本書共分10章，主要內(nèi)容包括塔形、鉛筆形、三維分支結(jié)構(gòu)、Se摻雜、螺旋形、直和繩形、竹葉形GaN納米線的制備工藝與性能測試及制備工藝對GaN納米線取向的影響，此外，還介紹了BN包覆GaN納米線和InN包覆GaN納米線的制備及表征。本書內(nèi)容涉及物理、化學(xué)、材料和電子信息等多個領(lǐng)域的相關(guān)知識，每章內(nèi)容融會貫通、分類敘述，講述了不同形貌GaN納米線的制備技術(shù)及制備工藝的影響。本書可供電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、光電信息工程、物理學(xué)類專業(yè)本科生、研究生及相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。
目錄1緒論1．1引言1．2納米材料簡介1．2．1納米材料概述1．2．2納米材料的特性1．3氮化鎵材料性質(zhì)1．3．1物理性質(zhì)1．3．2化學(xué)性質(zhì)1．3．3電學(xué)性質(zhì)1．3．4光學(xué)性質(zhì)1．4氮化鎵納米線的合成方法1．4．1分子束外延法1．4．2金屬有機化學(xué)氣相沉積法1．4．3氫化物輸運氣相外延生長法1．4．4模板生長法1．4．5激光燒蝕法1．4．6氧化物輔助生長法1．4．7化學(xué)氣相沉積法1．4．8溶膠-凝膠法1．5納米線的生長機制1．5．1 VLS機制1．5．2 VS機制1．6場發(fā)射簡介1．6．1功函數(shù)1．6．2場增強因子1．6．3場發(fā)射陰極材料研究進展1．7 GaN納米材料研究進展1．7．1 GaN材料實驗研究進展1．7．2 GaN材料理論研究進展1．7．3 GaN納米材料場發(fā)射研究進展2特殊形貌GaN納米線制備及場發(fā)射性能研究2．1塔形GaN納米線制備2．1．1工藝條件對制備塔形GaN納米線的影響2．1．2塔形GaN納米線XRD表征2．1．3塔形GaN納米線SEM表征2．1．4塔形GaN納米線TEM表征2．1．5塔形GaN納米線生長機理分析2．2塔形GaN納米線性能測試2．2．1塔形GaN納米線光致發(fā)光譜分析2．2．2塔形GaN納米線拉曼光譜分析2．2．3塔形GaN納米線場發(fā)射性能分析2．3鉛筆形GaN納米線制備2．3．1工藝條件對制備鉛筆形GaN納米線的影響2．3．2鉛筆形GaN納米線XRD表征2．3．3鉛筆形GaN納米線SEM表征2．3．4鉛筆形GaN納米線生長機理分析2．4鉛筆形GaN納米線場發(fā)射性能分析2．5總結(jié)3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線制備及場發(fā)射性能研究3．1引言3．2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線制備3．3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線表征3．3．1三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線XRD表征3．3．2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線SEM表征3．3．3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線TEM表征3．4三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線生長機理分析3．5三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線性能測試3．5．1三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線光致發(fā)光譜分析3．5．2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線場發(fā)射性能分析3．6總結(jié)4 Se摻雜GaN納米線場發(fā)射性能研究4．1第一性原理研究Se摻雜GaN納米線4．1．1密度泛函理論4．1．2計算模型和方法4．1．3形成能4．1．4模型優(yōu)化4．1．5能帶結(jié)構(gòu)4．1．6態(tài)密度4．1．7功函數(shù)4．2 Se摻雜GaN納米線制備4．2．1工藝條件對Se摻雜GaN納米線制備的影響4．2．2不同濃度Se摻雜GaN納米線制備4．2．3 Se摻雜GaN納米線XRD表征4．2．4 Se摻雜GaN納米線TEM表征4．3 Se摻雜GaN納米線場發(fā)射性能分析4．4總結(jié)5制備螺旋形GaN納米線5．1 樣品的制備5．2 SEM分析5．3 螺旋形GaN納米線的XRD分析5．4螺旋形GaN納米線的TEM分析5．5 螺旋形GaN納米線的場發(fā)射性能測試5．6 GaN納米線的生長機制分析5．7 總結(jié)6 繩形GaN納米線的制備6．1 CVD制備GaN納米線的工藝研究6．1．1 氨化時間對GaN納米線的影響6．1．2 氨氣流量對GaN納米線的影響6．2 直GaN納米線6．2．1 直GaN納米線的SEM表征6．2．2 直GaN納米線的XRD表征6．2．3 直GaN納米線的TEM表征6．3 繩型GaN納米線6．3．1 繩型GaN納米線的SEM表征6．3．2 繩型GaN納米線的XRD表征6．3．3 繩型GaN納米線的TEM表征6．4．5 繩型GaN納米線的XPS表征6．4 GaN納米線的生長機理分析6．4．1氣-液-固（VLS）生長機理6．4．2 GaN納米線生長機理分析6．5總結(jié)7 取向GaN納米線制備工藝研究7．1實驗方法7．2實驗設(shè)備7．2．1實驗器材7．3實驗方案7．3．1 催化劑顆粒的制備7．3．2 GaN納米線的生長7．4實驗過程7．4．1 催化劑顆粒的制備7．4．2 GaN納米線的生長7．5 實驗結(jié)果及分析7．5．1 溫度對納米線取向的影響7．5．2 用不同Ga源制備取向納米線7．5．3納米線的取向?qū)霭l(fā)射的影響7．6總結(jié)8．竹葉形GaN納米結(jié)構(gòu)的制備8．1引言8．2實驗過程8．2．1 GaN納米結(jié)構(gòu)制備8．3結(jié)果與分析8．3．1氨化溫度對GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響8．3．2氨氣流量對GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響8．3．3氨化時間對GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響8．4 總結(jié)參考文獻
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