目 錄
第1章 概述 1
1.1 集成電路的設(shè)計(jì)流程和設(shè)計(jì)工具 3
1.1.1 集成電路的設(shè)計(jì)流程 3
1.1.2 設(shè)計(jì)工具（EDA tools） 5
1.1.3 設(shè)計(jì)方法介紹 7
1.2 集成電路制造流程 9
1.3 可制造性檢查與設(shè)計(jì)制造協(xié)同優(yōu)化 19
1.3.1 可制造性檢查（DFM） 20
1.3.2 設(shè)計(jì)與制造技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO） 20
本章參考文獻(xiàn) 21
第2章 集成電路物理設(shè)計(jì) 22
2.1 設(shè)計(jì)導(dǎo)入 23
2.1.1 工藝設(shè)計(jì)套件的組成 23
2.1.2 標(biāo)準(zhǔn)單元 24
2.1.3 設(shè)計(jì)導(dǎo)入流程 25
2.1.4 標(biāo)準(zhǔn)單元類型選取及IP列表 26
2.2 布圖與電源規(guī)劃 26
2.2.1 芯片面積規(guī)劃 26
2.2.2 電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì) 27
2.2.3 SRAM、IP、端口分布 28
2.2.4 低功耗設(shè)計(jì)與通用功耗格式導(dǎo)入 28
2.3 布局 30
2.3.1 模塊約束類型 30
2.3.2 擁塞 31
2.3.3 圖形密度 32
2.3.4 庫(kù)交換格式優(yōu)化 32
2.3.5 鎖存器的位置分布 33
2.3.6 有用時(shí)鐘偏差的使用 33
2.4 時(shí)鐘樹(shù)綜合 35
2.4.1 CTS Specification介紹 35
2.4.2 時(shí)鐘樹(shù)級(jí)數(shù) 35
2.4.3 時(shí)鐘樹(shù)單元選取及分布控制 36
2.4.4 時(shí)鐘樹(shù)的生成及優(yōu)化 36
2.5 布線 36
2.5.1 非常規(guī)的設(shè)計(jì)規(guī)則 36
2.5.2 屏蔽 37
2.5.3 天線效應(yīng) 37
2.6 簽核 39
2.6.1 靜態(tài)時(shí)序分析 39
2.6.2 功耗 44
2.6.3 物理驗(yàn)證 45
本章參考文獻(xiàn) 47
第3章 光刻模型 48
3.1 基本的光學(xué)成像理論 48
3.1.1 經(jīng)典衍射理論 48
3.1.2 阿貝成像理論 53
3.2 光刻光學(xué)成像理論 54
3.2.1 光刻系統(tǒng)的光學(xué)特征 54
3.2.2 光刻成像理論 67
3.3 光刻膠模型 74
3.3.1 光刻膠閾值模型 74
3.3.2 光刻膠物理模型 75
3.4 光刻光學(xué)成像的評(píng)價(jià)指標(biāo) 77
3.4.1 關(guān)鍵尺寸及其均勻性 77
3.4.2 對(duì)比度和圖像對(duì)數(shù)斜率 78
3.4.3 掩模誤差增強(qiáng)因子 79
3.4.4 焦深與工藝窗口 80
3.4.5 工藝變化帶（PV-band） 82
本章參考文獻(xiàn) 82
第4章 分辨率增強(qiáng)技術(shù) 84
4.1 傳統(tǒng)分辨率增強(qiáng)技術(shù) 86
4.1.1 離軸照明 86
4.1.2 相移掩模 89
4.2 多重圖形技術(shù) 92
4.2.1 雙重及多重光刻技術(shù) 93
4.2.2 自對(duì)準(zhǔn)雙重及多重圖形成像技術(shù) 99
4.2.3 裁剪技術(shù) 104
4.3 光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù) 107
4.3.1 RB-OPC和MB-OPC 108
4.3.2 亞分辨輔助圖形添加 109
4.3.3 逆向光刻技術(shù) 110
4.3.4 OPC技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 113
4.4 光源?掩模聯(lián)合優(yōu)化技術(shù) 117
4.4.1 SMO技術(shù)的發(fā)展歷史與基本原理 117
4.4.2 SMO技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 119
本章參考文獻(xiàn) 123
第5章 刻蝕效應(yīng)修正 125
5.1 刻蝕效應(yīng)修正流程 126
5.2 基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正 128
5.2.1 基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正的方法 128
5.2.2 基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正的局限性 129
5.3 基于模型的刻蝕效應(yīng)修正 132
5.3.1 刻蝕工藝建模 132
5.3.2 基于模型的刻蝕效應(yīng)修正概述 134
5.3.3 刻蝕模型的局限性 135
5.4 EPC修正策略 136
5.5 非傳統(tǒng)的刻蝕效應(yīng)修正流程 139
5.5.1 新的MBRT刻蝕效應(yīng)修正流程 139
5.5.2 刻蝕效應(yīng)修正和光刻解決方案的共優(yōu)化 139
5.6 基于機(jī)器學(xué)習(xí)的刻蝕效應(yīng)修正 140
5.6.1 基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的刻蝕偏差預(yù)測(cè) 140
5.6.2 刻蝕鄰近效應(yīng)修正算法 141
5.6.3 基于機(jī)器學(xué)習(xí)的刻蝕偏差預(yù)測(cè)模型案例 142
本章參考文獻(xiàn) 143
第6章 可制造性設(shè)計(jì) 145
6.1 DFM的內(nèi)涵和外延 145
6.1.1 DFM的內(nèi)涵 145
6.1.2 DFM的外延 148
6.2 增強(qiáng)版圖的健壯性 149
6.2.1 關(guān)鍵區(qū)域圖形分析（CAA） 149
6.2.2 增大接觸的可靠性 150
6.2.3 減少柵極長(zhǎng)度和寬度變化對(duì)器件性能的影響 151
6.2.4 版圖健壯性的計(jì)分模型 152
6.3 與光刻工藝關(guān)聯(lián)的DFM 153
6.3.1 使用工藝變化的帶寬（PV-band）來(lái)評(píng)估版圖的可制造性 153
6.3.2 使用聚集深度來(lái)評(píng)估版圖的可制造性 155
6.3.3 光刻壞點(diǎn)的計(jì)分系統(tǒng)（scoring system） 157
6.3.4 對(duì)光刻工藝友好的設(shè)計(jì) 160
6.3.5 版圖與掩模一體化仿真 161
6.4 與CMP工藝關(guān)聯(lián)的DFM 162
6.4.1 CMP的工藝缺陷及其仿真 162
6.4.2 對(duì)CMP工藝友好的版圖設(shè)計(jì) 164
6.4.3 填充冗余金屬（dummy fill） 165
6.4.4 回避困難圖形 165
6.5 DFM的發(fā)展及其與設(shè)計(jì)流程的結(jié)合 166
6.5.1 全工藝流程的DFM 166
6.5.2 DFM工具及其與設(shè)計(jì)流程的結(jié)合 168
6.6 提高器件可靠性的設(shè)計(jì)（DFR） 170
6.6.1 與器件性能相關(guān)的DFR 170
6.6.2 與銅互連相關(guān)的DFR 172
6.7 基于設(shè)計(jì)的測(cè)量與DFM結(jié)果的驗(yàn)證 172
6.7.1 基于設(shè)計(jì)的測(cè)量（DBM） 172
6.7.2 DFM規(guī)則有效性的評(píng)估 174
本章參考文獻(xiàn) 174
第7章 設(shè)計(jì)與工藝協(xié)同優(yōu)化 177
7.1 工藝流程建立過(guò)程中的DTCO 178
7.1.1 不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)DTCO的演進(jìn) 178
7.1.2 器件結(jié)構(gòu)探索 181
7.1.3 設(shè)計(jì)規(guī)則優(yōu)化 183
7.1.4 面向標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的DTCO 194
7.2 設(shè)計(jì)過(guò)程中的DTCO 201
7.2.1 考慮設(shè)計(jì)和工藝相關(guān)性的物理設(shè)計(jì)方法 201
7.2.2 考慮布線的DTCO 205
7.2.3 流片之前的DTCO 213
7.3 基于版圖的良率分析及壞點(diǎn)檢測(cè)的DTCO 216
7.3.1 影響良率的關(guān)鍵圖形的檢測(cè) 217
7.3.2 基于版圖的壞點(diǎn)檢測(cè) 222
本章參考文獻(xiàn) 226
附錄A 專業(yè)詞語(yǔ)檢索 229