本書(shū)收錄了第19屆高級(jí)模擬電路研討會(huì)上18位演講者的發(fā)言稿，每一個(gè)部分都討論了有關(guān)模擬電路設(shè)計(jì)特定領(lǐng)域的新主題與極富價(jià)值的設(shè)計(jì)理念。每一部分的內(nèi)容都由本領(lǐng)域內(nèi)的六位專(zhuān)家來(lái)陳述，并負(fù)責(zé)分享當(dāng)前新的技術(shù)資訊。本書(shū)主要內(nèi)容包括魯棒性設(shè)計(jì)、Sigma-Delta數(shù)-模轉(zhuǎn)換器以及射頻設(shè)計(jì)技術(shù)。對(duì)于投身于模擬電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域且希望跟蹤本領(lǐng)域新技術(shù)的研究人員而言，本書(shū)是一本不錯(cuò)的參考文獻(xiàn)。本書(shū)所涵蓋的內(nèi)容也適用于高級(jí)電路設(shè)計(jì)課程。

目　　錄 譯者序 原書(shū)前言 貢獻(xiàn)者 第１ 部分　魯棒性設(shè)計(jì) 第１ 章　納米ＣＭＯＳ 技術(shù)中模擬集成電路的可靠性建模與設(shè)計(jì) ３ Ｇｅｏｒｇｅｓ Ｇｉｅｌｅｎ， Ｅｌｉｅ Ｍａｒｉｃａｕ 和Ｐｉｅｔｅｒ Ｄｅ Ｗｉｔ 第２ 章　納米ＣＭＯＳ 技術(shù)中的統(tǒng)計(jì)變異性建模和模擬 １４ Ａ.. Ａｓｅｎｏｖ 和Ｂ.. Ｃｈｅｎｇ 第３ 章　納米尺度模擬ＣＭＯＳ 的高級(jí)物理設(shè)計(jì) ２７ Ｌａｎｎｙ Ｌ.. Ｌｅｗｙｎ 第４ 章　高溫高壓應(yīng)用環(huán)境下的健壯性設(shè)計(jì) ４１ Ｏｖｉｄｉｕ Ｖｅｒｍｅｓａｎ， Ｅｄｇａｒｄ Ｌａｅｓ， Ｍａｒｃｏ Ｏｔｔｅｌｌａ， Ｍａｍｕｎ Ｊａｍａｌ， Ｊａｎ Ｋｕｂｉｋ， Ｋａｆｉｌ Ｍ.. Ｒａｚｅｅｂ， Ｒｅｉｎｅｒ Ｊｏｈｎ， Ｈａｒａｌｄ Ｇａｌｌ， Ｍａｓｓｉｍｏ Ａｂｒａｔｅ， Ｎｉｃｏｌａｓ Ｃｏｒｄｅｒｏ 和Ｊａｎ Ｖｃｅｌａｋ 第５ 章�。茫停希� 技術(shù)中的輻射效應(yīng)與加固設(shè)計(jì) ５４ Ｆｅｄｅｒｉｃｏ Ｆａｃｃｉｏ 第６ 章　智能功率高位開(kāi)關(guān)電磁兼容性設(shè)計(jì) ７０ Ｐａｏｌｏ Ｄｅｌ Ｃｒｏｃｅ 和Ｂｅｒｎｄ Ｄｅｕｔｓｃｈｍａｎｎ 第２ 部分�。樱椋纾恚�.Ｄｅｌｔａ 轉(zhuǎn)換器 第７ 章　噪聲耦合Ｄｅｌｔａ.Ｓｉｇｍａ 模.數(shù)轉(zhuǎn)換器（ＡＤＣ） ８２ Ｋｙｅｈｙｕｎｇ Ｌｅｅ 和Ｇａｂｏｒ Ｃ.. Ｔｅｍｅｓ 第８ 章　甚低過(guò)采樣率Ｓｉｇｍａ.Ｄｅｌｔａ 轉(zhuǎn)換器 １０３ Ｔｒｅｖｏｒ Ｃ.. Ｃａｌｄｗｅｌｌ 第９ 章　基于比較器的開(kāi)關(guān)電容Ｄｅｌｔａ.Ｓｉｇｍａ Ａ.Ｄ 轉(zhuǎn)換器 １２１ Ｋｏｅｎ Ｃｏｒｎｅｌｉｓｓｅｎｓ 和Ｍｉｃｈｉｅｌ Ｓｔｅｙａｅｒｔ 第１０ 章　基于ＶＣＯ 的寬帶連續(xù)時(shí)間Ｓｉｇｍａ.Ｄｅｌｔａ 數(shù).模轉(zhuǎn)換器 １３８ Ｍｉｃｈａｅｌ Ｈ.. Ｐｅｒｒｏｔｔ 第１１ 章　寬帶連續(xù)時(shí)間多比特Ｄｅｌｔａ.Ｓｉｇｍａ ＡＤＣ １６０ Ｊ.. Ｓｉｌｖａ.Ｍａｒｔｉｎｅｚ， Ｃ.. .Ｙ.. Ｌｕ， Ｍ.. Ｏｎａｂａｊｏ， Ｆ.. Ｓｉｌｖａ.Ｒｉｖａｓ， Ｖ.. Ｄｈａｎａｓｅｋａｒａｎ 和 Ｍ.. Ｇａｍｂｈｉｒ 第１２ 章　過(guò)采樣數(shù).模轉(zhuǎn)換器（ＤＡＣ） １８０ Ａｎｄｒｅａ Ｂａｓｃｈｉｒｏｔｔｏ， Ｖｉｔｔｏｒｉｏ Ｃｏｌｏｎｎａ 和Ｇａｂｒｉｅｌｅ Ｇａｎｄｏｌｆｉ 第３ 部分　射頻識(shí)別技術(shù) 第１３ 章�。遥疲桑摹�——一項(xiàng)在工業(yè)應(yīng)用中蓄勢(shì)待發(fā)的技術(shù) ２０５ Ｈｅｎｒｉ Ｂａｒｔｈｅｌ 第１４ 章　世界上最小的ＲＦＩＤ 芯片技術(shù) ２２０ Ｍｉｔｓｕｏ Ｕｓａｍｉ 第１５ 章　ＲＦ 和ＲＦＩＤ 的低功耗模擬設(shè)計(jì) ２２９ Ｒａｙｍｏｎｄ Ｂａｒｎｅｔｔ 第１６ 章　一種雙頻帶綜合射頻識(shí)別標(biāo)簽 ２４７ Ａｌｂｅｒｔ Ｍｉｓｓｏｎｉ， Ｇüｎｔｅｒ Ｈｏｆｅｒ 和Ｗｏｌｆｇａｎｇ Ｐｒｉｂｙｌ 第１７ 章　印刷電子學(xué)———電路、產(chǎn)品和路線圖的首次提出 ２６４ Ｊüｒｇｅｎ Ｋｒｕｍｍ 和Ｗｏｌｆｇａｎｇ Ｃｌｅｍｅｎｓ 第１８ 章�。牛校� 兼容有機(jī)ＲＦＩＤ 標(biāo)簽 ２７５