本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測、智能優(yōu)化及

有機(jī)光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國防、醫(yī)療等各個(gè)行業(yè)都有重要的應(yīng)用，是未來光子發(fā)展以及國際高技術(shù)競爭的重要陣地。本書重點(diǎn)介紹了有機(jī)光功能材料及其在激光器件方面的應(yīng)用，從光功能材料的發(fā)光機(jī)理、激發(fā)態(tài)過程及激光基礎(chǔ)理論出發(fā)，討論有機(jī)微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來的激光顯示應(yīng)用。

本書以作者及其研究團(tuán)隊(duì)多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍(lán)、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究價(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢，分析了器件的電-熱性能表征方

有機(jī)熱電是有機(jī)電子學(xué)和能源領(lǐng)域的交叉前沿研究方向之一，自2010年以來取得快速發(fā)展。作為快速起步的新興研究方向，有機(jī)熱電材料與器件缺乏聚焦該方向的專著。本書圍繞分子體系的熱電能量轉(zhuǎn)換過程、機(jī)制、功能與應(yīng)用，系統(tǒng)闡述有機(jī)熱電領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)遇、現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)，對推動(dòng)該領(lǐng)域的快速發(fā)展具有重要學(xué)術(shù)價(jià)值。本書根據(jù)該領(lǐng)域的特點(diǎn)和自身發(fā)展

本書以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎(chǔ)與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點(diǎn)，闡述寬禁帶電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、原理與設(shè)計(jì)方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件

本書根據(jù)作者從事半導(dǎo)體材料研究所積累的理論知識、工作經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)資料，在查閱了大量的書籍和文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，將與半導(dǎo)體材料專業(yè)技術(shù)相關(guān)的知識要點(diǎn)提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關(guān)內(nèi)容分成6個(gè)部分，即半導(dǎo)體材料概述、材料物理性能、晶體生長、熱處理、材料性能測量和半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)技術(shù)。其中半導(dǎo)體材料物理性能被劃分為三大類12個(gè)方

本書基于作者多年從事LED芯片設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗(yàn)，詳細(xì)介紹了提高水平結(jié)構(gòu)LED芯片、倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。采用微加工技術(shù)在水平結(jié)構(gòu)LED芯片的正面、底面和側(cè)面集成微納光學(xué)結(jié)構(gòu)，提高其發(fā)光效率。采用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結(jié)構(gòu)LED芯

本書為“低維材料與器件叢書”之一。過去二十多年，半導(dǎo)體納米線因其獨(dú)特結(jié)構(gòu)與優(yōu)異性能引起了世界各國科學(xué)家的高度關(guān)注與廣泛研究，半導(dǎo)體納米線功能器件在不同領(lǐng)域都展現(xiàn)出巨大的前景。本書基于作者多年的科研工作，并結(jié)合國內(nèi)外的最新研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了半導(dǎo)體納米線功能器件的研究成果。內(nèi)容涵蓋了從半導(dǎo)體納米線功能器件的發(fā)展現(xiàn)狀和加工

本書由淺入深、系統(tǒng)地介紹了幾種常用的微波半導(dǎo)體器件的電磁損傷機(jī)理。首先介紹了幾種微波半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識和典型的電磁脈沖及其效應(yīng)，然后重點(diǎn)通過仿真分析和實(shí)驗(yàn)分析介紹了幾種微波半導(dǎo)體器件的電磁損傷機(jī)理，最后簡要介紹了幾種半導(dǎo)體器件電磁損傷模型。

TFTLCD液晶顯示器在平板顯示器中脫穎而出，在顯示器市場獨(dú)占整頭。目前以TFTLCD為代表的平板顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，為適應(yīng)平板顯示產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的要求，本書作者編寫了薄型顯示器叢書。《BR》本冊闡述TFT液晶顯示的基本原理和技術(shù)，共分4章：第1章介紹液晶顯示的歷史和現(xiàn)狀；第2章以近乎動(dòng)（畫）、漫（畫）的形式形象直觀地介紹

《純電動(dòng)汽車IGBT可靠性及健康管理研究》詳細(xì)闡述了純電動(dòng)汽車IGBT的基本知識和研究現(xiàn)狀。系統(tǒng)介紹了IGBT模塊的主要失效模式以及狀態(tài)監(jiān)測參數(shù)；IGBT模塊的加速模型；基于K-S檢驗(yàn)的壽命分布方法，基于ALTA軟件的仿真分析方法；IGBT模塊散熱分析；IGBT模塊的關(guān)于PHM技術(shù)的研究方案以及三種主流的故障預(yù)測技術(shù)；

本書從有機(jī)薄膜晶體管的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、材料種類、器件性能及應(yīng)用等方面對這種新型的有機(jī)電子器件作了較全面的論述。重點(diǎn)梳理了作者及國內(nèi)外同行在有機(jī)薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計(jì)算模擬、有機(jī)單晶材料的發(fā)展與生長方法等。系統(tǒng)闡述了提高有機(jī)薄膜晶體管器

本書梳理和總結(jié)了中國科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動(dòng)的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎(jiǎng)項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對推動(dòng)我國半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、

本書重點(diǎn)介紹了各種不同類型的界面插層材料對NiFe磁阻薄膜材料結(jié)構(gòu)及電輸運(yùn)性能的影響。全書共7章，內(nèi)容包括：磁電阻薄膜材料簡介、NiFe薄膜材料研究現(xiàn)狀、薄膜制備及結(jié)構(gòu)性能表征方法等。

本書根據(jù)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)的**發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合團(tuán)隊(duì)多年積累的科研成果和技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，對IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)技術(shù)進(jìn)行了全面的介紹。全書在介紹IGBT器件及驅(qū)動(dòng)**發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，從IGBT器件結(jié)構(gòu)、特性以及工作原理出發(fā)，詳細(xì)地分析了影響大功率IGBT開關(guān)特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數(shù)，進(jìn)而對IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)

近年來，全球OLED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)布局發(fā)展迅猛，柔性高世代OLED生產(chǎn)線陸續(xù)建設(shè)、投產(chǎn)，OLED產(chǎn)業(yè)無疑成為電子信息領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)藍(lán)海。然而與之不相匹配的是OLED專業(yè)人員和相關(guān)書籍的嚴(yán)重不足�！禣LED顯示技術(shù)導(dǎo)論》從有機(jī)電致發(fā)光二極管設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)理論著手，逐步拓展到當(dāng)前實(shí)際工程應(yīng)用到的各種發(fā)光器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用原理。涉及的內(nèi)容

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)