碳化硅技術(shù)基本原理 生長、表征、器件和應(yīng)用
定 價:150 元
叢書名:新型電力電子器件叢書
- 作者:[日] 木本恒暢(Tsunenobu Kimoto)[美] 詹姆士 A. 庫珀(Ja
- 出版時間:2018/5/1
- ISBN:9787111586807
- 出 版 社:機械工業(yè)出版社
- 中圖法分類:TQ174.75
- 頁碼:499
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開本:16開
本書是一本有關(guān)碳化硅材料、器件工藝、器件和應(yīng)用方面的書籍,其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學(xué)和光學(xué)性能的表征、擴展缺陷和點缺陷,器件工藝、功率整流器和開關(guān)器件的設(shè)計理念,單/雙極型器件的物理和特征、擊穿現(xiàn)象、高頻和高溫器件,以及碳化硅器件的系統(tǒng)應(yīng)用,涵蓋了基本概念和新發(fā)展現(xiàn)狀,并針對每個主題做深入的闡釋,包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰(zhàn)。
本書作者在碳化硅研發(fā)領(lǐng)域有著總共45年以上的經(jīng)歷,是當今碳化硅研發(fā)和功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中的領(lǐng)軍人物。通過兩位專家的執(zhí)筆,全景般展示了碳化硅領(lǐng)域的知識和進展。目前,隨著碳化硅基功率器件進入實用化階段,本書的翻譯出版對于大量已經(jīng)進入和正在進入該行業(yè),急需了解掌握該行業(yè)但不諳英語的專業(yè)人士是一本難得的專業(yè)書籍。
本書可以作為從事碳化硅電力電子材料、功率器件及其應(yīng)用方面專業(yè)技術(shù)人員的參考書,也可以作為高等學(xué)校微電子學(xué)與固體物理學(xué)專業(yè)高年級本科生、研究生的教學(xué)用書或參考書。同時,該書對于在諸如電力供應(yīng)、換流器-逆變器設(shè)計、電動汽車、高溫電子學(xué)、傳感器和智能電網(wǎng)技術(shù)等方面的設(shè)計工程師、應(yīng)用工程師和產(chǎn)品經(jīng)理也是有益的。
作為各類電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,功率半導(dǎo)體器件受到越來越多的關(guān)注。
功率器件的主要應(yīng)用包括電源、電機控制、可再生能源、交通、通信、供熱、機器人技術(shù)及電力傳輸和分配等方面。半導(dǎo)體功率器件在這些系統(tǒng)中的應(yīng)用可以顯著節(jié)省能源,加強化石燃料的節(jié)約,并減少環(huán)境污染。
隨著一些新興市場的出現(xiàn),包括光伏電池和燃料電池的電能變換器、電動汽車(EV)和混合動力電動汽車(HEV)用電能變換器和逆變器,以及智能電力設(shè)備配電網(wǎng)的控制,電力電子在過去的十年里再次引發(fā)全新的關(guān)注。目前,半導(dǎo)體功率器件是未來全球節(jié)能和電能管理的關(guān)鍵推動力之一。
在過去的幾十年里,硅功率器件得到了顯著的提升。然而,這些器件正在接近由硅的基本材料特性所限定的性能極限,進一步性能的提升只有通過遷移到更強大的半導(dǎo)體材料。碳化硅(SiC) 是一種有著優(yōu)異物理和電氣性能的寬禁帶半導(dǎo)體,適合作為未來的高電壓、低損耗電力電子的基礎(chǔ)。
SiC是一種Ⅳ -Ⅳ族化合物半導(dǎo)體,有著23~33eV的禁帶寬度(取決于晶體結(jié)構(gòu),或多型體),它擁有10倍于Si的擊穿電場強度、3倍于Si的熱導(dǎo)率,使得SiC對于大功率和高溫器件具有特別的吸引力。例如,在給定阻斷電壓下,SiC功率器件的通態(tài)電阻比Si器件的要低好幾個數(shù)量級,這會大大提高電能變換效率。
SiC的寬禁帶特性和高熱穩(wěn)定性使得某些類型的SiC器件可以在結(jié)溫達300℃或者更高的溫度下無限期工作而不會產(chǎn)生可測量的性能退化。在寬禁帶半導(dǎo)體中,SiC是比較特殊的,因為它可以容易地在超過5個數(shù)量級的范圍進行p型或者n型摻雜;另外,SiC是唯一的化合物半導(dǎo)體,其自然氧化物是SiO2,是和硅的自然氧化物一樣的絕緣體,這使得用SiC制造整個基于MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體) 家族的電子器件成為可能。
自20世紀80年代以來,有關(guān)SiC材料和器件技術(shù)的開發(fā)得到了持續(xù)的投入。
基于20世紀80年代和90年代的多項技術(shù)突破,SiC肖特基勢壘二極管(SBD)的商業(yè)化產(chǎn)品于2001年成功面世,并且在過去的若干年里,SiCSBD的市場得到了迅速發(fā)展。SBD被應(yīng)用于各種類型的電力系統(tǒng)中,包括開關(guān)電源、光伏變換器及空調(diào)、電梯和地鐵的電機控制。SiC功率開關(guān)器件的商業(yè)化生產(chǎn)開始于2006~2010年間,主要有JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管) 和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。這些器件得到了市場廣泛接受,現(xiàn)在,很多行業(yè)已經(jīng)開始利用這些SiC功率開關(guān)器件所帶來的好處。作為一個例子,根據(jù)SiC元器件應(yīng)用的程度,一個電源或逆變器的體積和重量可以減少4~10倍。除了尺寸和重量方面的減少外,使用SiC元器件還可以使功耗也得到了大幅降低,從而使電力變換系統(tǒng)的效率得到顯著提高。
近年來,SiC專業(yè)社團在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界發(fā)展迅猛,越來越多的公司在致力于發(fā)展SiC晶圓和/或器件的生產(chǎn)制造能力,相關(guān)的年輕科學(xué)家和工程師的數(shù)量也在與日俱增。然而,現(xiàn)在幾乎沒有教科書在從材料到器件再到應(yīng)用這樣寬的范圍內(nèi)涵蓋SiC技術(shù),因此,這些科學(xué)家、工程師和研究生會是本書的潛在讀者。作者也希望本書對這些讀者來說是及時的和有益的,并使得他們可以迅速獲得在此領(lǐng)域內(nèi)實踐所需的基本知識。由于本書同時包涵了基礎(chǔ)和高級概念,需要讀者有一定的半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ),不過,對于材料科學(xué)或者電氣工程專業(yè)的研究生來說,閱讀本書將不會有困難。
本書所涉及的主要內(nèi)容包括SiC的物理特性、晶體和外延生長、電學(xué)和光學(xué)性能的表征、擴展缺陷和點缺陷、器件工藝、功率整流器和開關(guān)器件的設(shè)計理念、單/雙極型器件的物理和特征、擊穿現(xiàn)象、高頻和高溫器件以及SiC器件的系統(tǒng)應(yīng)用,涵蓋了基本概念和最新發(fā)展現(xiàn)狀。特別是,我們力圖對每個主題做深入的闡釋,包括基本的物理特性、最新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰(zhàn)。
最后,本書作者致謝這一領(lǐng)域的一些同事和先驅(qū),特別感謝WJChoyke教授(匹茲堡大學(xué))、HMatsunami榮譽教授(京都大學(xué))、GPensl博士(埃爾蘭根-紐倫堡大學(xué),已故)、EJanzén教授(林雪平大學(xué))和JWPalmour博士(科銳公司),感謝他們對本領(lǐng)域和我們對本領(lǐng)域的認識的寶貴貢獻;我們也對Wiley出版社的JamesMurphy先生和ClarissaLim女士的指導(dǎo)和耐心表示感謝。最后,我們要感謝我們的家人在寫作本書時給予的體貼支持和鼓勵,沒有他們的支持和理解,就不會有本書的出版。
木本恒暢詹姆士A.庫珀
本書的作者TsunenobuKimoto是京都大學(xué)電子科學(xué)與工程系的一名教授,長期
從事碳化硅材料、表征、器件工藝以及功率器件等方面的研究,是日本碳化硅界的
領(lǐng)軍人物,在碳化硅的外延生長、光學(xué)和電學(xué)特性表征、缺陷電子學(xué)、離子注入、
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS) 物理和高電壓器件等方面均有建樹。
而另一位作
者,美國普渡大學(xué)電氣與計算機工程學(xué)院的JamesACooper則是一位半導(dǎo)體界的元
老級人物,他在MOS器件、IC及包括硅和碳化硅在內(nèi)的功率器件方面都有研究和
建樹,特別是碳化硅基UMOSFET、肖特基二極管、UMOSFET、橫向DMOSFET、
BJT和IGBT等的開發(fā)做出了突出貢獻。
譯者序
原書前言
原書作者簡介
第1章 導(dǎo)論1
。.1 電子學(xué)的進展1
。.2 碳化硅的特性和簡史3
1.2.1 早期歷史3
。.2.2 SiC晶體生長的革新4
。.2.3。樱椋霉β势骷那熬昂驼故荆
1.3 本書提綱6 參考文獻7
第2章 碳化硅的物理性質(zhì)10
第3章 碳化硅晶體生長36
第4章 碳化硅外延生長70
第5章 碳化硅的缺陷及表征技術(shù)117
第6章 碳化硅器件工藝177
第7章 單極型和雙極型功率二極管262
第8章 單極型功率開關(guān)器件286
第9章 雙極型功率開關(guān)器件336
。.1 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 336
。.1.1 內(nèi)部電流337
9.1.2 增益參數(shù)338
。.1.3 端電流340
。.1.4 電流-電壓關(guān)系341
。.1.5 集電區(qū)中的大電流效應(yīng):飽和和準飽和343
9.1.6 基區(qū)中的大電流效應(yīng):Rittner效應(yīng)347
。.1.7 集電區(qū)的大電流效應(yīng):二次擊穿和基區(qū)擴散效應(yīng)351
。.1.8 共發(fā)射極電流增益:溫度特性353
9.1.9 共發(fā)射極電流增益:復(fù)合效應(yīng)353
。.1.10 阻斷電壓355
。.2 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 356
9.2.1 電流-電壓關(guān)系357
。.2.2 阻斷電壓367
。.2.3 開關(guān)特性368
9.2.4 器件參數(shù)的溫度特性373
。.3 晶閘管375
。.3.1 正向?qū)J剑常罚?
。.3.2 正向阻斷模式和觸發(fā)381
9.3.3 開通過程386
。.3.4。洌郑洌粲|發(fā)388
9.3.5。洌桑洌舻南拗疲常福
9.3.6 關(guān)斷過程390
。.3.7 反向阻斷模式397
參考文獻397
第10章 功率器件的優(yōu)化和比較398
第11章 碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用425
第12章 專用碳化硅器件及應(yīng)用466
附錄490
附錄A。矗龋樱椋弥械牟煌耆s質(zhì)電離490
參考文獻494
附錄B 雙曲函數(shù)的性質(zhì)494
附錄C 常見SiC多型體主要物理性質(zhì)497
C.1 性質(zhì)497
。.2 主要物理性質(zhì)的溫度和/或摻雜特性498
參考文獻499