全書(shū)共有5章，首先講解了包括功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，如種類(lèi)、結(jié)構(gòu)、在電路中的作用等；接著闡述了硅功率半導(dǎo)體器件現(xiàn)狀，重點(diǎn)聚焦SiC功率半導(dǎo)體器件，并深入探討了SiC-MOSFET的結(jié)構(gòu)、原理、應(yīng)用、發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的挑戰(zhàn)及解決方法，詳細(xì)論述了其耐受能力指標(biāo)，如短路、關(guān)斷等耐受能力，最后講解了SiC-MOSFET封裝技術(shù)。