本書以半導體熱點領域的存儲器件、功率器件、新型封裝、新型顯示、高效率太陽能電池作為研究對象,介紹各領域的專利技術發(fā)展狀況、專利申請現(xiàn)狀、檢索策略和申請文件撰寫特點,以期為該領域研發(fā)人員及專利工作者做好專利挖掘和布局,提升專利申請撰寫質量提供借鑒。
在 十四五背景下,隨著知識產權強國戰(zhàn)略地位的不斷提升,半導體產業(yè)步入加速發(fā)展階段,同時新興產業(yè)的崛起,推動半導體產業(yè)技術不斷更新?lián)Q代,其專利作為重要的技術創(chuàng)新成果,具有很高的產業(yè)價值,因此半導體領域的專利申請備受創(chuàng)新主體和社會大眾的關注。
本書圍繞半導體領域技術發(fā)展迅速、備受市場關注的五個技術領域,即存儲器件、功率器件、新型封裝、新型顯示和高效率太陽能電池,并選取每個技術領域的重點子領域作為研究對象,以國內外發(fā)明專利申請為切入點,介紹各領域的專利技術發(fā)展狀況和專利申請保護現(xiàn)狀,并針對重點申請人和重點技術進行詳細闡述。在此基礎上,介紹各領域專利文獻檢索的特點、檢索策略和主要檢索要素,并通過實際案例進行解析。最后,介紹各領域專利申請文件撰寫的特點,分析申請文件撰寫中的常見問題,并結合典型案例給出撰寫建議。
本書內容全面,受眾廣泛,既包括對專利技術現(xiàn)狀的分析,又包括對專利檢索和專利申請文件撰寫的介紹,對該領域創(chuàng)新主體、相關研發(fā)人員以及專利工作人員具有一定的借鑒意義。
本書使用說明:
1.專利技術綜述部分的分析,主要以全球專利文獻數(shù)據庫 (德溫特世界專利索引數(shù)據庫,DWPI)作為專利數(shù)據采集的數(shù)據庫,檢索范圍包括 2022年 2月 28日以前公開的專利申請數(shù)據;由于專利申請從提出申請到公開有一定時間間隔,專利申請從公開到被收錄至專利文獻數(shù)據庫也存在時間滯后性,因此20202021年的數(shù)據均與實際量存在偏差,少于實際的申請量;同一項發(fā)明可能在多個國家或地區(qū)提出專利申請,DWPI數(shù)據庫將這些相關申請作為一條記錄收錄,在進行專利申請數(shù)量統(tǒng)計時,計算為 1項,在統(tǒng)計不同國家、地區(qū)所提出的專利申請的分布時,已將不同國家同族分開進行統(tǒng)計,因此在此情況下對專利申請數(shù)量用 件進行計數(shù)。
2. 在專利技術綜述部分的專利申請來源和目標國家/地區(qū)分析中,所提及的在 歐洲的專利申請,是指向歐洲專利局 (EPO)提出的申請專利。由于專利保護具有地域性特點,中國臺灣地區(qū)有獨立的專利申請體系,故本書將中國臺灣地區(qū)的數(shù)據單列闡釋。
3. 檢索策略和案例分析部分,其中使用的 IPC分類號版本為 2022.01版,CPC分類號版本為 2022.05版。
4. 本書中的 《專利法》是指 《中華人民共和國專利法》(2020修正),《專利法實施細則》是指 《中華人民共和國專利法實施細則 (2010)》,《專利審查指南》是指 《專利審查指南 2010(2019年修訂)》。
本書撰寫分工如下:第一章撰寫人為王興妍、車曉璐、甄麗娟;第二章撰寫人為王丹、章放、丁寧;第三章撰寫人為楊子芳、李曉明、紀騁;第四章撰寫人為楊子芳、楊麗麗、齊哲;第五章撰寫人為王丹、柴春英、陳澤。全書統(tǒng)稿人為王興妍、王丹、楊子芳。此外,楊賀參與第二章部分檢索工作,在此一并表示感謝。
王興妍,國家知識產權局專利局電學發(fā)明審查部半導體一處處長,二級審查員,國家知識產權局高層次人才,首批知識產權行政保護技術調查官,全國專利信息師資人才。長期從事半導體相關技術領域的發(fā)明專利審查以及相關研究工作,作為課題組負責人、組長、主要研究人員、指導專家參與國家知識產權局局級課題十余項,并多次獲得優(yōu)秀專利調查研究報告或被評為國家知識產權局優(yōu)秀課題。
第一章 存儲器件
第一節(jié) 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 三維 NAND閃存
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 新型隨機存儲器
一、RRAM專利技術綜述
二、MRAM專利技術綜述
三、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第二章 功率器件
第一節(jié) 絕緣柵雙極型場效應晶體管 (IGBT)
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 雙擴散金屬氧化物半導體晶體管 (DMOS)
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第三章 新型封裝
第一節(jié) 系統(tǒng)級封裝 (SiP)
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 晶圓級封裝 (WLP)
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 三維 (D)封裝
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第四章 新型顯示
第一節(jié) 有機發(fā)光二極管 (OLED)顯示
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 微型發(fā)光二極管 (MicroLED)顯示
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 量子點顯示
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例
第五章 高效率太陽能電池
第一節(jié) 鈣鈦礦 (PSC)太陽能電池
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第二節(jié) 本征薄膜異質結 (HIT)太陽能電池
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節(jié) 隧穿氧化層鈍化接觸 (TOPCon)太陽能電池
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第四節(jié) 專利申請文件撰寫
一、撰寫特點
二、常見問題分析
三、典型案例