第1章緒論
1.1微波射頻半導(dǎo)體器件
1.2異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
1.3半導(dǎo)體器件射頻微波建模和測試
1.4本書的目標(biāo)和結(jié)構(gòu)
參考文獻
第2章半導(dǎo)體器件建模技術(shù)基礎(chǔ)
2.1基本網(wǎng)絡(luò)參數(shù)
2.1.1阻抗參數(shù)
2.1.2導(dǎo)納參數(shù)
2.1.3混合參數(shù)
2.1.4傳輸參數(shù)
2.1.5散射參數(shù)
2.1.6網(wǎng)絡(luò)參數(shù)之間的關(guān)系
2.2二口網(wǎng)絡(luò)的噪聲特性

第1章緒論
1.1微波射頻半導(dǎo)體器件
1.2異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
1.3半導(dǎo)體器件射頻微波建模和測試
1.4本書的目標(biāo)和結(jié)構(gòu)
參考文獻
第2章半導(dǎo)體器件建模技術(shù)基礎(chǔ)
2.1基本網(wǎng)絡(luò)參數(shù)
2.1.1阻抗參數(shù)
2.1.2導(dǎo)納參數(shù)
2.1.3混合參數(shù)
2.1.4傳輸參數(shù)
2.1.5散射參數(shù)
2.1.6網(wǎng)絡(luò)參數(shù)之間的關(guān)系
2.2二口網(wǎng)絡(luò)的噪聲特性
2.2.1噪聲系數(shù)和噪聲參數(shù)
2.2.2阻抗噪聲相關(guān)矩陣
2.2.3導(dǎo)納噪聲相關(guān)矩陣
2.2.4級聯(lián)噪聲相關(guān)矩陣
2.2.5噪聲相關(guān)矩陣之間的關(guān)系
2.3二口網(wǎng)絡(luò)的互聯(lián)
2.3.1二口網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)
2.3.2二口網(wǎng)絡(luò)的并聯(lián)
2.3.3二口網(wǎng)絡(luò)的級聯(lián)
2.4基本電路元件
2.4.1電阻
2.4.2電容
2.4.3電感
2.4.4受控源
2.4.5理想傳輸線
2.5 T型網(wǎng)絡(luò)和PI型網(wǎng)絡(luò)
2.5.1 T型網(wǎng)絡(luò)
2.5.2 PI型網(wǎng)絡(luò)
2.5.3 T型網(wǎng)絡(luò)和PI型網(wǎng)絡(luò)之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系
2.6寄生元件削去技術(shù)
2.6.1削去并聯(lián)元件
2.6.2削去串聯(lián)元件
2.6.3削去級聯(lián)元件
2.7參數(shù)提取技術(shù)基礎(chǔ)
2.7.1電容提取技術(shù)
2.7.2電感提取技術(shù)
2.7.3電阻提取技術(shù)
參考文獻
第3章雙極晶體管建�；�礎(chǔ)
3.1 PN結(jié)二極管
3.1.1 PN結(jié)二極管工作原理
3.1.2二極管等效電路模型
3.1.3二極管參數(shù)提取技術(shù)
3.2雙極晶體管工作原理
3.2.1工作機理
3.2.2工作模式
3.2.3基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)
3.2.4大電流注入效應(yīng)
3.3雙極晶體管等效電路模型
3.3.1 Ebers—Moll模型
3.3.2 Gummel—Pool模型
3.3.3噪聲模型
3.4微波射頻特性
3.4.1工作頻率
3.4.2共發(fā)射極結(jié)構(gòu)
3.4.3共基極結(jié)構(gòu)
3.4.4共集電極結(jié)構(gòu)
3.4.5三種結(jié)構(gòu)特性比較
參考文獻
第4章I—IBT基本工作原理
4.1半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
4.2常用的HBT器件
4.2.1 GaAs基HBT
4.2.2 InP基HBT
參考文獻
第5章異質(zhì)結(jié)晶體管小信號建模和參數(shù)提取技術(shù)
5.1小信號等效電路模型
5.1.1焊盤
5.1.2 T型等效電路模型
5.1.3 PI型等效電路模型
5.1.4 T型和PI型之間的關(guān)系
5.1.5 Mason單向功率增益
5.1.6特征頻率和最大振蕩頻率
5.2器件結(jié)構(gòu)
5.3 PAD電容提取技術(shù)
5.4寄生電感提取技術(shù)
5.4.1測試結(jié)構(gòu)方法
5.4.2集電極開路方法
5.5寄生電阻提取技術(shù)
5.5.1 Z參數(shù)方法
5.5.2截止?fàn)顟B(tài)方法
5.5.3集電極開路方法
5.6本征元件提取技術(shù)
5.6.1直接提取技術(shù)
5.6.2混合提取技術(shù)
5.7半分析技術(shù)
參考文獻
第6章異質(zhì)結(jié)晶體管非線性建模和參數(shù)提取技術(shù)
6.1線性和非線性
6.1.1線性和非線性的定義
6.1.2線性元件和非線性元件
6.2大信號模型和小信號模型
6.3半導(dǎo)體器件的熱阻
6.3.1熱阻的定義
6.3.2等效電路模型
6.3.3熱阻的確定方法
6.4常用的HBT模型
6.4.1 VBIC模型
6.4.2 Agilent模型
6.4.3經(jīng)驗基宏模型
6.4.4本征元件隨偏置變化曲線
參考文獻
第7章異質(zhì)結(jié)晶體管噪聲等效電路模型及參數(shù)提取技術(shù)
7.1異質(zhì)結(jié)晶體管噪聲等效電路模型
7.2噪聲參數(shù)的計算公式
7.3噪聲參數(shù)提取技術(shù)
7.3.1基于調(diào)諧器原理的噪聲參數(shù)提取技術(shù)
7.3.2基于50n噪聲測試系統(tǒng)的噪聲參數(shù)提取技術(shù)
7.4共基極、共集電極和共發(fā)射極結(jié)構(gòu)
7.4.1信號參數(shù)之間的關(guān)系
7.4.2噪聲參數(shù)之間的關(guān)系
7.4.3理論驗證和實驗結(jié)果
7.5噪聲系數(shù)測量技術(shù)
7.5.1噪聲源
7.5.2 Y因子方法
7.5.3校準(zhǔn)技術(shù)
參考文獻
第8章SiGe HBT建模和參數(shù)提取技術(shù)
8.1引言
8.2小信號等效電路模型
8.3大信號等效電路模型
8.3.1 HICUM等效電路模型
8.3.2 MEXTRAM等效電路模型
參考文獻
第9章射頻微波在片自動測試系統(tǒng)
9.1矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀
9.2 40GHz S參數(shù)在片自動測試系統(tǒng)
9.3基于IC—CAP的在片測試過程
參考文獻