第1章 緒論
1.1 集成電路發(fā)展歷程
1.1.1 晶體管的發(fā)明
1.1.2 集成電路
1.1.3 摩爾定律和PPAC
1.1.4 技術(shù)代演化
1.2 三維集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
1.2.1 先進(jìn)制造技術(shù)
1.2.2 新型三維邏輯器件
1.2.3 新型三維存儲(chǔ)器件
1.2.4 三維封裝技術(shù)
1.3 三維集成技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
1.4 閱讀指引
參考文獻(xiàn)
第2章 三維集成電路制造基礎(chǔ)
2.1 三維器件模型
2.2 三維器件圖形化工藝
2.2.1 光刻工藝原理
2.2.2 先進(jìn)光刻工藝在三維器件集成中的應(yīng)用
2.2.3 光刻工藝在三維器件集成中面臨的挑戰(zhàn)
2.3 三維器件薄膜工藝
2.3.1 薄膜工藝種類及原理
2.3.2 薄膜工藝在三維器件集成中的應(yīng)用
2.3.3 薄膜工藝在三維器件集成中面臨的挑戰(zhàn)
2.4 三維器件刻蝕工藝
2.4.1 刻蝕工藝原理
2.4.2 刻蝕工藝在三維器件集成中的應(yīng)用
2.4.3 刻蝕工藝在三維器件集成中面臨的挑戰(zhàn)
2.5 三維器件離子注入與熱退火工藝
2.5.1 離子注入與熱退火原理
2.5.2 離子注入與熱退火工藝在三維器件集成中的應(yīng)用
2.5.3 離子摻雜和擴(kuò)散工藝在三維器件集成中面臨的挑戰(zhàn)
2.6 三維器件清洗工藝
2.6.1 清洗及濕法刻蝕工藝原理
2.6.2 清洗工藝在三維器件集成中的應(yīng)用
2.6.3 清洗工藝在三維器件集成中面臨的挑戰(zhàn)
2.7 三維器件化學(xué)機(jī)械平坦化工藝
2.7.1 化學(xué)機(jī)械平坦化工藝原理
2.7.2 化學(xué)機(jī)械平坦化工藝在三維器件集成中的應(yīng)用
2.7.3 化學(xué)機(jī)械平坦化工藝在三維器件集成中面臨的挑戰(zhàn)
參考文獻(xiàn)
第3章 三維FinFET器件技術(shù)
3.1 三維FinFET器件
3.1.1 器件原理
3.1.2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝仿真
3.2 三維FinFET關(guān)鍵技術(shù)模塊
3.2.1 體硅Fin制備工藝
3.2.2 淺槽隔離
3.2.3 三維柵極與側(cè)墻結(jié)構(gòu)
3.2.4 外延與溝道應(yīng)變工程
3.2.5 三維高K金屬柵技術(shù)
3.2.6 低阻接觸技術(shù)
3.3 集成工藝與特性優(yōu)化
3.3.1 工藝集成與器件特性
3.3.2 特性優(yōu)化技術(shù)
3.4 新型FinFET器件
3.4.1 體硅介質(zhì)隔離FinFET器件
3.4.2 S-FinFET器件
參考文獻(xiàn)
第4章 納米環(huán)柵器件技術(shù)
4.1 納米環(huán)柵器件
4.1.1 水平堆疊納米環(huán)柵器件
4.1.2 其他納米環(huán)柵器件
4.2 納米環(huán)柵器件關(guān)鍵技術(shù)模塊
4.2.1 多周期疊層外延技術(shù)
4.2.2 內(nèi)側(cè)墻技術(shù)
4.2.3 溝道釋放技術(shù)
4.2.4 溝道應(yīng)變技術(shù)
4.2.5 源漏接觸技術(shù)
4.2.6 自對(duì)準(zhǔn)柵極技術(shù)
4.3 納米環(huán)柵器件集成工藝
4.3.1 水平堆疊納米環(huán)柵器件集成工藝
4.3.2 工藝波動(dòng)影響
4.3.3 多閾值調(diào)控
4.3.4 高遷移率溝道納米環(huán)柵器件集成工藝
4.3.5 垂直納米環(huán)柵器件集成工藝
參考文獻(xiàn)
第5章 三維NAND閃存技術(shù)
5.1 三維NAND閃存器件及結(jié)構(gòu)
5.1.1 NAND閃存器件原理
5.1.2 平面NAND閃存器件發(fā)展的挑戰(zhàn)
5.1.3 三維NAND閃存結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.2 集成工藝及關(guān)鍵技術(shù)模塊
5.2.1 層膜沉積和臺(tái)階工藝
5.2.2 溝道孔模塊
5.2.3 隔離模塊
5.2.4 接觸孔模塊
5.2.5 三維NAND集成工藝
5.3 三維NAND工作特性及可靠性
5.3.1 三維NAND工作特性
5.3.2 三維NAND可靠性
5.4 三維NAND國內(nèi)外進(jìn)展
5.4.1 國外三維NAND存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
5.4.2 國內(nèi)三維NAND存儲(chǔ)器的研究現(xiàn)狀
參考文獻(xiàn)
第6章 三維新型存儲(chǔ)技術(shù)
6.1 三維RRAM集成技術(shù)
6.1.1 RRAM的器件結(jié)構(gòu)及工作原理
6.1.2 三維RRAM的發(fā)展現(xiàn)狀
6.1.3 三維RRAM的技術(shù)挑戰(zhàn)與展望
6.2 三維MRAM集成技術(shù)
6.2.1 MRAM的器件結(jié)構(gòu)及工作原理
6.2.2 三維MRAM的研究現(xiàn)狀
6.2.3 三維MRAM的技術(shù)挑戰(zhàn)及展望
6.3 三維PCRAM集成技術(shù)
6.3.1 三維PCRAM的器件結(jié)構(gòu)及工作原理
6.3.2 三維PCRAM的研究現(xiàn)狀
6.3.3 三維PCRAM的技術(shù)挑戰(zhàn)與展望
6.4 三維DRAM集成技術(shù)
6.4.1 DRAM的器件結(jié)構(gòu)和工作原理
6.4.2 三維DRAM的發(fā)展現(xiàn)狀
6.4.3 三維DRAM的技術(shù)挑戰(zhàn)及展望
參考文獻(xiàn)
第7章 三維單片集成技術(shù)
7.1 三維單片集成
7.1.1 三維單片集成的概念
7.1.2 三維單片集成的發(fā)展歷程
7.1.3 三維單片集成的技術(shù)挑戰(zhàn)
7.2 三維單片同質(zhì)集成技術(shù)
7.2.1 片上晶圓鍵合工藝
7.2.2 片上低溫CMOS集成與熱預(yù)算管理技術(shù)
7.2.3 三維電路設(shè)計(jì)與層間布局技術(shù)
7.3 三維單片異質(zhì)集成技術(shù)
7.3.1 片上異質(zhì)材料沉積工藝
7.3.2 片上邏輯與存儲(chǔ)器件
7.3.3 片上異質(zhì)集成技術(shù)
7.4 新型三維集成系統(tǒng)
參考文獻(xiàn)
第8章 三維封裝技術(shù)
8.1 Si基轉(zhuǎn)接板及2.5D/3D封裝技術(shù)
8.1.1 2.5D TSV轉(zhuǎn)接板制造技術(shù)
8.1.2 有源TSV轉(zhuǎn)接板技術(shù)
8.1.3 CoWoS技術(shù)
8.1.4 Foveros封裝技術(shù)
8.1.5 SoIC技術(shù)
8.2 晶圓級(jí)扇出型封裝技術(shù)
8.2.1 晶圓級(jí)扇出型封裝技術(shù)的形成與發(fā)展
8.2.2 晶圓級(jí)扇出型封裝的技術(shù)挑戰(zhàn)
8.2.3 嵌入式晶圓級(jí)球柵陣列封裝技術(shù)
8.2.4 集成晶圓級(jí)扇出型封裝技術(shù)
8.2.5 Si基埋入式扇出型封裝技術(shù)
8.2.6 異質(zhì)集成扇出型封裝技術(shù)
8.3 基板及埋入封裝技術(shù)
8.3.1 細(xì)線路基板技術(shù)
8.3.2 基板埋入技術(shù)
8.3.3 基板扇出技術(shù)
參考文獻(xiàn)