片制造工藝；第六章介紹LED芯片失效機理和LED光學(xué)、電學(xué)、色度學(xué)參數(shù)在線測試方法。

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