本書內(nèi)容大體可分為兩個(gè)部分。前兩章為第一部分,介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識(shí),包括半導(dǎo)體基本知識(shí)和pn結(jié)理論;其余各章為第二部分,闡述主要半導(dǎo)體器件的基本原理和特性,這些器件包括:雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應(yīng)器件和光器件。每章末均有習(xí)題,書后附有習(xí)題參考解答。
本書簡(jiǎn)明扼要,討論深入,內(nèi)容豐富,可作為大學(xué)有關(guān)專業(yè)半導(dǎo)體物理與器件方面課程的教材或參考書,分章節(jié)供本科生和研究生使用;也可供有關(guān)研究人員參考。
主要符號(hào)表
第一章 半導(dǎo)體基本知識(shí)
1.1 半導(dǎo)體材料和載流子模型
1.2 晶格振動(dòng)
1.3 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
1.4 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
第二章 Pn結(jié)
2.1 熱平衡狀態(tài)
2.2 耗盡區(qū)和耗盡層電容
2.3 真流特性
2.4 交流小信號(hào)特性:擴(kuò)散電容
2.5 電荷存儲(chǔ)和反向恢復(fù)時(shí)間
2.6 結(jié)的擊穿
第三章 雙極型晶體管
3.1 基本原理 主要符號(hào)表
第一章 半導(dǎo)體基本知識(shí)
1.1 半導(dǎo)體材料和載流子模型
1.2 晶格振動(dòng)
1.3 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
1.4 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
第二章 Pn結(jié)
2.1 熱平衡狀態(tài)
2.2 耗盡區(qū)和耗盡層電容
2.3 真流特性
2.4 交流小信號(hào)特性:擴(kuò)散電容
2.5 電荷存儲(chǔ)和反向恢復(fù)時(shí)間
2.6 結(jié)的擊穿
第三章 雙極型晶體管
3.1 基本原理
3.2 雙極型晶體管的真流特性
3.3 雙極型晶體管模型
3.4 雙極型晶體管的頻率特性
3.5 雙極型晶體管的開關(guān)特性
3.6 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)
3.7 多晶硅發(fā)射極晶體管(PET)
3.8 Pnpn結(jié)構(gòu)
第四章 化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
4.1 肖特基勢(shì)壘和歐姆接觸
4.2 GaAs MESFET
4.3 高電子遷移率晶體管(HEMT)
第五章 MOS器件
第六章 微波二極管,量子效應(yīng)器件
第七章 半導(dǎo)體光器件
附錄