本書(shū)以作者近年來(lái)的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國(guó)際研究進(jìn)展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管器件。全書(shū)共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復(fù)合

本書(shū)主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測(cè)器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書(shū)共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長(zhǎng)和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導(dǎo)致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵具有更高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高熱導(dǎo)率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測(cè)方面具有優(yōu)勢(shì)。本書(shū)主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進(jìn)展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書(shū)從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個(gè)方面做了較全面的介紹，重點(diǎn)梳理了作者及國(guó)內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書(shū)以第三代半導(dǎo)體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標(biāo)，詳細(xì)介紹了二維材料上準(zhǔn)范德華外延氮化物的理論計(jì)算、材料生長(zhǎng)、器件制備和應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性于一體。全書(shū)共8章，內(nèi)容包括二維材料及準(zhǔn)范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延界面理論計(jì)算、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準(zhǔn)范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書(shū)以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國(guó)內(nèi)外的最新研究成果，詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)。本書(shū)共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸

本書(shū)聚焦電致變色，系統(tǒng)地總結(jié)了有機(jī)電致變色研究領(lǐng)域的最新研究成果。全書(shū)內(nèi)容涵蓋有機(jī)電致變色的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、器件性能與測(cè)試、材料類(lèi)型、多功能器件及電致變色器件的應(yīng)用與展望等，對(duì)于全面了解電致變色材料領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展具有重要作用。本書(shū)具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：1）介紹了不同的電致變色材料與器件研究方面的發(fā)展情況和最新

量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）是顯示領(lǐng)域的一種新型材料，因其具有發(fā)光效率高、可溶解加工、色域廣、制造成本低、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，備受科研人員關(guān)注，有望在商業(yè)上獲得廣泛應(yīng)用。本書(shū)旨在向讀者介紹近年來(lái)國(guó)內(nèi)外膠體量子點(diǎn)發(fā)光材料與器件的進(jìn)展，全面總結(jié)膠體量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件中各功能層關(guān)鍵材料和器件的設(shè)計(jì)及優(yōu)化方案，探討材料性能、器

本書(shū)以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)。全書(shū)共分為10章，包括俯瞰功率半導(dǎo)體工藝全貌、功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)及運(yùn)作、各種功率半導(dǎo)體的作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場(chǎng)、功率半導(dǎo)體的分類(lèi)、用于功率半導(dǎo)體的硅晶圓、硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導(dǎo)體制造過(guò)程的特征、功率半導(dǎo)體開(kāi)辟綠色

本書(shū)基于作者在薄膜晶體管液晶顯示器領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)實(shí)踐與理解，并結(jié)合液晶顯示技術(shù)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點(diǎn)，然后依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術(shù)的光學(xué)特點(diǎn)與補(bǔ)償技術(shù)、薄膜晶體管器件的SPICE模型、液晶取向技術(shù)、液晶面板與電路驅(qū)動(dòng)的常見(jiàn)不良與解析，最后介紹了新興的低藍(lán)光顯示技術(shù)、電競(jìng)顯示技術(shù)、量子點(diǎn)