半導體二極管及其應用電路、晶體三極管及放大電路基礎、場效應管及其放大電路、反饋放大電路、模擬集成電路、功率放大器、直流穩(wěn)壓電源、正弦波振蕩電路、振幅調制與解調、角度調制與解調、數(shù)字調制、反饋控制電路等章節(jié)。
《模擬電子技術（第2版）》的編寫緊密結合通信等相關專業(yè)方向的教學要求，分高頻和低頻兩大部分，在闡述上注意知識框架體系的連貫性，同時在內容分布上又基本相對獨立。低頻部分的介紹強調理論聯(lián)系實際，突出集成電路；高頻部分的介紹緊抓基礎概念并密切聯(lián)系通信的實際應用。
《模擬電子技術（第2版）》可作為工科通信工程、電子信息工程、計算機科學與技術、電氣自動化、機電一體化等相關專業(yè)的教材，也可供其他有關工程技術人員參考。
《模擬電子技術（第2版）》一書是本�？圃盒�、高職及成人教育專業(yè)基礎教材，適用于通信、計算機、信息、電子技術應用和自動化等電類各專業(yè)使用。
《模擬電子技術（第2版）》是由南京郵電大學、四川郵電職業(yè)技術學院、長沙通信職業(yè)技術學院、安徽郵電職業(yè)技術學院、河北郵電職業(yè)技術學院、黑龍江信息職業(yè)技術學院及南京工程學院等七所院校的相關教師聯(lián)合編寫的配套教材。
隨著高等教育教學改革的深入，現(xiàn)代電子技術的迅速發(fā)展，同時應對通信行業(yè)本專科院校高職及成人教育院校教材建設的需要，我們依據(jù)其教學要求，結合通信行業(yè)高等教育的教學特點；認真總結各參編院校的教改經驗，參考國內外諸多文獻與著作，編寫了《模擬電子技術（第2版）》�！赌M電子技術（第2版）》內容的選取在注重系統(tǒng)理論體系的完整性的同時，對其適當調整，立足基礎，突出電子器件、電路方面的實際應用�；A理論的闡述力求做到概念準確、語言簡明，特別結合當前高等教育的教學層次，注重由淺入深，循序漸進。
《模擬電子技術（第2版）》在例題及習題的遴選上充分考慮其針對性、啟發(fā)性和實用性，并充分體現(xiàn)《模擬電子技術（第2版）》的教學要求。
在編排上，對拓寬或加深的內容，均注有*號。各專業(yè)可根據(jù)實際需要，依據(jù)教學大綱對本教材的章節(jié)內容進行適當?shù)倪x擇。
《模擬電子技術（第2版）》的再版共分十二章，其中第1章由張效民編寫；第2、3章由焦良葆編寫；第5、11、12章由海德利編寫；第4、6、7、8、9、10章由卜益民編寫，海德利對《模擬電子技術（第2版）》再版部分章節(jié)做了較大修改，卜益民負責全書的統(tǒng)稿和定稿工作。
在《模擬電子技術（第2版）》編寫過程中，南京郵電大學的李飛博士、張豫滇副教授、葉大振副教授提出了很多寶貴的指導性意見；安徽郵電職業(yè)技術學院的汪國俊院長、胡鵬副院長，長沙通信職業(yè)技術學院的肖傳統(tǒng)院長、翁興旺副院長等對《模擬電子技術（第2版）》的編寫工作給予了許多支持和幫助；還有汪維紅、王秋浦、馬仕進、曹火枝、奚國新、余鵬飛等同志為《模擬電子技術（第2版）》的錄入、整理做了不少工作，在此，一并表示衷心的感謝。
第1章 半導體元器件基礎
1.1 半導體物理基礎知識
1.1.1 本征半導體
1.1.2 雜質半導體
1.1.3 漂移電流和擴散電流
1.2 PN結及其特性
1.2.1 PN結的形成
1.2.2 PN結的特性
1.3 半導體二極管
1.3.1 半導體二極管的結構、類型
1.3.2 二極管的性能描述
1.3.3 二極管等效電路
1.3.4 二極管的應用電路
1.3.5 特殊二極管
1.4 雙極型晶體管
1.4.1 雙極型晶體管的基本工作原理
1.4.2 晶體三極管的特性曲線與部分極限參數(shù)
習題
第2章 放大器基礎
2.1 放大器的工作原理
2.1.1 放大器的直流偏置電路
2.1.2 放大器圖解分析法
2.1.3 放大器等效電路分析法
2.1.4 共集、共基放大電路分析
2.1.5 三種基本組態(tài)特性的比較
2.2 放大電路的級聯(lián)
2.3 放大器的頻率特性
2.3.1 頻率失真
2.3.2 晶體管共射極混合型等效電路及頻率特性分析
2.3.3 頻率特性的改善
2.4 小信號選頻放大器
2.4.1 通頻帶與選擇性
2.4.2 單諧振回路與耦合回路
2.4.3 幾種集中選頻濾波器簡介
習題
第3章 場效應管及其放大電路
3.1 結型場效應管
3.1.1 結型場效應管基本結構和類型
3.1.2 結型場效應管的基本工作原理
3.1.3 結型場效應管的特性曲線及其數(shù)學描述
3.2 絕緣柵場效應管
3.2.1 絕緣柵場效應管基本結構和類型
3.2.2 N溝道增強型MOSFET
3.2.3 其他類型的MOSFET
3.2.4 VMOS功率場效應管簡介
3.3 場效應管的特點及主要參數(shù)
3.3.1 場效應管與晶體三極管的比較
3.3.2 場效應管的主要參數(shù)
3.4 場效應管基本放大電路
3.4.1 場效應管的偏置電路
3.4.2 場效應管的微變等效電路
3.4.3 場效應管的基本放大電路性能分析
習題
第4章 反饋放大電路
4.1 反饋的基本概念
4.1.1 反饋概念的引人
4.1.2 反饋放大器的基本框圖和一般表達式
4.2 反饋放大電路的分析
4.2.1 反饋放大電路的基本類型及判別
4.2.2 反饋放大電路的分析舉例
4.2.3 深負反饋放大電路的計算
4.3 負反饋對放大器性能的影響
4.4 反饋放大器穩(wěn)定性討論
4.4.1 負反饋放大器穩(wěn)定工作的條件
4.4.2 判斷放大器是否穩(wěn)定的方法
4.4.3 消除自激振蕩的方法
習題
第5章 模擬集成電路
5.1 電流源
5.1.1 鏡像電流源
5.1.2 比例電流源
5.1.3 微電流源
5.1.4 MOS電流源
5.1.5 有源負載
5.2 差動放大器
5.2.1 零點漂移的概念
5.2.2 差動放大器的工作原理
5.3 集成運算放大器
5.3.1 集成運放電路的組成
5.3.2 集成運放的主要參數(shù)
5.3.3 集成運放的類型
5.4 集成運放的基本應用
5.4.1 理想集成運放
5.4.2 基本放大電路
5.4.3 線性運算電路
5.4.4 非線性運算電路
5.5 集成運放的其他應用
5.5.1 有源濾波器
5.5.2 精密二極管電路
5.5.3 比較器電路
5.5.4 取樣一保持電路
5.5.5 信號產生電路
5.6 模擬乘法器及其應用
5.6.1 模擬乘法器的基本概念
5.6.2 二象限變跨導模擬乘法器
5.6.3 四象限模擬乘法器
5.6.4 模擬乘法器的非線性運算電路
5.7 回轉器電路
5.7.1 回轉器基本概念
5.7.2 等效接地電感
5.7.3 等效浮地電感
習題
第6章 功率放大器
6.1 功率放大器的特點及分類
6.1.1 功率放大器的特點
6.1.2 功率放大器的分類
6.2 低頻功率放大器
6.2.1 乙類互補對稱功率放大器（OCL電路）
6.2.2 交越失真及甲乙類互補對稱功率放大電路
6.2.3 單電源互補對稱功率放大電路（OTL電路）
6.2.4 單電源橋式互補對稱功放
6.2.5 準互補推挽功率放大電路
6.3 集成功放
6.4 高頻丙類諧振功率放大器
6.4.1 電路組成和工作原理
6.4.2 丙類功放性能分析
6.4.3 丙類放大器的工作狀態(tài)
6.4.4 常用丙類諧振功率放大電路
習題
第7章 直流穩(wěn)壓電源
7.1 直流穩(wěn)壓電源的組成
7.2 整流電路
7.2.1 半波整流電路
7.2.2 全波整流電路
7.2.3 橋式整流電路
7.2.4 倍壓整流電路
7.3 濾波電路
7.3.1 電容濾波電路
7.3.2 其他形式的濾波電路
7.4 穩(wěn)壓電源
7.4.1 穩(wěn)壓電路的主要指標
7.4.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電路
7.5集成穩(wěn)壓電源
7.5.1 集成穩(wěn)壓器的分類及內部結構
7.5.2 三端固定輸出電壓集成穩(wěn)壓器
7.6 開關型穩(wěn)壓電源
7.6.1 開關型穩(wěn)壓電源的概述
7.6.2 開關穩(wěn)壓電源的基本結構
7.6.3 串聯(lián)開關型穩(wěn)壓電路工作原理
7.6.4 開關電源集成控制器及其應用分析
習題
第8章 正弦波振蕩電路
第9章 振幅調制與解調
第10章 角度調制與解調
第11章 數(shù)字調制
第12章 反饋控制電路
附錄：本書常用符號一覽表
參考文獻
第1章 半導體元器件基礎
本章首先介紹半導體的基礎知識及半導體的導電機理，接著以PN結的形成為起點，討論半導體二極管的特性及主要參數(shù)，并對二極管的簡單應用電路進行分析討論。最后，闡述雙極型晶體管的工作原理、特性曲線與主要參數(shù)。本章的學習應以了解基本概念，掌握管子的外特性為主要原則。
1.1 半導體物理基礎知識
根據(jù)導電能力的不同，物質可分為導體、半導體和絕緣體三種。有些物質（如銀、銅、鐵等）很容易導電，稱之為導體；另一些物質（如塑料、陶瓷、有機玻璃、橡膠等）幾乎不導電，稱之為絕緣體。而把導電能力介于導體和絕緣體之間的物質稱為半導體，如硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等。
半導體在不同的條件下會呈現(xiàn)一些獨特的導電特性，正是因為這些獨特的導電特性，才使半導體得到廣泛的應用。例如，若在純凈的半導體中摻人微量的某種雜質后，其導電能力就可能提高幾十萬乃至幾百萬倍，利用這種特性可以制造如二極管、三極管等各種晶體管器件；有些半導體對溫度的反應很靈敏，其導電能力隨溫度的上升而明顯增強，利用這種特性可以制造熱敏電阻、溫度傳感器等各種熱敏元件；還有一些半導體受到光照時，它們的導電能力變得很強，利用這種特性可以制造光敏電阻、光電管等各種光敏元件。
為什么半導體具有上述特性呢？這要從半導體的原子結構入手進行分析。
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