本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數(shù)學(xué)推導(dǎo)，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數(shù)學(xué)運(yùn)算中，使讀者通過學(xué)習(xí)，達(dá)到對(duì)半導(dǎo)體中的各種基本物理現(xiàn)象有一全面正確的概念，建立起清晰的半導(dǎo)體物理圖像，為后續(xù)課程的學(xué)習(xí)，研究工作的開展，理解各種半導(dǎo)體器件，集成電路的工作機(jī)理打下良好的基礎(chǔ)。

本書為專著共分五章，前四章研究四類常見的半導(dǎo)體宏觀量子模型：量子漂移-擴(kuò)散模型、量子能量輸運(yùn)模型、量子Navier-Stokes方程組和雙極量子流體動(dòng)力學(xué)模型。我們?cè)谝痪S有界區(qū)間上證明了量子漂移-擴(kuò)散穩(wěn)態(tài)模型、量子能量輸運(yùn)穩(wěn)態(tài)模型、量子Navier-Stokes穩(wěn)態(tài)方程組古典解的存在性以及雙極等溫量子流體動(dòng)力學(xué)穩(wěn)態(tài)模型

本書是微電子技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)教程。全書涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體材料物理及半導(dǎo)體器件物理等內(nèi)容，分成三部分，共15章。*部分為半導(dǎo)體材料屬性，主要討論固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學(xué)、固體量子理論、平衡半導(dǎo)體、輸運(yùn)現(xiàn)象、半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，主要討論pn結(jié)、pn結(jié)二極管、金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)

本書是微電子技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)教程。全書涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體材料物理及半導(dǎo)體器件物理等內(nèi)容，分成三部分，共15章。*部分為半導(dǎo)體材料屬性，主要討論固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學(xué)、固體量子理論、平衡半導(dǎo)體、輸運(yùn)現(xiàn)象、半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，主要討論pn結(jié)、pn結(jié)二極管、金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)

本書全面介紹半導(dǎo)體物理學(xué)的基本理論，以物理科學(xué)、材料科學(xué)與工程、電子技術(shù)的眼光全面審視半導(dǎo)體物理的發(fā)展過程和進(jìn)展情況。 本書內(nèi)容包括半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、常見半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷效應(yīng)、載流子的統(tǒng)計(jì)計(jì)算方法、半導(dǎo)體導(dǎo)電特性、光電導(dǎo)效應(yīng)、光伏效應(yīng)、金屬�舶雽�(dǎo)體的接觸特性、半導(dǎo)體同質(zhì)PN結(jié)、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、MOS

編者根據(jù)使用情況和評(píng)審意見對(duì)原書作了適當(dāng)修改，力圖以簡明扼要的方式全面、準(zhǔn)確介紹半導(dǎo)體物理學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)及其新進(jìn)展，內(nèi)容包括半導(dǎo)體的物質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)和缺陷、載流子的統(tǒng)計(jì)分布及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律、非熱平衡態(tài)半導(dǎo)體、pn結(jié)、金屬-半導(dǎo)體接觸、異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體表面、以及主要的半導(dǎo)體效應(yīng)。

全書分上下兩篇,上、下兩篇既獨(dú)立成篇又互為聯(lián)系,隸屬于微電子相關(guān)專業(yè)的知識(shí)體系,其中每篇又由“基礎(chǔ)知識(shí)”和“實(shí)驗(yàn)”兩部分構(gòu)成。上篇為“半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)”,分別為構(gòu)建晶體結(jié)構(gòu)、仿真與分析晶體電子結(jié)構(gòu)、單波長橢偏法測(cè)試分析薄膜的厚度與折射率、四探針測(cè)試半導(dǎo)體電阻率、霍耳效應(yīng)實(shí)驗(yàn)、高頻光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命、肖特基二極管的電流電壓

光子學(xué)是與電子學(xué)平行的科學(xué)。半導(dǎo)體光子學(xué)是以半導(dǎo)體為介質(zhì)的光子學(xué)，專門研究半導(dǎo)體中光子的行為和性能，著重研究光的產(chǎn)生、傳輸、控制和探測(cè)等特性，進(jìn)一步設(shè)計(jì)半導(dǎo)體光子器件的結(jié)構(gòu)，分析光學(xué)性能及探索半導(dǎo)體光子系統(tǒng)的應(yīng)用。《半導(dǎo)體光子學(xué)》分為13章，包括光子材料、異質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶、輻射復(fù)合發(fā)光和光吸收、光波傳輸模式；超晶格和量子

本書共10章，47個(gè)專題，近300張圖片(包括書末40余幅珍貴圖片，既有著名的科學(xué)家，也有珍貴的原型器件和先進(jìn)的儀器設(shè)備)。首先概述了半導(dǎo)體研究的對(duì)象、范圍和早期歷史，以貓須探測(cè)器為例介紹了半導(dǎo)體的早期應(yīng)用，說明了材料、物理和器件這三者的相互作用在半導(dǎo)體研究中的重要性。然后是第一個(gè)晶體管的誕生、少子法則的確立以及硅基半

《半導(dǎo)體物理導(dǎo)論》的主要內(nèi)容包括：第一章半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)與價(jià)鍵模型。第二章半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)。第三章半導(dǎo)體中的載流子定性描述。第四章半導(dǎo)體中的載流子定量描述。第五章半導(dǎo)體中載流子的電輸運(yùn)。第六章低維半導(dǎo)體中的量子輸運(yùn)和石墨烯電輸運(yùn)。第七章金屬—半導(dǎo)體的接觸。第八章半導(dǎo)體表面效應(yīng)和MIS結(jié)構(gòu)。第九章半導(dǎo)體的內(nèi)光電效應(yīng)和發(fā)光