本書為“低維材料與器件叢書”之一。過去二十多年，半導(dǎo)體納米線因其獨(dú)特結(jié)構(gòu)與優(yōu)異性能引起了世界各國科學(xué)家的高度關(guān)注與廣泛研究，半導(dǎo)體納米線功能器件在不同領(lǐng)域都展現(xiàn)出巨大的前景。本書基于作者多年的科研工作，并結(jié)合國內(nèi)外的最新研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了半導(dǎo)體納米線功能器件的研究成果。內(nèi)容涵蓋了從半導(dǎo)體納米線功能器件的發(fā)展現(xiàn)狀和加工

本書梳理和總結(jié)了中國科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎(jiǎng)項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對推動我國半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、

本書重點(diǎn)介紹了各種不同類型的界面插層材料對NiFe磁阻薄膜材料結(jié)構(gòu)及電輸運(yùn)性能的影響。全書共7章，內(nèi)容包括：磁電阻薄膜材料簡介、NiFe薄膜材料研究現(xiàn)狀、薄膜制備及結(jié)構(gòu)性能表征方法等。

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

本書主要描述半導(dǎo)體材料的主要測試分析技術(shù)，介紹各種測試技術(shù)的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實(shí)例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測試，其測試分析技術(shù)涉及到四探針電阻率測試、無接觸電阻率測試、擴(kuò)展電阻、微波光電導(dǎo)衰減測試、霍爾效應(yīng)測試、紅外光譜測試、深能級瞬態(tài)譜測試、正電子湮滅

本書是作者多年來在微波寬禁帶半導(dǎo)體器件及其建�？蒲泄ぷ鞯目偨Y(jié)，核心內(nèi)容來自于作者或者與中國電科55所、中國電科13所等聯(lián)合單位發(fā)表在國際重要期刊的文章。本書是作者多年來在微波寬禁帶半導(dǎo)體器件及其建�？蒲泄ぷ鞯目偨Y(jié)，核心內(nèi)容來自于作者或者與中國電科55所、中國電科13所等聯(lián)合單位發(fā)表在國際重要期刊的文章。

場發(fā)射冷陰極在顯示技術(shù)、微波能源及高頻電子等方面具有十分重要的應(yīng)用�！都{米半導(dǎo)體場發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗(yàn)》基于作者多年來在納米半導(dǎo)體場發(fā)射冷陰極方面的工作積累，對該領(lǐng)域的發(fā)展歷程、理論基礎(chǔ)、設(shè)計(jì)模型與制備性能進(jìn)行了系統(tǒng)的介紹與討論，期望為新型納米半導(dǎo)體場發(fā)射冷陰極研發(fā)與器件應(yīng)用提供指導(dǎo)與參考。 《納米半導(dǎo)體場發(fā)射冷陰極

太陽能是取之不盡用之不竭的清潔能源。太陽能光伏發(fā)電是近年來太陽能應(yīng)用中發(fā)展最快、最具活力的研究領(lǐng)域。與目前廣泛采用的硅太陽能電池相比，銅銦硒薄膜太陽能電池具有光電轉(zhuǎn)化效率高、性能穩(wěn)定、空間抗輻射性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前的光伏領(lǐng)域備受關(guān)注。銅銦硒(CuInSe2)中加入一定量Al和S分別替代部分貴重金屬In和Se，一方面可以

光刻技術(shù)是所有微納器件制造的核心技術(shù)。特別是在集成電路制造中，正是由于光刻技術(shù)的不斷提高才使得摩爾定律（器件集成度每兩年左右翻一番）得以繼續(xù)。《超大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用》覆蓋現(xiàn)代光刻技術(shù)的主要方面，包括設(shè)備、材料、仿真（計(jì)算光刻）和工藝，內(nèi)容直接取材于國際先進(jìn)集成電路制造技術(shù)，為了保證先進(jìn)性，特別側(cè)重于32n

本書主要闡述國內(nèi)外硅基發(fā)光材料和器件的研究進(jìn)展，主要包括：（1）硅基納米結(jié)構(gòu)材料與發(fā)光器件，（2）硅基雜質(zhì)與缺陷發(fā)光中心的構(gòu)建及器件，（3）硅基多孔硅發(fā)光制備與器件，（4）硅基能帶調(diào)控發(fā)光材料與激光器件，（5）硅基量子點(diǎn)外延材料及激光器件，（6）硅/化合物半導(dǎo)體混合激光。（7）硅基有機(jī)發(fā)光材料與器件，（8）硅基光源和光

本書源于作者在直拉硅單晶生長控制領(lǐng)域十余年的研究心得與成果積累,在對硅單晶生長工藝參數(shù)及制備理論進(jìn)行全面論述的基礎(chǔ)上,系統(tǒng)地介紹了直拉硅晶體生長的基本原理和工藝過程以及熱場、磁場等關(guān)鍵部件的設(shè)計(jì)理論與方法。研究了影響硅片品質(zhì)的關(guān)鍵變量的檢測問題和工程方法,提出了全自動晶體生長控制系統(tǒng)的基本理論和控制方法。全書分為八章,

《半導(dǎo)體工藝與測試實(shí)驗(yàn)》主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體工藝的6個(gè)主要單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體材料特性表征與器件測試實(shí)驗(yàn)、工藝和器件特性仿真實(shí)驗(yàn)。并通過綜合流程實(shí)驗(yàn)整合各單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)知識和技能，著重培養(yǎng)學(xué)生的半導(dǎo)體器件的綜合設(shè)計(jì)能力。

《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書：透明氧化物半導(dǎo)體》重點(diǎn)闡述了已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用或具有重要應(yīng)用前景的8種氧化物半導(dǎo)體的制備技術(shù)、晶體結(jié)構(gòu)、形貌、缺陷、電子結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)、磁學(xué)性質(zhì)、壓電性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和氣敏性質(zhì)，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了國內(nèi)外透明氧化物半導(dǎo)體重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半導(dǎo)體成熟理論，又反映了

《真空鍍膜原理與技術(shù)》闡述了真空鍍膜的應(yīng)用，真空鍍膜過程中薄膜在基體表面生長過程；探討了薄膜生長的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學(xué)氣相沉積的原理、特點(diǎn)、裝置及應(yīng)用技術(shù)等。力求避開煩瑣的數(shù)學(xué)公式，盡量用簡單的語言闡述物理過程。通俗易懂、簡單易學(xué)。

太陽電池可以實(shí)現(xiàn)太陽光直接轉(zhuǎn)換為電力，目前晶體硅太陽電池是光伏發(fā)電的主流產(chǎn)品。本書首先介紹了晶體硅的物理特性、太陽電池基本結(jié)構(gòu)和標(biāo)準(zhǔn)電池工藝；并在介紹多晶硅原料制備原理、硅源化合物材料性能和制備基礎(chǔ)上，著重介紹高純多晶硅和太陽級多晶硅的制備與各種提純生產(chǎn)工藝；最后，詳細(xì)闡述了硅的晶體生長和硅片的生產(chǎn)工藝。本書可供大專院

《信息科學(xué)技術(shù)學(xué)術(shù)著作叢書：硅通孔3D集成技術(shù)》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術(shù)的最新進(jìn)展和未來可能的演變趨勢，同時(shí)詳盡討論三維集成關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導(dǎo)體工業(yè)中的納米技術(shù)和三維集成技術(shù)的起源和演變歷史，結(jié)合當(dāng)前三維集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展重點(diǎn)討論

本系列叢書分為《半導(dǎo)體化合物光電原理》、《半導(dǎo)體化合物光電器件制備》、《半導(dǎo)體化合物光電器件檢測》三部分�！栋雽�(dǎo)體化合物光電原理》介紹半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)學(xué)基礎(chǔ)、物理學(xué)基礎(chǔ)以及ⅢAⅤA族半導(dǎo)體化合物的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)，半導(dǎo)體化合物的應(yīng)用、光電器件的結(jié)構(gòu)和工作原理等，較系統(tǒng)地介紹了相關(guān)基礎(chǔ)知識，適合材料、物理化學(xué)、光學(xué)、微電子

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截?cái)�、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測與包裝等。本書根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務(wù)驅(qū)動、項(xiàng)目訓(xùn)練的方法組織教學(xué)，以側(cè)重實(shí)踐操作技能為原則，注重實(shí)踐與理論的緊密結(jié)合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應(yīng)用性和實(shí)踐性。本書適合

納米半導(dǎo)體具有常規(guī)半導(dǎo)體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領(lǐng)域具有空前的應(yīng)用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動力�！都{米半導(dǎo)體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導(dǎo)體特殊性能及其在信息