本書詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評(píng)估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評(píng)估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測(cè)技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片SiCMOSFET功率模塊定制開發(fā)相關(guān)的系統(tǒng)性指導(dǎo)，兼具理論價(jià)值和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。