《基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一書(shū)介紹了基于鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛晶體(PMN-PT)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的原型器件，初步探索了鐵電材料在信息技術(shù)領(lǐng)域的新應(yīng)用。首先，利用PMN-26PT單晶作為介電層，單層二硫化鉬作為溝道半導(dǎo)體構(gòu)筑了一種光熱調(diào)控型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,為FET器件提供了一種新的策略。其次，采用銀納米線(xiàn)作為

本書(shū)共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書(shū)中各處開(kāi)設(shè)了專(zhuān)欄，用以介紹每個(gè)領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級(jí)可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考

本書(shū)介紹了熱敏(溫敏)電阻器的基本知識(shí)(分類(lèi)、電導(dǎo)機(jī)制)、制備工藝、特性分析、測(cè)試表征。在儀器儀表中的應(yīng)用，溫度測(cè)量?jī)x表的研制，及其計(jì)量測(cè)試方法進(jìn)行了闡述。特別是從陶瓷中發(fā)生的電子過(guò)程出發(fā)，論述了陶瓷的半導(dǎo)化過(guò)程及電導(dǎo)機(jī)制。著重論述了電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用，計(jì)量示值誤差標(biāo)定方案和相關(guān)的計(jì)量技術(shù)規(guī)范，為熱敏陶瓷及其元件的制造、應(yīng)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

擬申報(bào)中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)一流規(guī)劃教材。本書(shū)專(zhuān)為高年級(jí)本科生以及研究生的教學(xué)所需設(shè)計(jì)，主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識(shí)內(nèi)容，反映當(dāng)今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進(jìn)展，可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場(chǎng)效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點(diǎn)。

本書(shū)首先深入探討了量子力學(xué)基礎(chǔ)及其在物質(zhì)、能帶理論、半導(dǎo)體和集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用。從電子的波動(dòng)性質(zhì)、不確定性原理到量子隧穿效應(yīng)，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過(guò)能帶理論和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的解析，闡明了半導(dǎo)體材料的電子行為。此外，還詳細(xì)介紹了摻雜半導(dǎo)體、晶格振動(dòng)以及載流子輸運(yùn)現(xiàn)象等關(guān)鍵概念。最后，探討了MOS結(jié)構(gòu)、場(chǎng)效應(yīng)

本書(shū)為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級(jí)證書(shū)（高級(jí)）考核配套題庫(kù)，以職業(yè)技能等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和培訓(xùn)教材（高級(jí)）為依據(jù)進(jìn)行編寫(xiě)。題庫(kù)重點(diǎn)圍繞生產(chǎn)管理與準(zhǔn)備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動(dòng)接觸式與非接觸式檢測(cè)、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進(jìn)行。題庫(kù)分為知識(shí)要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識(shí)要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點(diǎn)介紹了SiC材料生長(zhǎng)、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開(kāi)關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻(xiàn)，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢(shì)�！短蓟�硅器

本書(shū)不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對(duì)每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對(duì)應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)解釋。本書(shū)討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實(shí)際使用的刻蝕設(shè)備的類(lèi)型和等離子體產(chǎn)生機(jī)理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書(shū)系統(tǒng)地討論了第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應(yīng)用中不同類(lèi)型的器件結(jié)構(gòu)，同時(shí)詳細(xì)地討論了SiC和GaN功率器件的設(shè)計(jì)、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細(xì)節(jié)。也討論了寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，以及SiC和GaN功率器件的應(yīng)用。最后對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的未來(lái)發(fā)展進(jìn)行了展望。