本書主要內(nèi)容涉及光刻技術(shù)概述、感光性樹(shù)脂涂覆、曝光技術(shù)、曝光后烘烤和顯影技術(shù)、g/i線光刻膠評(píng)測(cè)技術(shù)、KrF/ArF光刻膠評(píng)測(cè)技術(shù)、ArF浸沒(méi)式光刻膠和DP工藝評(píng)測(cè)技術(shù)、EUV光刻膠評(píng)測(cè)技術(shù)、納米壓印樹(shù)脂的評(píng)測(cè)技術(shù)等方面，詳細(xì)介紹了光刻膠的各種評(píng)價(jià)原理、方法、工藝及設(shè)備。另外，本書還介紹了基于光刻膠的光學(xué)參數(shù)和顯影速度數(shù)據(jù)進(jìn)行光刻圖案逼真模擬的技術(shù)與方法，這樣可以大幅縮短光刻膠的開(kāi)發(fā)周期，不僅節(jié)省資源而且效率更高。本書內(nèi)容豐富，既有基礎(chǔ)理論知識(shí)，又有實(shí)際操作流程；既涉及化學(xué)反應(yīng)，又講述設(shè)備原理及應(yīng)用；既有數(shù)據(jù)分析，還有理論計(jì)算；從最早的g/i線光刻膠開(kāi)始，一直到目前最為先進(jìn)的EUV光刻膠，對(duì)光刻膠的工作原理、工藝流程、檢測(cè)方法進(jìn)行了詳細(xì)的討論。
第1章 光刻技術(shù)概述 001
參考文獻(xiàn) 007
第2章 光刻膠的涂覆 008
2.1 光刻膠涂覆裝置 008
2.1.1 絲網(wǎng)印刷涂覆法 008
2.1.2 旋涂法 008
2.1.3 滾涂法 010
2.1.4 膜壓法 010
2.1.5 浸涂法 010
2.1.6 噴涂法 012
2.2 旋涂工藝 013
2.2.1 旋涂工藝流程 013
2.2.2 旋涂工藝影響因素 015
2.3 HMDS處理 021
2.3.1 HMDS處理原理 021
2.3.2 HMDS處理效果 021
2.4 預(yù)烘烤 024
2.5 膜厚評(píng)測(cè) 026
2.5.1 用高低差測(cè)量膜厚（數(shù)微米～500μm） 026
2.5.2 光譜反射儀測(cè)量膜厚（50nm～300μm） 026
2.5.3 橢圓偏光計(jì)（橢偏計(jì)）測(cè)量膜厚（1nm～2μm） 028
參考文獻(xiàn) 029
第3章 曝光技術(shù) 030
3.1 曝光設(shè)備概述 030
3.1.1 接觸式對(duì)準(zhǔn)曝光 030
3.1.2 近距離對(duì)準(zhǔn)曝光 031
3.1.3 鏡面投影曝光 031
3.1.4 縮小的投影曝光系統(tǒng)—步進(jìn)曝光機(jī) 033
3.2 曝光原理 035
3.2.1 近距離曝光的光學(xué)原理 035
3.2.2 步進(jìn)曝光機(jī)的光學(xué)原理 037
3.2.3 獲得高分辨率的方法 039
3.3 光刻膠的感光原理和ABC參數(shù) 041
參考文獻(xiàn) 044
第4章 曝光后烘烤（PEB）和顯影技術(shù) 045
4.1 曝光后烘烤概述 045
4.2 PEB中感光劑的熱分解 047
4.3 PEB法測(cè)定感光劑擴(kuò)散長(zhǎng)度 048
4.3.1 通過(guò)測(cè)量顯影速度計(jì)算感光劑的擴(kuò)散長(zhǎng)度 049
4.3.2 結(jié)果及分析 053
4.3.3 小結(jié) 059
4.4 表面難溶性參數(shù)的計(jì)算及評(píng)測(cè) 059
4.4.1 引言 059
4.4.2 顯影速度測(cè)量裝置的高精度化 059
4.4.3 表面難溶性參數(shù)的計(jì)算 061
4.4.4 表面難溶性參數(shù)的測(cè)量 062
4.4.5 小結(jié) 064
4.5 顯影技術(shù) 064
4.5.1 浸漬顯影 064
4.5.2 噴霧顯影 065
4.5.3 旋覆浸潤(rùn)顯影 065
4.5.4 緩供液旋覆浸潤(rùn)顯影 067
參考文獻(xiàn) 069
第5章 g線和i線光刻膠（酚醛樹(shù)脂光刻膠）評(píng)測(cè)技術(shù) 071
5.1 酚醛樹(shù)脂光刻膠概述 071
5.1.1 簡(jiǎn)介 071
5.1.2 高分辨率要求 072
5.2 利用光刻模擬對(duì)酚醛樹(shù)脂光刻膠進(jìn)行評(píng)測(cè) 077
5.2.1 簡(jiǎn)介 077
5.2.2 光刻模擬技術(shù) 078
5.2.3 參數(shù)的實(shí)測(cè)和模擬 082
5.2.4 小結(jié) 094
5.3 利用模擬進(jìn)行工藝優(yōu)化 095
5.3.1 簡(jiǎn)介 095
5.3.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 095
5.3.3 模擬研究 097
5.3.4 分析與討論 100
5.3.5 小結(jié) 101
參考文獻(xiàn) 101
第6章 KrF和ArF光刻膠評(píng)測(cè)技術(shù) 103
6.1 KrF光刻膠 103
6.2 化學(xué)增幅型光刻膠的脫保護(hù)反應(yīng) 106
6.2.1 實(shí)驗(yàn)裝置 107
6.2.2 傳統(tǒng)模型的問(wèn)題以及對(duì)Spence模型的探討 108
6.2.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 110
6.2.4 新脫保護(hù)反應(yīng)模型的提出和對(duì)脫保護(hù)反應(yīng)的分析 113
6.2.5 小結(jié) 117
6.3 曝光過(guò)程光刻膠的脫氣 117
6.3.1 利用QCM觀察曝光過(guò)程光刻膠質(zhì)量變化 118
6.3.2 利用GC-MS分析曝光過(guò)程光刻膠的脫氣 119
6.3.3 利用FT-IR觀察曝光過(guò)程的脫保護(hù)反應(yīng) 121
6.3.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 121
6.3.5 小結(jié) 127
6.4 ArF光刻膠 127
6.5 PAG的產(chǎn)酸反應(yīng) 131
6.5.1 實(shí)驗(yàn)裝置 132
6.5.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 133
6.5.3 分析與討論 135
6.5.4 小結(jié) 138
6.6 ArF光刻膠曝光過(guò)程的脫氣 138
6.6.1 脫氣收集設(shè)備和方法 139
6.6.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 140
6.6.3 分析與討論 145
6.6.4 小結(jié) 146
6.7 光刻膠在顯影過(guò)程中的溶脹 146
6.7.1 實(shí)驗(yàn)儀器 147
6.7.2 減少熱沖擊 148
6.7.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 149
6.7.4 可重復(fù)性 151
6.7.5 TBAH顯影劑的溶脹行為 152
6.7.6 小結(jié) 154
6.8 通過(guò)香豆素添加法分析PAG的產(chǎn)酸反應(yīng) 154
6.8.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 155
6.8.2 結(jié)果和討論 158
6.8.3 小結(jié) 162
參考文獻(xiàn) 162
第7章 ArF浸沒(méi)式光刻膠和雙重圖形化（DP）工藝評(píng)測(cè)技術(shù) 166
7.1 ArF浸沒(méi)式曝光技術(shù) 166
7.2 浸沒(méi)式曝光過(guò)程的評(píng)測(cè)—水滲入光刻膠膜與感光度變化 169
7.2.1 浸沒(méi)式曝光反應(yīng)分析設(shè)備 170
7.2.2 浸沒(méi)式曝光的光刻膠材料評(píng)測(cè) 172
7.2.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 173
7.2.4 小結(jié) 179
7.3 浸沒(méi)式曝光過(guò)程的評(píng)價(jià)—對(duì)溶出的評(píng)測(cè) 179
7.3.1 WEXA-2系統(tǒng)和采樣方法 179
7.3.2 分析方法 182
7.3.3 分析系統(tǒng)可靠性驗(yàn)證 186
7.3.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 188
7.3.5 小結(jié) 190
7.4 浸沒(méi)式DP曝光技術(shù) 191
7.4.1 LLE方法 192
7.4.2 雙重圖形工藝的評(píng)測(cè) 194
7.4.3 小結(jié) 195
參考文獻(xiàn) 195
第8章 EUV光刻膠評(píng)測(cè)技術(shù) 197
8.1 EUV曝光技術(shù) 197
8.2 利用光刻模擬軟件評(píng)估EUV光刻膠 200
8.2.1 系統(tǒng)配置 200
8.2.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 202
8.2.3 模擬分析 204
8.2.4 小結(jié) 206
8.3 EUV光刻膠的脫保護(hù)反應(yīng) 207
8.3.1 傳統(tǒng)方法的問(wèn)題 207
8.3.2 與EUVL對(duì)應(yīng)的新型脫保護(hù)反應(yīng)分析裝置 209
8.3.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 211
8.3.4 小結(jié) 214
8.4 EUV光刻膠脫氣評(píng)測(cè) 214
8.4.1 脫氣評(píng)估裝置概述 215
8.4.2 脫氣評(píng)估裝置EUVOM-9000 216
8.4.3 小結(jié) 220
參考文獻(xiàn) 220
第9章 納米壓印工藝的優(yōu)化及評(píng)測(cè)技術(shù) 222
9.1 使用光固化樹(shù)脂進(jìn)行納米壓印的工藝優(yōu)化和評(píng)測(cè) 222
9.1.1 簡(jiǎn)介 222
9.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 223
9.1.3 預(yù)曝光工藝（PEP） 223
9.1.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 224
9.1.5 預(yù)曝光方法的影響 226
9.1.6 分析與討論 229
9.1.7 小結(jié) 230
9.2 使用光和熱固化樹(shù)脂進(jìn)行納米壓印的工藝優(yōu)化和評(píng)測(cè) 231
9.2.1 引言 231
9.2.2 SU-8壓印存在的問(wèn)題 231
9.2.3 工藝條件優(yōu)化 233
9.2.4 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 238
9.2.5 小結(jié) 241
9.3 無(wú)需脫模工藝的復(fù)制轉(zhuǎn)印技術(shù) 241
9.3.1 簡(jiǎn)介 241
9.3.2 制作復(fù)制模具（MXL模板） 241
9.3.3 復(fù)制轉(zhuǎn)印實(shí)驗(yàn) 243
9.3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果 244
9.3.5 復(fù)制轉(zhuǎn)印的尺寸限制 246
9.3.6 小結(jié) 247
9.4 納微米混合結(jié)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印技術(shù) 247
9.4.1 簡(jiǎn)介 247
9.4.2 納米壓印機(jī)LTNIP-2000 248
9.4.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果 250
9.4.4 小結(jié) 253
參考文獻(xiàn) 253
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