第1章真空鍍膜概論
1.1概述
1.2影響固體表面結(jié)構(gòu)、形貌及其性能的因素
1.2.1原子和分子構(gòu)成固體物質(zhì)
1.2.2多晶體物質(zhì)結(jié)構(gòu)
1.2.3材料受到的各種應力負荷
1.2.4材料加工所帶來的缺陷
1.2.5基片表面涂敷硬質(zhì)薄膜的必要性
1.3真空鍍膜及其工藝特點和應賦予涂層的功能
1.4薄膜的特征
1.4.1薄膜的結(jié)構(gòu)特征
1.4.2金屬薄膜的電導特征
1.4.3金屬薄膜電阻溫度系數(shù)特征
1.4.4薄膜的密度特征
1.4.5薄膜的時效變化特征

第1章真空鍍膜概論
1.1概述
1.2影響固體表面結(jié)構(gòu)、形貌及其性能的因素
1.2.1原子和分子構(gòu)成固體物質(zhì)
1.2.2多晶體物質(zhì)結(jié)構(gòu)
1.2.3材料受到的各種應力負荷
1.2.4材料加工所帶來的缺陷
1.2.5基片表面涂敷硬質(zhì)薄膜的必要性
1.3真空鍍膜及其工藝特點和應賦予涂層的功能
1.4薄膜的特征
1.4.1薄膜的結(jié)構(gòu)特征
1.4.2金屬薄膜的電導特征
1.4.3金屬薄膜電阻溫度系數(shù)特征
1.4.4薄膜的密度特征
1.4.5薄膜的時效變化特征
1.5薄膜的應用
1.5.1電子工業(yè)用薄膜
1.5.2光學工業(yè)中應用的各種光學薄膜
1.5.3機械、化工、石油等工業(yè)中應用的硬質(zhì)膜、耐蝕膜和潤滑膜
1.5.4有機分子薄膜
1.5.5民用及食品工業(yè)中的裝飾膜和包裝膜
1.6真空鍍膜的發(fā)展歷程及最新進展
參考文獻
第2章真空鍍膜技術(shù)基礎
2.1真空鍍膜物理基礎
2.1.1真空及真空狀態(tài)的表征和測量
2.1.2氣體的基本性質(zhì)
2.1.3氣體的流動與流導
2.1.4氣體分子與固體表面的相互作用
2.2真空鍍膜低溫等離子體基礎
2.2.1等離子體及其分類與獲得
2.2.2低氣壓下氣體的放電
2.2.3低氣壓下氣體放電的類型
2.2.4低氣壓下冷陰極氣體輝光放電
2.2.5低氣壓非自持熱陰極弧光放電
2.2.6低氣壓自持冷陰極弧光放電
2.2.7磁控輝光放電
2.2.8空心冷陰極輝光放電
2.2.9高頻放電
2.2.10等離子體宏觀中性特征及其中性空間強度的判別
2.3薄膜的生長與膜結(jié)構(gòu)
2.3.1膜的生長過程及影響膜生長的因素
2.3.2薄膜的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)缺陷
2.4薄膜的性質(zhì)及其影響因素
2.4.1薄膜的力學性質(zhì)及其影響因素
2.4.2薄膜的電學性質(zhì)
2.4.3薄膜的光學性質(zhì)及其影響膜折射率的因素
2.4.4薄膜的磁學性質(zhì)
參考文獻
第3章蒸發(fā)源與濺射靶
3.1蒸發(fā)源
3.1.1蒸發(fā)源及其設計與使用中應考慮的問題
3.1.2電阻加熱式蒸發(fā)源
3.1.3電子束加熱式蒸發(fā)源
3.1.4空心熱陰極等離子體電子束蒸發(fā)源
3.1.5感應加熱式蒸發(fā)源
3.1.6激光加熱式蒸發(fā)源
3.1.7輻射加熱式蒸發(fā)源
3.1.8蒸發(fā)源材料
3.1.9蒸發(fā)源的發(fā)射特性及膜層的厚度分布
3.2濺射靶
3.2.1濺射靶的結(jié)構(gòu)及其設計要求
3.2.2濺射靶材
參考文獻
第4章真空蒸發(fā)鍍膜
4.1真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)
4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜原理及蒸鍍條件
4.1.2薄膜材料
4.1.3合金膜的蒸鍍
4.1.4化合物膜的蒸鍍
4.1.5影響真空蒸鍍性能的因素
4.2分子束外延技術(shù)
4.2.1分子束外延生長的基本原理與過程
4.2.2分子束外延生長的條件、制備方法與特點
4.2.3分子束外延生長參數(shù)選擇
4.2.4影響分子束外延的因素
4.2.5分子束外延裝置
4.3真空蒸發(fā)鍍膜設備
4.3.1真空蒸發(fā)鍍膜機的類型及其結(jié)構(gòu)
4.3.2真空蒸發(fā)鍍膜機中的主要構(gòu)件
4.4真空蒸發(fā)涂層的制備實例
4.4.1真空蒸鍍鋁涂層
4.4.2真空蒸鍍Cd(Se，S)涂層
4.4.3真空蒸鍍ZrO2涂層
4.4.4分子束外延生長金單晶涂層
參考文獻
第5章真空濺射鍍膜
5.1真空濺射鍍膜的復興與發(fā)展
5.2真空濺射鍍膜技術(shù)
5.2.1真空濺射鍍膜的機理分析及其濺射過程
5.2.2靶材粒子向基體上的遷移過程
5.2.3靶材粒子在基體上的成膜過程
5.2.4濺射薄膜的特點及濺射方式
5.2.5直流濺射鍍膜
5.2.6磁控濺射鍍膜
5.2.7射頻濺射鍍膜
5.2.8反應濺射鍍膜
5.2.9中頻濺射與脈沖濺射鍍膜
5.2.10對向靶等離子體濺射鍍膜
5.2.11偏壓濺射鍍膜
5.3真空濺射鍍膜設備
5.3.1間歇式真空濺射鍍膜機
5.3.2半連續(xù)磁控濺射鍍膜機
5.3.3大面積連續(xù)式磁控濺射鍍膜設備
參考文獻
第6章真空離子鍍膜
6.1真空離子鍍膜及其分類
6.2離子鍍膜原理及其成膜條件
6.3離子鍍膜過程中等離子體的作用及到達基體入射的粒子能量
6.4離子轟擊在離子鍍過程中產(chǎn)生的物理化學效應
6.5離化率與中性粒子和離子的能量及膜層表面上的活化系數(shù)
6.5.1離化率
6.5.2中性粒子所帶的能量
6.5.3離子能量
6.5.4膜層表面的能量活化系數(shù)
6.6離子鍍涂層的特點及其應用范圍
6.7離子鍍膜的參數(shù)
6.7.1鍍膜室的氣體壓力
6.7.2反應氣體的分壓
6.7.3蒸發(fā)源功率
6.7.4蒸發(fā)速率
6.7.5蒸發(fā)源和基體間的距離
6.7.6沉積速率
6.7.7基體的負偏壓
6.7.8基體溫度
6.8離子鍍膜裝置及常用的幾種鍍膜設備
6.8.1直流二極、三極及多極型離子裝置
6.8.2活性反應離子鍍裝置
6.8.3空心陰極放電離子鍍膜裝置
6.8.4射頻放電離子鍍裝置
6.8.5磁控濺射離子鍍膜裝置
6.8.6真空陰極電弧離子鍍膜裝置
6.8.7冷電弧陰極離子鍍膜裝置
6.8.8熱陰極強流電弧離子鍍裝置
參考文獻
第7章離子束沉積與離子束輔助沉積
7.1離子束沉積技術(shù)
7.1.1離子束沉積原理及特點
7.1.2直接引出式離子束沉積技術(shù)
7.1.3質(zhì)量分離式離子束沉積技術(shù)
7.1.4離化團束沉積技術(shù)
7.1.5等離子體浸沒式沉積技術(shù)
7.1.6氣固兩用離子束沉積技術(shù)
7.2離子束輔助沉積技術(shù)
7.2.1離子束輔助沉積過程的機理
7.2.2離子束輔助沉積的方式及其能量選擇范圍
7.2.3離子束輔助沉積技術(shù)的特點
7.2.4離子束輔助沉積裝置
7.2.5微波電子回旋等離子體增強濺射沉積裝置
7.2.6離子源
參考文獻
第8章化學氣相沉積
8.1概述
8.2CVD技術(shù)中的各類成膜方法及特點
8.3CVD技術(shù)的成膜條件及其反應類型
8.3.1CVD反應的條件
8.3.2CVD技術(shù)的反應類型
8.4化學氣相沉積用先驅(qū)反應物質(zhì)的選擇
8.5影響CVD沉積薄膜質(zhì)量的因素
8.5.1沉積溫度對膜質(zhì)量的影響
8.5.2反應氣體濃度及相互間的比例對膜質(zhì)量的影響
8.5.3基片對膜質(zhì)量的影響
8.6常壓化學氣相沉積技術(shù)與裝置
8.6.1常壓CVD技術(shù)的一般原理
8.6.2常壓的CVD裝置
8.7低壓化學氣相沉積(LPCVD)
8.7.1LPCVD的原理及特點
8.7.2LPCVD裝置的組成
8.7.3LPCVD制備涂層的實例
8.8等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
8.8.1PECVD的成膜過程及特點
8.8.2PECVD裝置
8.8.3PECVD薄膜的工藝實例
8.9金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)
8.10光輔助化學氣相沉積(PHCVD)
參考文獻
第9章薄膜的測量與監(jiān)控
9.1概述
9.2薄膜厚度的測量
9.2.1薄膜厚度的光學測量法
9.2.2薄膜厚度的電學測量法
9.2.3薄膜厚度的機械測量法
9.3薄膜應力的測量
9.3.1基片變形法
9.3.2衍射法
9.4薄膜的附著力測量
9.4.1膠帶剝離法
9.4.2拉倒法
9.4.3拉張法
9.4.4劃痕法
9.5薄膜的硬度測量
9.5.1維氏硬度
9.5.2努氏硬度
9.6薄膜的光譜特性測量
參考文獻
第10章薄膜性能分析
10.1概述
10.2電子作用于固體表面上所產(chǎn)生的各種效應
10.2.1背散射電子
10.2.2二次電子
10.2.3吸收電子和透射電子
10.2.4俄歇電子
10.2.5特征X射線
10.2.6陰極熒光
10.2.7電子束感生電流
10.3離子作用于固體表面所產(chǎn)生的效應
10.3.1一次離子的表面散射
10.3.2反向散射離子
10.3.3正負二次電子
10.4光子作用于固體表面所產(chǎn)生的效應
10.4.1波長較短的X射線
10.4.2波長較長的X射線
10.5薄膜形貌觀察與結(jié)構(gòu)分析
10.5.1光學顯微鏡
10.5.2掃描電子顯微鏡
10.5.3透射電子顯微鏡
10.5.4X射線衍射儀
10.5.5低能電子衍射和反射式高能電子衍射
10.5.6掃描探針顯微鏡
10.6薄膜組成分析
10.6.1俄歇電子能譜儀
10.6.2二次離子質(zhì)譜分析儀
10.6.3盧瑟福背散射分析儀
10.6.4X射線光電子能譜儀
參考文獻
第11章真空鍍膜技術(shù)中的清潔處理
11.1概述
11.2真空鍍膜設備的清潔處理
11.2.1真空鍍膜設備污染物的來源及清潔處理
11.2.2真空鍍膜設備真空系統(tǒng)的清洗處理
11.3真空鍍膜設備的環(huán)境要求
11.4真空鍍膜工藝對環(huán)境的要求
11.4.1真空鍍膜工藝對環(huán)境的基本要求
11.4.2基片表面污染物來源及清潔處理
11.5鍍件表面處理的基本方法
11.6真空鍍膜常用材料的清洗方法
11.7真空鍍膜設備型號編制方法、試驗方法
11.7.1真空設備型號編制方法（JB/T 7673—1995）
11.7.2真空鍍膜設備通用技術(shù)條件（摘自GB/T 11164—99）
參考文獻