本書共分10章,主要內(nèi)容包括塔形、鉛筆形、三維分支結(jié)構(gòu)、Se摻雜、螺旋形、直和繩形、竹葉形GaN納米線的制備工藝與性能測試及制備工藝對GaN納米線取向的影響,此外,還介紹了BN包覆GaN納米線和InN包覆GaN納米線的制備及表征。本書內(nèi)容涉及物理、化學(xué)、材料和電子信息等多個(gè)領(lǐng)域的相關(guān)知識,每章內(nèi)容融會貫通、分類敘述,講述了不同形貌GaN納米線的制備技術(shù)及制備工藝的影響。本書可供電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、光電信息工程、物理學(xué)類專業(yè)本科生、研究生及相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員閱讀,也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。
目錄1緒論1.1引言1.2納米材料簡介1.2.1納米材料概述1.2.2納米材料的特性1.3氮化鎵材料性質(zhì)1.3.1物理性質(zhì)1.3.2化學(xué)性質(zhì)1.3.3電學(xué)性質(zhì)1.3.4光學(xué)性質(zhì)1.4氮化鎵納米線的合成方法1.4.1分子束外延法1.4.2金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法1.4.3氫化物輸運(yùn)氣相外延生長法1.4.4模板生長法1.4.5激光燒蝕法1.4.6氧化物輔助生長法1.4.7化學(xué)氣相沉積法1.4.8溶膠-凝膠法1.5納米線的生長機(jī)制1.5.1 VLS機(jī)制1.5.2 VS機(jī)制1.6場發(fā)射簡介1.6.1功函數(shù)1.6.2場增強(qiáng)因子1.6.3場發(fā)射陰極材料研究進(jìn)展1.7 GaN納米材料研究進(jìn)展1.7.1 GaN材料實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展1.7.2 GaN材料理論研究進(jìn)展1.7.3 GaN納米材料場發(fā)射研究進(jìn)展2特殊形貌GaN納米線制備及場發(fā)射性能研究2.1塔形GaN納米線制備2.1.1工藝條件對制備塔形GaN納米線的影響2.1.2塔形GaN納米線XRD表征2.1.3塔形GaN納米線SEM表征2.1.4塔形GaN納米線TEM表征2.1.5塔形GaN納米線生長機(jī)理分析2.2塔形GaN納米線性能測試2.2.1塔形GaN納米線光致發(fā)光譜分析2.2.2塔形GaN納米線拉曼光譜分析2.2.3塔形GaN納米線場發(fā)射性能分析2.3鉛筆形GaN納米線制備2.3.1工藝條件對制備鉛筆形GaN納米線的影響2.3.2鉛筆形GaN納米線XRD表征2.3.3鉛筆形GaN納米線SEM表征2.3.4鉛筆形GaN納米線生長機(jī)理分析2.4鉛筆形GaN納米線場發(fā)射性能分析2.5總結(jié)3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線制備及場發(fā)射性能研究3.1引言3.2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線制備3.3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線表征3.3.1三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線XRD表征3.3.2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線SEM表征3.3.3三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線TEM表征3.4三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線生長機(jī)理分析3.5三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線性能測試3.5.1三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線光致發(fā)光譜分析3.5.2三維分支結(jié)構(gòu)GaN納米線場發(fā)射性能分析3.6總結(jié)4 Se摻雜GaN納米線場發(fā)射性能研究4.1第一性原理研究Se摻雜GaN納米線4.1.1密度泛函理論4.1.2計(jì)算模型和方法4.1.3形成能4.1.4模型優(yōu)化4.1.5能帶結(jié)構(gòu)4.1.6態(tài)密度4.1.7功函數(shù)4.2 Se摻雜GaN納米線制備4.2.1工藝條件對Se摻雜GaN納米線制備的影響4.2.2不同濃度Se摻雜GaN納米線制備4.2.3 Se摻雜GaN納米線XRD表征4.2.4 Se摻雜GaN納米線TEM表征4.3 Se摻雜GaN納米線場發(fā)射性能分析4.4總結(jié)5制備螺旋形GaN納米線5.1 樣品的制備5.2 SEM分析5.3 螺旋形GaN納米線的XRD分析5.4螺旋形GaN納米線的TEM分析5.5 螺旋形GaN納米線的場發(fā)射性能測試5.6 GaN納米線的生長機(jī)制分析5.7 總結(jié)6 繩形GaN納米線的制備6.1 CVD制備GaN納米線的工藝研究6.1.1 氨化時(shí)間對GaN納米線的影響6.1.2 氨氣流量對GaN納米線的影響6.2 直GaN納米線6.2.1 直GaN納米線的SEM表征6.2.2 直GaN納米線的XRD表征6.2.3 直GaN納米線的TEM表征6.3 繩型GaN納米線6.3.1 繩型GaN納米線的SEM表征6.3.2 繩型GaN納米線的XRD表征6.3.3 繩型GaN納米線的TEM表征6.4.5 繩型GaN納米線的XPS表征6.4 GaN納米線的生長機(jī)理分析6.4.1氣-液-固(VLS)生長機(jī)理6.4.2 GaN納米線生長機(jī)理分析6.5總結(jié)7 取向GaN納米線制備工藝研究7.1實(shí)驗(yàn)方法7.2實(shí)驗(yàn)設(shè)備7.2.1實(shí)驗(yàn)器材7.3實(shí)驗(yàn)方案7.3.1 催化劑顆粒的制備7.3.2 GaN納米線的生長7.4實(shí)驗(yàn)過程7.4.1 催化劑顆粒的制備7.4.2 GaN納米線的生長7.5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析7.5.1 溫度對納米線取向的影響7.5.2 用不同Ga源制備取向納米線7.5.3納米線的取向?qū)霭l(fā)射的影響7.6總結(jié)8.竹葉形GaN納米結(jié)構(gòu)的制備8.1引言8.2實(shí)驗(yàn)過程8.2.1 GaN納米結(jié)構(gòu)制備8.3結(jié)果與分析8.3.1氨化溫度對GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響8.3.2氨氣流量對GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響8.3.3氨化時(shí)間對GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響8.4 總結(jié)參考文獻(xiàn)