目錄
第一章 5G與系統(tǒng)級集成 1
第一節(jié) 5G的研發(fā)背景與發(fā)展歷程 1
一、5G的研發(fā)背景 1
二、5G的發(fā)展歷程 2
第二節(jié) 5G的技術(shù)特點(diǎn)與性能局限 5
一、5G的技術(shù)特點(diǎn) 5
二、5G的性能局限 8
第三節(jié) 5G的應(yīng)用場景及展望 9
第四節(jié) 5G對系統(tǒng)級集成技術(shù)的需求 21
一、射頻前端對系統(tǒng)級集成技術(shù)的需求 21
二、毫米波通信對系統(tǒng)級集成技術(shù)的需求 24
第五節(jié) 系統(tǒng)級集成技術(shù)的優(yōu)勢 30
參考文獻(xiàn) 32
第二章 系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù) 35
第一節(jié) 系統(tǒng)級集成技術(shù)分類 35
一、多芯片模組技術(shù) 35
二、基于封裝的系統(tǒng)技術(shù) 36
三、單片系統(tǒng)技術(shù) 36
四、系統(tǒng)級封裝技術(shù) 38
第二節(jié) SiP技術(shù)的研究進(jìn)展與未來趨勢 42
一、國外研究進(jìn)展 44
二、國內(nèi)研究進(jìn)展 49
三、SiP技術(shù)未來趨勢與挑戰(zhàn) 51
第三節(jié) SiP技術(shù)推動(dòng)射頻封裝技術(shù)進(jìn)程 53
第四節(jié) SiP技術(shù)載體：PCB技術(shù)與LTCC技術(shù) 56
一、聚合物基的疊層PCB技術(shù) 56
二、5G對PCB的要求與挑戰(zhàn) 62
三、陶瓷基的LTCC技術(shù) 65
參考文獻(xiàn) 71
第三章 LTCC技術(shù) 73
第一節(jié) LTCC技術(shù)的發(fā)展歷程 73
第二節(jié) LTCC的基本構(gòu)架與工藝流程 75
一、LTCC基本構(gòu)架 75
二、LTCC工藝流程 77
第三節(jié) LTCC技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用局限 81
一、LTCC技術(shù)優(yōu)勢 81
二、LTCC技術(shù)應(yīng)用局限 84
第四節(jié) LTCC技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展前景 86
一、LTCC技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀 86
二、LTCC技術(shù)的發(fā)展前景 90
參考文獻(xiàn) 91
第四章 5G應(yīng)用環(huán)境對介電材料的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn) 93
第一節(jié) 微波傳輸性能與材料關(guān)聯(lián)機(jī)理 93
一、吸波材料 96
二、微波介質(zhì)陶瓷 97
第二節(jié) 高頻高速環(huán)境對介電性能的要求 99
一、低介電常數(shù)、低介電損耗的需求機(jī)理 101
二、高頻高速PCB 103
第三節(jié) 高功率/高集成環(huán)境對熱膨脹、熱傳導(dǎo)性能的挑戰(zhàn) 104
一、溫度對電力電子器件和設(shè)備的影響 104
二、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn) 105
三、常規(guī)散熱技術(shù) 107
四、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究 111
五、功率器件散熱問題小結(jié) 112
第四節(jié) 5G應(yīng)用環(huán)境對電磁兼容的要求 114
第五節(jié) 多元器件異質(zhì)集成能力要求 122
一、芯片三維互連技術(shù) 123
二、基于TSV技術(shù)及RDL技術(shù)的異質(zhì)集成方案 126
三、基于玻璃基板的異質(zhì)集成方案 131
四、異質(zhì)集成技術(shù)小結(jié) 135
第六節(jié) 應(yīng)用環(huán)境對長壽命、高可靠性能的需求 135
一、應(yīng)用環(huán)境的演變 135
二、陶瓷材料的特征與優(yōu)勢 138
參考文獻(xiàn) 139
第五章 5G微波介質(zhì)陶瓷材料 144
第一節(jié) 微波介質(zhì)陶瓷材料的體系歸類 144
一、微波介質(zhì)陶瓷分類 144
二、微波介質(zhì)陶瓷的研究現(xiàn)狀 145
第二節(jié) 高熱導(dǎo)材料體系 146
一、應(yīng)用需求 146
二、體系總結(jié)與特征分析 147
三、研究前沿 151
第三節(jié) 低介電常數(shù)體系 152
一、應(yīng)用需求 152
二、體系總結(jié)與特征分析 153
三、研究前沿 154
第四節(jié) 高介電常數(shù)體系 158
一、應(yīng)用需求 158
二、體系總結(jié)與特征分析 160
三、研究前沿 162
第五節(jié) 鐵氧體材料體系 164
一、應(yīng)用需求 164
二、體系總結(jié)與特征分析 165
三、研究前沿 168
參考文獻(xiàn) 171
第六章 LTCC-SiP工藝的技術(shù)難點(diǎn) 176
第一節(jié) “零收縮”匹配及調(diào)控技術(shù) 176
一、零收縮技術(shù)的需求背景 176
二、自約束燒結(jié)法 177
三、壓力輔助燒結(jié)法 179
四、無壓力輔助燒結(jié)法 180
五、復(fù)合板共同壓燒法 180
第二節(jié) 異質(zhì)/多元材料化學(xué)相容性技術(shù) 181
一、金屬導(dǎo)體與基板的界面穩(wěn)定性 181
二、嵌入元件與基體的化學(xué)相容 182
第三節(jié) LTCC制備工藝技術(shù) 183
一、微晶玻璃粉體制備 183
二、漿料制備、流延 185
三、單層生瓷帶切片 186
四、沖孔 186
五、印刷 188
六、通孔填充 190
七、疊片 190
八、等靜壓 191
九、切割 192
十、排膠共燒 193
十一、釬焊 194
十二、檢驗(yàn)測試 194
第四節(jié) 其他技術(shù)難點(diǎn) 196
一、基板散熱問題 196
二、基板精度問題 196
三、高熱膨脹系數(shù) 197
四、高導(dǎo)熱LTCC封裝 197
五、低成本LTCC封裝 198
六、系統(tǒng)級LTCC封裝 198
參考文獻(xiàn) 199
第七章 LTCC-SiP市場分析及產(chǎn)品開發(fā)實(shí)例 201
第一節(jié) SiP產(chǎn)品概述 201
第二節(jié) 可穿戴設(shè)備市場 205
第三節(jié) 智能手機(jī)等5G市場 207
第四節(jié) 天線封裝市場 211
第五節(jié) SiP產(chǎn)品實(shí)例 214
一、蘋果公司手表產(chǎn)品實(shí)例 214
二、中國電子科技集團(tuán)公司SiP實(shí)例 216
第六節(jié) LTCC-SiP封裝市場展望 218
參考文獻(xiàn) 219